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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第875页 > BSS138N
BSS138N
SIPMOS小信号三极管
特点
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
60
3.5
0.23
V
A
SOT-23
TYPE
BSS138N
BSS138N
包
SOT-23
SOT-23
订购代码
Q67042-S4184
Q67042-S4190
磁带和卷轴信息
E6327 ： 3000个/卷
E6433 ： 10000个/卷
记号
SKS
SKS
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
漏电流脉冲
I
D，脉冲
T
A
=25 °C
I
D
=0.23 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
价值
0.23
0.18
0.92
单位
A
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
6
KV / μs的
门源电压
静电放电敏感度（ HBM）为每
MIL -STD 883
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
V
GS
±20
1级
V
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
0.36
-55 ... 150
55/150/56
W
°C
2.1版
第1页
2004-04-15
BSS138N
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 最小的足迹
R
thJA
-
-
350
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
I
D（关闭）
V
GS
=V
DS
,
I
D
=26 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=0.03 A
60
0.6
-
-
1.0
-
-
1.4
0.1
A
V
-
10
100
-
-
1
3.3
10
4.0
nA
V
GS
=4.5 V,
I
D
=0.19 A
V
GS
=10 V,
I
D
=0.23 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.18 A
-
-
0.1
3.5
2.2
0.2
6.0
3.5
-
S
2.1版
第2页
2004-04-15
BSS138N
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=0.23 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=0.23 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.83
9.1
3.3
0.23
0.92
1.2
14.5
5
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=48 V,
I
D
=0.23 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
0.10
0.3
1.0
3.3
0.14
0.4
1.4
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=0.23 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
32
7.2
2.8
2.3
3.0
6.7
8.2
43
10
4.2
3.5
4.5
10
12
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
2.1版
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BSS138N
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥10
V
0.4
0.25
0.2
0.3
0.15
P
合计
[W]
0.2
I
D
[A]
0.1
0.05
0
0
40
80
120
160
0
40
80
120
160
0.1
0
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3 ，操作安全区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
1
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
3
限于由导通状态
阻力
10
0
100 s
10 s
0.5
10
2
0.2
I
D
[A]
1毫秒
Z
thJA
〔 K / W〕
10
-1
10毫秒
0.1
0.05
0.02
0.01
100毫秒
10
1
10
-2
DC
单脉冲
10
-3
1
10
100
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
2.1版
第4页
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BSS138N
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
0.6
10 V
7V
5V
4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
10
2.9 V
3.2 V
3.5 V
4V
0.5
4V
8
0.4
0.3
3.5 V
R
DS （ ON）
[
]
6
I
D
[A]
4.5 V
3.2 V
4
5V
0.2
2.9 V
7V
10 V
0.1
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
0.6
0.4
0.35
0.3
0.5
0.4
0.25
0.3
g
fs
[S]
0
1
2
3
4
5
I
D
[A]
0.2
0.15
0.1
0.2
0.1
0.05
0
0
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
V
GS
[V]
I
D
[A]
2.1版
第5页
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BSS138N
SIPMOS
小信号三极管
特点
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
无铅引脚电镀;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
60
3.5
0.23
V
A
PG-SOT-23
TYPE
BSS138N
BSS138N
参数
包
PG-SOT-23
PG-SOT-23
磁带和卷轴
L6327: 3000
L6433: 10000
记号
SKS
SKS
价值
0.23
0.18
0.92
单位
A
符号条件
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
连续漏电流
漏电流脉冲
I
D，脉冲
T
A
=25 °C
I
D
=0.23 A,
V
DS
=48 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
6
KV / μs的
门源电压
ESD敏感度
ESD敏感度
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
V
GS
MIL -STD 883 （ HBM ）
JESD22 - A114 （ HBM ）
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
±20
1级（ <1999V ）
0级（ <250V ）
0.36
-55 ... 150
55/150/56
V
W
°C
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第1页
2009-02-11
BSS138N
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 最小的足迹
R
thJA
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
350
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V,
I
D
=250 A
V
GS （ TH）
I
D（关闭）
V
GS
=V
DS
,
I
D
=26 A
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=0.03 A
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
