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BSS 123
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= 0.8...2.0V
销1
G
TYPE
销2
S
记号
3脚
D
V
DS
100 V
I
D
0.17 A
R
DS （ ON）
6
包
BSS 123
TYPE
BSS 123
BSS 123
SOT-23
SAS
订购代码
Q62702-S512
Q67000-S245
磁带和卷轴信息
E6327
E6433
最大额定值
参数
符号
值
单位
漏源电压
漏极 - 栅极电压
R
GS
= 20 k
V
DS
V
DGR
100
V
100
V
GS
门源电压
ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883
连续漏电流
T
A
= 28 C
±
20
1级
A
0.17
I
D
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 C
I
Dpuls
0.68
P
合计
功耗
T
A
= 25 C
W
0.36
数据表
1
05.99
BSS 123
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
Therminal电阻，芯片底物反面
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thJSR
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
350
≤
285
E
55 / 150 / 56
K / W
1）包安装在铝
15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
V
（ BR ） DSS
V
100
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
0.8
I
DSS
1.5
2
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
V
DS
= 20 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
-
-
-
I
GSS
0.1
2
-
1
60
10
A
nA
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
50
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.17 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 0.17 A
-
-
3
4.5
6
10
数据表
2
05.99
BSS 123
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.17 A
g
fs
S
0.08
0.2
-
pF
-
65
85
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
10
15
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
4
6
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
-
t
r
5
8
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
-
t
D（关闭）
5
8
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
-
t
f
10
13
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
-
12
16
数据表
3
05.99
BSS 123
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
A
= 25 C
I
S
A
-
-
0.17
逆二极管直流，脉冲
T
A
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
0.68
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.34 A,
T
j
= 25 C
-
0.85
1.3
数据表
4
05.99
BSS 123
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
0.18
A
0.40
W
P
合计
0.32
0.28
I
D
0.14
0.12
0.24
0.10
0.20
0.08
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0.06
0.04
0.02
0.00
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
=25C
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
=
(T
j
)
120
V
116
114
V
（ BR ） DSS
112
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90
-60
-20
20
60
100
C
160
T
j
数据表
5
05.99
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