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BSS 295
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= 0.8...2.0V
销1
G
TYPE
销2
D
记号
3脚
S
V
DS
50 V
I
D
1.4 A
R
DS （ ON）
0.3
包
BSS 295
TYPE
BSS 295
BSS 295
TO-92
SS 295
订购代码
Q67000-S238
Q67000-S105
磁带和卷轴信息
E6288
E6325
最大额定值
参数
符号
值
单位
漏源电压
漏极 - 栅极电压
R
GS
= 20 k
V
DS
V
DGR
50
V
50
V
GS
门源电压
ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883
连续漏电流
T
A
= 24 C
±
20
1级
A
1.4
I
D
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 C
I
Dpuls
5.6
P
合计
功耗
T
A
= 25 C
W
1
数据表
1
05.99
BSS 295
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
125
E
55 / 150 / 56
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
V
（ BR ） DSS
V
50
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
0.8
I
DSS
1.4
2
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
-
-
-
I
GSS
0.1
8
-
1
50
100
A
nA
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1.4 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1.4 A
-
-
0.25
0.45
0.3
0.5
数据表
2
05.99
BSS 295
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 1.4 A
g
fs
S
0.5
1.6
-
pF
-
320
425
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
110
170
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
50
75
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.29 A
R
G
= 50
-
t
r
8
12
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.29 A
R
G
= 50
-
t
D（关闭）
20
30
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.29 A
R
G
= 50
-
t
f
120
160
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.29 A
R
G
= 50
-
85
115
数据表
3
05.99
BSS 295
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
A
= 25 C
I
S
A
-
-
1.4
逆二极管直流，脉冲
T
A
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
5.6
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 2.8 A
-
1
1.5
数据表
4
05.99
BSS 295
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
1.5
A
1.3
1.2
W
1.0
P
合计
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
I
D
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
=25C
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
=
(T
j
)
60
V
58
V
（ BR ） DSS
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
-60
-20
20
60
100
C
160
T
j
数据表
5
05.99
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推荐型号
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B32529-C1103
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B45197A3157M506
BAT54XV2T1G
BFC233820684
BS62UV1027DIG10
BCX5410TA
BTB06-700AW
B43305B2228M087
B41868W7227M001
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