SPICE模型： BSS138
BSS138
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
无铅/符合RoHS （注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K38
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BSS138
50
50
±20
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
来源
门
漏
J
E
G
顶视图
S
D
G
H
K
L
D
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
E
G
H
J
K
L
M
a
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
特征
漏极 - 栅极电压
GS
20KW
栅源电压
漏电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
A
nA
V
W
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
根
= 50W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.2A ， F = 1.0KHz
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局上所示Diodes公司建议焊盘布局AP02001 ，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
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BSS138
Diodes公司
订购信息
设备
BSS138-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
0.6
T
j
= 25°C
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
YM
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
V
GS
= 3.5V
I
D
，漏源电流（A ）
0.5
V
GS
= 3.25V
0.4
V
GS
= 3.0V
0.3
V
GS
= 2.75V
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1漏源电流和漏源电压
0.8
I
D
，漏源电流（A ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2传输特性
V
DS
= 1V
-55°C
25°C
150°C
DS30144牧师11 - 2
2 5
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2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
-5
45
95
145
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
T
j
，结温（ ° C）
图。 3漏源导通电阻与结温
2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55 -40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125 140
I
D
= 1.0毫安
T
j
，结温（ ° C）
图。 4栅极阈值电压与结温
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（ W）
8
7
6
5
4
3
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5V
150°C
2
1
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08 0.1
0.12
0.14
0.16
I
D
，漏电流（ A）
图。 5漏源导通电阻与漏极电流
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1
I
D
二极管电流（A）
0.1
150°C
-55°C
0.01
25°C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，二极管的正向电压（ V）
图。 9体二极管电流与体二极管电压
100
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
C，电容（pF ）
C
国际空间站
10
C
OSS
C
RSS
1
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压（ V）
图。 10电容与漏源电压
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有
使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
www.diodes.com
不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
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SPICE模型： BSS138
BSS138
N沟道增强型网络场效晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
无铅/符合RoHS （注3 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K38
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BSS138
50
50
±20
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
来源
门
漏
J
E
G
顶视图
S
D
G
H
K
L
D
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
E
G
H
J
K
L
M
a
尺寸：mm
最大额定值
漏源电压
特征
漏极 - 栅极电压
GS
20KW
栅源电压
漏电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
A
nA
V
W
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
根
= 50W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.2A ， F = 1.0KHz
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局上所示Diodes公司建议焊盘布局AP02001 ，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间的测试脉冲用来减小自加热效应。
3.没有故意添加铅。
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Diodes公司
订购信息
设备
BSS138-7-F
注意事项：
（注4 ）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
0.6
T
j
= 25°C
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
YM
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
V
GS
= 3.5V
I
D
，漏源电流（A ）
0.5
V
GS
= 3.25V
0.4
V
GS
= 3.0V
0.3
V
GS
= 2.75V
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1漏源电流和漏源电压
0.8
I
D
，漏源电流（A ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2传输特性
V
DS
= 1V
-55°C
25°C
150°C
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2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
-5
45
95
145
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
T
j
，结温（ ° C）
图。 3漏源导通电阻与结温
2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55 -40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125 140
I
D
= 1.0毫安
T
j
，结温（ ° C）
图。 4栅极阈值电压与结温
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（ W）
8
7
6
5
4
3
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5V
150°C
2
1
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08 0.1
0.12
0.14
0.16
I
D
，漏电流（ A）
图。 5漏源导通电阻与漏极电流
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1
I
D
二极管电流（A）
0.1
150°C
-55°C
0.01
25°C
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，二极管的正向电压（ V）
图。 9体二极管电流与体二极管电压
100
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
C，电容（pF ）
C
国际空间站
10
C
OSS
C
RSS
1
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压（ V）
图。 10电容与漏源电压
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利在此进行更正，修改， enhance-
ments ，改进，或其他变化。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;
它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担这种风险，所有
使用并同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
坐落在我们的网站产品
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不推荐用于生命支持系统中使用，其中的一个发生故障或失灵
组件可能直接威胁生命或造成人身伤害不Diodes公司的明确书面认可。
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BSS138
50V N沟道增强型MOSFET - ESD保护
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@500mA=3Ω
R
DS （ ON）
, V
GS
@2.5V,I
DS
@100mA=6Ω
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
超低漏电流在关闭状态
专为电池供电系统，固态继电器
司机：继电器，显示器，灯，电磁阀，存储器等
ESD保护
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
0.079(2.00)
0.070(1.80)
0.008(0.20)
0.003(0.08)
0.056(1.40)
0.047(1.20)
0.120(3.04)
0.110(2.80)
机械数据
案例： SOT- 23封装
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： 138
Apporx 。重量：0.0003盎司， 0.0084克
0.004(0.10)MAX.
