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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第243页 > BSS131H6327
TYPE
BSS131
SIPMOS小信号三极管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
无铅引脚电镀;符合RoHS标准
符合AEC Q101标准
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
240
14
0.1
V
Ω
A
PG-SOT-23
TYPE
BSS131
参数
PG-SOT23
无铅
是的
磁带和卷轴信息
H6327
符号条件
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
记号
SR的
价值
0.11
0.09
0.4
单位
A
连续漏电流
漏电流脉冲
I
D,脉冲
T
A
=25 °C
I
D
=0.1 A,
V
DS
=192 V,
的di / dt = 200 A / μs的,
T
, MAX
=150 °C
反向二极管的dv / dt
的dV / dt
6
KV / μs的
门源电压
防静电类
V
GS
JESD22-A114-HBM
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
±20
CLASS 0
0.36
-55 ... 150
55/150/56
V
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
W
°C
修订版2.6
第1页
2012-03-29
BSS131
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,
结 - 最小的足迹
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
-
-
350
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
GS ( TH)
I
D(关闭)
V
DS
=0 V,
I
D
=56 A
V
DS
=240 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=240 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=0.09 A
V
GS
=10 V,
I
D
=0.1 A
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=0.08 A
240
0.8
-
-
1.4
-
-
1.8
0.01
A
V
-
-
-
-
0.06
-
-
9.07
7.7
0.13
5
10
20
14
-
S
nA
Ω
修订版2.6
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BSS131
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S,脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0 V,
I
F
=0.1 A,
T
j
=25 °C
V
R
=120 V,
I
F
=0.1 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
A
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
0.81
42.9
22.6
0.11
0.43
1.2
64.3
34
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=192 V,
I
D
=0.1 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
0.16
0.8
2.1
2.90
0.22
1.2
3.1
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=120 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=0.1 A,
R
G
=6
Ω
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
58
7.3
2.8
3.3
3.1
13.7
64.5
77
10
4.2
5.0
4.6
20
97
ns
pF
典型值。
马克斯。
单位
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2012-03-29
BSS131
1功耗
P
合计
= F (T
A
)
2漏极电流
I
D
= F (T
A
);
V
GS
≥10
V
0.4
0.12
0.1
0.3
0.08
P
合计
[W]
0.2
I
D
[A]
0
40
80
120
160
0.06
0.04
0.1
0.02
0
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
A
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
0
限于由导通状态
阻力
30 s
100 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
3
0.5
10
-1
1毫秒
10
2
0.2
Z
thJA
〔 K / W〕
1000
10毫秒
I
D
[A]
0.1
100毫秒
0.05
10
-2
10
1
0.02
DC
0.01
10
-3
1
10
100
10
0
单脉冲
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版2.6
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BSS131
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
0.4
10 V
5V
3.9 V
7V
4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
25
23
21
2.3 V
2.7 V
3.3 V
3.9 V
0.3
19
0.2
3.3 V
R
DS ( ON)
[Ω]
17
15
13
11
4.5 V
5V
I
D
[A]
0.1
2.7 V
9
2.3 V
7V
10 V
7
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
0.3
0.4
0.25
0.3
0.2
g
fs
[S]
0
1
2
3
4
I
D
[A]
0.15
0.2
0.1
0.1
0.05
0
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
GS
[V]
I
D
[A]
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
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