60
0.6
-
-
1.0
-
-
1.4
0.1
V
A
-
-
5
-
-
1
3.3
10
4.0
nA
V
GS
=4.5 V,
I
D
=0.19 A
V
GS
=10 V,
I
D
=0.23 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.18 A
-
-
0.1
3.5
2.2
0.2
6.0
3.5
-
S
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第2页
2009-02-11
BSS138N
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=0.23 A,
T
j
=25 °C
V
R
=30 V,
I
F
=0.23 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.83
9.1
3.3
0.23
0.92
1.2
14.5
5
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=48 V,
I
D
=0.23 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
0.10
0.3
1.0
3.3
0.14
0.4
1.4
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=30 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=0.23 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
32
7.2
2.8
2.3
3.0
6.7
8.2
41
9.5
3.8
3.5
4.5
10
12.3
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
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BSS138N
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥10
V
0.4
0.25
0.2
0.3
0.15
P
合计
[W]
0.2
I
D
[A]
0.1
0.05
0
0
40
80
120
160
0
40
80
120
160
0.1
0
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
1
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
3
限于由导通状态
阻力
10
0
100 s
10 s
0.5
10
2
0.2
I
D
[A]
1毫秒
Z
thJA
〔 K / W〕
0.1
0.05
0.02
0.01
10
-1
10毫秒
100毫秒
10
1
10
-2
DC
单脉冲
10
-3
1
10
100
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
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2009-02-11
BSS138N
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
0.6
V 10
V7
V5
V 4.5
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
10
2.9 V
3.2 V
3.5 V
4V
0.5
V4
8
0.4
0.3
V 3.5
R
DS （ ON）
[
]
6
I
D
[A]
4.5 V
V 3.2
4
5V
0.2
V 2.9
7V
10 V
0.1
2
0
0
1
2
3
4
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
0.6
0.4
0.5
0.35
0.3
0.4
0.25
0.3
g
fs
[S]
0
1
2
3
4
5
I
D
[A]
0.2
0.2
0.15
0.1
0.1
0.05
0
0
0.00
0.10
0.20
0.30
0.40
V
GS
[V]
I
D
[A]
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第5页
2009-02-11
模拟电源
N通道50 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET的
利用高密度的过程。低
r
DS （ ON）
保证最小的功率损耗和
节能，使该器件理想
在电源管理电路使用。
典型的应用是DC- DC
转换器，电源管理的便携式
和电池供电的产品如
计算机，打印机，PCMCIA卡，
蜂窝和无绳电话。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型SOT- 23表面贴装封装
节省电路板空间
BSS138N
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
()
3.5 @ V
GS
= 10V
50
6 @ V
GS
= 4.5V
10 @ V
GS
= 2.75V
G
I
D
(A)
0.26
0.22
0.2
D
S
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号最大单位
漏源电压
V
DS
50
V
栅源电压
±20
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
0.26
0.2
0.9
0.2
1.25
0.8
-55到150
A
W
o
A
连续源电流（二极管传导）
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
thJA
最大
100
166
单位
o
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
2002年7月 - 版本A
初步
吨< = 5秒
稳态
C / W
出版订单号：
DS-BSS138_E
模拟电源
o
BSS138N
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250微安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 8 V
范围
单位
最小典型最大
50
0.8
V
nA
uA
A
10
6.0
3.5
1.20
5
nC
S
V
1.2
1.6
100
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
o
1
10
0.2
1.0
0.7
7
0.70
3.5
0.55
0.95
5
8
11
3
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.75 V，I
D
= 0.2 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 0.22 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.26 A
V
DS
= 5 V，I
D
= 1.5 A
I
S
= 1.6 A，V
GS
= 0 V
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1.7 A
开关
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 10 V ，R
L
= 6
, R
G
= 6
,
V
根
= 4.5
V
15
17
22
10
ns
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
模拟电源
（ APL ）保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 APL不作任何保证，声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不APL承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在APL数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
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意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序中的APL产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
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典型电气特性
3
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