0.044(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.013(0.35)
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武LTA克é
GA TE - S 0乌尔权证武LTA克é
C 0 NTI傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P ULS ê D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
DS
V
GS
I
D
I
D M
P
D
T
J
,T
s TG
R
θJ
A
L I MI吨
50
+20
300
2000
350
210
- 5 5 + 1 5 0
357
0.006(0.15)MIN.
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@200mA=4Ω
UNI TS
V
V
mA
mA
mW
O
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
运时代TI NG UNC TI奥纳次S到风靡全球的特MPER TUR ê
吴镭ê
我们M R A熙米UM P O D用I S的I P A TI 0：N
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
O
C / W
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 5秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
十月26,2010 - REV.00
PAGE 。 1
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ELECTRICALCHARACTERISTICS
P一R A M E TE
的TA TI
RA I N -S URC式B再A K D 2 O WN
武LTA克é
克忒苏电子旗下豪LD武LTA克é
RA I N -S URC e在-Sたて
回复的I的TA NC ê
RA I N -S URC e在-Sたて
回复的I的TA NC ê
RA I N -S URC e在-Sたて
回复的I的TA NC ê
泽R 0尕德武LTA克E D RA I N
C-UR重新新台币
门体漏
正向跨导
动态
为了た升尕德碳公顷R G ê
TUR正了解有关TI M E
TUR正关钛M E
INP UT ℃的P A C I TA NC ê
UTP UT ℃的P A C I TA NC ê
重已经R 5 ê茶NS FE
C时P A C I TA NC ê
S 0 URC é - ，D R A I N D I O D E
I O D E F RWA R D所武LTA克é
C 0 NTI傩我们 I O D E F WA R D所
C-UR重新新台币
P ULS E D I O D E F RWA R D所
C-UR重新新台币
V
SD
I
S
I
S M
I
S
= 250毫安，V
GS
=0V
-
-
-
-
-
0.82
-
-
1.2
300
2000
V
mA
mA
Q
g
t
on
t
FF
C
我是SS
C
OSS
C
RSS
V
S
=2 5 V , V
GS
=0 V
F = 1.0 M·H
Z
V
S
2 = 5 V，I
D
= 2 5 0为m的
V
GS
=4.5V
V
DD
= 30V ，R
L
=100Ω
I
D
= 300毫安，V
根
=10V
R
G
=6Ω
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1 .0
40
ns
150
50
10
5
pF
nC
B V
DSS
V
GS （ TH）
R
S（O N）
R
S（O N）
R
S（O N）
I
S S小
I
GS S
g
fS
V
GS
= 0 V，I
D
=1 0
μ
A
V
S
=V
GS
, I
D
= 2 5 0
μ
A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=100mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=200mA
V
GS
= 10V ，我
D
=500mA
V
DS
=50V , V
GS
=0V
V
GS
=+ 2 0 V , V
S
=0 V
V
S
= 1 0 V，I
D
= 2 5 0为m的
50
0 .8
-
-
-
-
-
100
-
-
2 .8
1 .8
1.6
-
-
-
-
1 .5
6 .0
4 .0
3.0
1
+1 0
-
μ
A
μ
A
mS
Ω
V
V
S YM B○升
特S T C 0次我TI 0：N
M | N 。
典型值。
M A X 。
UNI TS
开关
测试电路
V
IN
V
DD
R
L
V
OUT
栅极电荷
测试电路
V
GS
V
DD
R
L
R
G
1mA
R
G
十月26,2010 - REV.00
PAGE 。 2
BSS138
贴装焊盘布局
SOT-23
订购信息
包装信息
T / R - 12K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际有限公司2010
本文件中的信息被认为是准确和可靠。此处的规格和信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新对其产品是否适合任何保证，声明或担保
任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新并没有传达任何
根据其专利权或其他权利的许可。
十月26,2010 - REV.00
PAGE 。五
BSS138
N沟道增强型网络场效晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注3和4）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-23
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。 UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金42
引线框架） 。
终端连接：见图
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
漏
D
门
顶视图
来源
G
S
等效电路
顶视图
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
价值
50
50
±20
200
单位
V
V
V
mA
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
≤
20KΩ
栅源电压
漏电流
连续
连续
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
300
417
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
A
nA
V
Ω
mS
pF
pF
pF
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.2A ， F = 1.0KHz
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A ，R
根
= 50Ω
1.装置安装在FR- 5的PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊垫布局图所示， Diodes公司建议的焊垫布局AP02001 ，这可以在我们找到
网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.没有故意添加铅。卤素和无锑。
4.产品具有数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
BSS138
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Diodes公司
BSS138
0.6
T
j
= 25
°
C
V
GS
= 3.5V
0.8
I
D
，漏源电流（A ）
0.7
0.6
0.5
150
°
C
V
DS
= 1V
-55
°
C
I
D
，漏源电流（A ）
0.5
V
GS
= 3.25V
25
°
C
0.4
V
GS
= 3.0V
0.3
V
GS
= 2.75V
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
3
4
5
6
7
8
9 10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1漏源电流和漏源电压
0
1
2
0.5 1
2.5
1.5
2
3 3.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2传输特性
4
4.5
2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.8
1.6
I
D
= 1.0毫安
R
DS （ ON）
归一化的漏 - 源
导通电阻（
Ω
)
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
-25
5
35
65
95
125 155
T
j
，结温（ ° C）
图。 4栅极阈值电压与结温
0
-55
-5
45
145
95
T
j
，结温（ ° C）
图。 3漏源导通电阻与结温
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
150
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
8
7
6
5
4
3
-55
°
C
25
°
C
V
GS
= 2.5V
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1
0.15
0.25
0.2
I
D
，漏电流（A）
图。 6漏源导通电阻与漏电流
0
0.05
-55
°
C
25
°
C
V
GS
= 2.75V
150
°
C
2
1
0
0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16
I
D
，漏电流（A）
图。 5漏源导通电阻与漏电流
0
BSS138
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Diodes公司
BSS138
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
6
V
GS
= 4.5V
3.5
V
GS
= 10V
5
150
°
C
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
150
°
C
4
3
25
°
C
2
25
°
C
-55
°
C
1
-55
°
C
0
0.3
0.5
0.2
0.4
I
D
，漏电流（A）
图。 7漏源导通电阻与漏电流
0
0.1
0.3
0.5
0.2
0.4
I
D
，漏电流（A）
图。 8漏源导通电阻与漏电流
0
0.1
1
100
V
GS
= 0V
F = 1MHz的
I
D
二极管电流（A）
C，电容（pF ）
0.1
150
°
C
-55
°
C
C
国际空间站
10
C
OSS
0.01
25
°
C
C
RSS
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，二极管的正向电压（ V）
图。 9体二极管电流与体二极管电压
1
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10电容与漏源电压
订购信息
产品型号
BSS138-7-F
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-23
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
K38
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
2000
L
2001
M
MAR
3
2002
N
APR
4
YM
2003
P
五月
5
2004
R
JUN
6
2005
S
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
SEP
9
2009
W
十月
O
2010
X
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
BSS138
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2008年5月
Diodes公司
BSS138
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
G
H
K
M
J
D
F
L
SOT-23
暗淡
民
最大
A
0.37
0.51
B
1.20
1.40
C
2.30
2.50
D
0.89
1.03
F
0.45
0.60
G
1.78
2.05
H
2.80
3.00
J
0.013
0.10
K
0.903
1.10
L
0.45
0.61
M
0.085
0.180
8°
0°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
Y
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
3.4
G
0.7
X
0.9
Y
1.4
C
2.0
E
0.9
X
E
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
BSS138
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Diodes公司
BSS138
2005年10月
BSS138
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这些产品
的目的是为了最大限度地减少通态电阻
同时提供坚固，可靠，快速切换
performance.These产品特别适用于
低电压，低电流的应用，如小
伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及
其他开关应用。
特点
0.22 A， 50 V.
DS （ ON）
= 3.5 @ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
= 6.0 @ V
GS
= 4.5 V
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
坚固可靠
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
包
D
D
S
G
S
SOT-23
G
T
A
=25
o
C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
减免上述25℃
参数
评级
50
±20
（注1 ）
单位
V
V
A
W
毫瓦/°C的
°C
°C
0.22
0.88
0.36
2.8
55
+150
300
（注1 ）
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/16“从案例10秒
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1 ）
350
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
SS
设备
BSS138
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BSS138版本C （ W）
BSS138
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
测试条件
I
D
= 250
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
μA ，引用
至25℃
V
DS
= 50 V,
V
DS
= 30 V,
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
最小典型最大
50
72
0.5
5
100
±100
单位
V
毫伏/°C的
A
A
nA
nA
开关特性
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V T，
J
= 125°C
I
GSS
门体泄漏。
（注2 ）
V
GS
=
±20
V,
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 1毫安
0.8
I
D
= 1毫安，引用至25℃
I
D
= 0.22 A
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.22 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.22 ，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 10V,
I
D
= 0.22 A
1.3
–2
0.7
1.0
1.1
1.5
V
毫伏/°C的
3.5
6.0
5.8
I
D（上）
g
FS
0.2
0.12
0.5
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 25 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
27
13
6
9
pF
pF
pF
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.29 A,
R
根
= 6
2.5
9
20
7
5
18
36
14
2.4
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V,
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.22 A,
1.7
0.1
0.4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 0.44 A
（注2 ）
0.8
0.22
1.4
A
V
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时350℃ / W的
最小焊盘..
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
BSS138版本C （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
快
ActiveArray
FASTr
深不见底
FPS
构建它现在
FRFET
CoolFET
GlobalOptoisolator
CROSSVOLT
GTO
DOME
HiSeC
EcoSPARK
I
2
C
E
2
CMOS
我罗
Ensigna
ImpliedDisconnect
FACT
的IntelliMAX
FACT静音系列
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
电线
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I17
BSS138
n沟道增强型场效应
晶体管
特点
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
低导通电阻
低栅极阈值电压
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
E
SOT-23
A
D
B
G
顶视图
S
D
G
H
K
J
L
C
暗淡
A
B
C
D
E
G
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
案例： SOT -23 ，模压塑料
外壳材料 - UL可燃性分类
等级94V -0
湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
终端连接：见图
标记（见第2页） ： K38
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（约）
H
J
K
L
M
a
漏
门
尺寸：mm
来源
最大额定值
漏源电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
连续
连续
V
GSS
I
D
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
BSS138
50
50
±20
200
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
漏极 - 栅极电压
GS
20KW
栅源电压
漏电流
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
注意事项：
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
D（关闭）
民
50
0.5
100
典型值
75
1.2
1.4
最大
0.5
±100
1.5
3.5
50
25
8.0
20
20
单位
V
A
nA
V
W
mS
pF
pF
pF
ns
ns
V
DD
= 30V ，我
D
= 0.2A,
R
根
= 50W
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250毫安
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=-250mA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
DS
= 25V ，我
D
= 0.2A ， F = 1.0KHz
1.装置安装在FR- 5 PCB 1.0× 0.75× 0.062英寸的焊盘布局上所示Diodes公司建议焊盘布局AP02001 ，
它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2，持续时间短的测试脉冲用于miminize自加热效应。
DS30144版本6 - 2
1 5
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BSS138
订购信息
设备
BSS138-7
注意事项：
（注3）
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K38
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
1998
J
JAN
1
1999
K
FEB
2
0.6
T
j
= 25°C
K38 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
2000
L
三月
3
2001
M
APR
4
YM
2002
N
五月
5
2003
P
JUN
6
2004
R
JUL
7
2005
S
八月
8
2006
T
SEP
9
2007
U
十月
O
2008
V
NOV
N
2009
W
DEC
D
V
GS
= 3.5V
I
D
，漏源电流（A ）
0.5
V
GS
= 3.25V
0.4
V
GS
= 3.0V
0.3
V
GS
= 2.75V
0.2
V
GS
= 2.5V
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 1漏源电流和漏源电压
0.8
I
D
，漏源电流（A ）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 2传输特性
V
DS
= 1V
-55°C
25°C
150°C
DS30144版本6 - 2
2 5
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BSS138
R
DS （ ON）
归一漏极 - 源极导通电阻（ W）
2.45
2.25
2.05
1.85
1.65
1.45
1.25
1.05
0.85
0.65
-55
-5
45
95
145
V
GS
= 4.5V
I
D
= 0.075A
V
GS
= 10V
I
D
= 0.5A
T
j
，结温（ ° C）
图。 3漏源导通电阻与结温
2
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-55
-40 -25 -10 5
20 35 50 65 80 95 110 125
140
I
D
= 1.0毫安
T
j
，结温（ ° C）
图。 4栅极阈值电压与结温
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（ W）
8
7
6
5
4
3
-55°C
25°C
V
GS
= 2.5V
150°C
2
1
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08 0.1
0.12
0.14
0.16
I
D
，漏电流（ A）
图。 5漏源导通电阻与漏极电流
DS30144版本6 - 2
3 5
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BSS138
1995年5月
BSS138
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这些产品
的目的是为了最大限度地减少通态电阻
同时提供坚固，可靠，快速切换
性能。这些产品特别适用于
低电压，低电流的应用，如小
伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及
其他开关应用。
特点
0.22 A， 50V 。
DS （ ON）
= 3.5
@ V
GS
= 10V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
坚固耐用， Relaible
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
_______________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
BSS138
50
50
± 20
± 40
0.22
0.88
0.36
2.8
-55到150
300
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
< 20K
)
栅源电压 - 连续
- 不重复（T
P
< 50 μS ）
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
减免上述25℃
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 16"分之1案件从10秒
A
W
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
R
θ
JA
热阻，结到环境
350
° C / W
1997仙童半导体公司
BSS138牧师A1
QQ：2880707522 复制
