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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第323页 > BSS119
修订版1.3
BSS119
SIPMOS
小信号三极管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
100
6
0.17
PG-SOT23
V
A
R
DS （ ON）
I
D
3
漏
3脚
门
pin1
来源
销2
2
1
VPS05161
TYPE
BSS119
包
PG-SOT23
无铅
是的
磁带和卷轴信息
L6327 ： 3000个/卷
记号
SSH
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
0.17
0.13
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
dv / dt的
V
GS
P
合计
0.68
6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
反向二极管的dv / dt
I
S
=0.17A,
V
DS
= 80V ，的di / dt = 200A / μs的，
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
英镑
第1页
2006-12-01
修订版1.3
热特性
参数
特征
热阻，结 - 环境
以最小的足迹
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=250A
BSS119
符号
分钟。
R
thjs
-
值
典型值。
-
马克斯。
350
单位
K / W
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
值
典型值。
-
1.8
马克斯。
-
2.3
单位
100
1.3
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=50A
V
GS （ TH）
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
A
-
-
0.05
0.5
10
4.9
3.4
0.1
5
100
10
6
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=0.13 A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=0.17A
第2页
2006-12-01
修订版1.3
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
I
D
=0.17A,
R
G
=6
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.13A
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f=1MHz
BSS119
符号
条件
分钟。
0.08
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
0.17
60
8.6
3.1
2.7
3.1
9.3
27
马克斯。
-
78
11.2
4.1
4
4.6
14
40
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
Q
gs
Q
gd
V
DD
=80V,
I
D
=0.17A
-
-
-
-
0.08
0.76
1.67
3.4
0.12
1.1
2.5
-
nC
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=0.17A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
= 0.17 A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
0.8
21.7
10
0.17
0.68
1.2
32.5
15
A
INV 。二极管直流，脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=
I
S
V
R
=50V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
V
ns
nC
第3页
2006-12-01
修订版1.3
1功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
0.38
BSS119
BSS119
2漏极电流
I
D
=
f
(
T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
BSS119
0.18
W
A
0.32
0.14
0.28
P
合计
I
D
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
20
40
60
80
100
120
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.12
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
10
1
BSS119
4瞬态热阻抗
Z
thJA
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
3
BSS119
K / W
A
10
2
10
0
/
I
D
=
V
D
S
on
)
t
P = 240.0μs
Z
thJA
10
1
I
D
1毫秒
R
D
S(
10
-1
10毫秒
10
0
D = 0.50
0.20
10
-1
0.10
0.05
0.02
10
-2
10
-2
0.01
单脉冲
DC
10
-3 0
10
10
-3 -7
10
10
1
10
2
V
10
3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2006-12-01
修订版1.3
5典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
0.34
BSS119
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
12
A
10V
7V
6V
0.28
5V
4.8V
4.6V
0.24
4V
3.8V
0.2
3.4V
0.16
10
R
DS （ ON）
9
8
7
6
5
3.4V
3.8V
4V
4.6V
4.8V
5V
6V
7V
10V
I
D
0.12
0.08
0.04
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
V
V
DS
3
0
0
0.04 0.08 0.12 0.16
0.2
0.24 0.28
A
0.34
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
= 25 °C
0.34
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
)
参数：
T
j
= 25 °C
0.3
A
0.28
0.24
S
0.24
0.22
g
fs
0.8
1.6
2.4
3.2
4.4
V
V
GS
0.2
0.18
0.16
I
D
0.2
0.16
0.14
0.12
0.12
0.08
0.04
0
0
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.04 0.08 0.12 0.16
0.2
0.24 0.28
A
0.34
I
D
第5页
2006-12-01
1.0版
BSS119
SIPMOS
小信号三极管
特征
N沟道
增强型
逻辑电平
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
100
6
0.17
SOT23
V
A
R
DS （ ON）
I
D
3
漏
3脚
门
pin1
来源
销2
2
1
VPS05161
TYPE
BSS119
包
SOT23
订购代码
Q67000-S007
磁带和卷轴信息
E6327 ： 3000个/卷
记号
SSH
最大额定值，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
0.17
0.13
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
dv / dt的
V
GS
P
合计
0.68
6
±20
0.36
-55... +150
55/150/56
KV / μs的
V
W
°C
反向二极管的dv / dt
I
S
=0.17A,
V
DS
= 80V ，的di / dt = 200A / μs的，
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
英镑
第1页
2002-12-10
1.0版
热特性
参数
特征
热阻，结 - 环境
以最小的足迹
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=250A
BSS119
符号
分钟。
R
thjs
-
值
典型值。
-
马克斯。
350
单位
K / W
符号
分钟。
V
（ BR ） DSS
值
典型值。
-
1.8
马克斯。
-
2.3
单位
100
1.3
V
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
=50A
V
GS （ TH）
I
DSS
零栅极电压漏极电流
V
DS
=100V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=100V,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
A
-
-
0.05
0.5
10
4.9
3.4
0.1
5
100
10
6
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=20V,
V
DS
=0
I
GSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
-
-
-
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V,
I
D
=0.13 A
漏源导通电阻
V
GS
=10V,
I
D
=0.17A
第2页
2002-12-10
1.0版
电气特性，
at
T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
动态特性
跨
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=50V,
V
GS
=10V,
I
D
=0.17A,
R
G
=6
V
DS
≥2*I
D
*R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=0.13A
V
GS
=0,
V
DS
=25V,
f=1MHz
BSS119
符号
条件
分钟。
0.08
-
-
-
-
-
-
-
值
典型值。
0.17
60
8.6
3.1
2.7
3.1
9.3
27
马克斯。
-
78
11.2
4.1
4
4.6
14
40
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
Q
gs
Q
gd
V
DD
=80V,
I
D
=0.17A
-
-
-
-
0.08
0.76
1.67
3.4
0.12
1.1
2.5
-
nC
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
Q
g
V
DD
=80V,
I
D
=0.17A,
V
GS
= 0至10V
V
（高原）
V
DD
=80V,
I
D
= 0.17 A
V
I
S
T
A
=25°C
-
-
-
-
0.8
21.7
10
0.17
0.68
1.2
32.5
15
A
INV 。二极管直流，脉冲
I
SM
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0,
I
F
=
I
S
V
R
=50V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt=100A/s
-
-
-
V
ns
nC
第3页
2002-12-10
1.0版
1功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
0.38
BSS119
BSS119
2漏极电流
I
D
=
f
(
T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
BSS119
0.18
W
A
0.32
0.14
0.28
P
合计
I
D
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
20
40
60
80
100
120
0.24
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
0
0
0.12
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
10
1
BSS119
4瞬态热阻抗
Z
thJA
=
f
(t
p
)
参数：
D
=
t
p
/T
10
3
BSS119
K / W
A
10
2
10
0
/
I
D
=
V
D
S
on
)
t
P = 240.0μs
Z
thJA
10
1
I
D
1毫秒
R
D
S(
10
-1
10毫秒
10
0
D = 0.50
0.20
10
-1
0.10
0.05
0.02
10
-2
10
-2
0.01
单脉冲
DC
10
-3 0
10
10
-3 -7
10
10
1
10
2
V
10
3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2002-12-10
1.0版
5典型。输出特性
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
0.34
BSS119
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
=
f
(I
D
)
参数：
T
j
= 25 °C,
V
GS
12
A
10V
7V
6V
0.28
5V
4.8V
4.6V
0.24
4V
3.8V
0.2
3.4V
0.16
10
R
DS （ ON）
9
8
7
6
5
3.4V
3.8V
4V
4.6V
4.8V
5V
6V
7V
10V
I
D
0.12
0.08
0.04
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
V
V
DS
3
0
0
0.04 0.08 0.12 0.16
0.2
0.24 0.28
A
0.34
I
D
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
= 25 °C
0.34
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
)
参数：
T
j
= 25 °C
0.3
A
0.28
0.24
S
0.24
0.22
g
fs
0.8
1.6
2.4
3.2
4.4
V
V
GS
0.2
0.18
0.16
I
D
0.2
0.16
0.14
0.12
0.12
0.08
0.04
0
0
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
0
0
0.04 0.08 0.12 0.16
0.2
0.24 0.28
A
0.34
I
D
第5页
2002-12-10
BSS 119
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
V
GS （ TH）
= 1.6 ...2.6 V
销1
G
销2
S
3脚
D
TYPE
BSS 119
TYPE
BSS 119
V
DS
100 V
I
D
0.17 A
R
DS （ ON）
6
包
SOT-23
记号
SSH
订购代码
Q67000-S007
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
100
100
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
V
gs
I
D
R
GS
= 20 k
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
连续漏电流
±
14
±
20
A
0.17
T
A
= 28 °C
直流漏电流，脉冲
I
Dpuls
0.68
T
A
= 25 °C
功耗
P
合计
0.36
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
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BSS 119
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
1）包安装在铝
15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
350
≤
285
E
55 / 150 / 56
单位
°C
K / W
T
j
T
英镑
R
thJA
Therminal电阻，芯片底物反面
1)
R
thJSR
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
-
2
-
2.6
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.6
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
0.1
2
10
4
6
1
60
A
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
-
6
10
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.17 A
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 0.17 A
半导体集团
2
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BSS 119
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.1
0.2
70
10
4
-
S
pF
-
95
15
6
ns
-
4
6
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.17 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
5
8
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
12
16
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
12
16
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.28 A
R
GS
= 50
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3
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BSS 119
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
0.85
0.17
0.68
V
-
1.3
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.34 A,
T
j
= 25 °C
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BSS 119
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
0.18
A
0.40
W
P
合计
0.32
0.28
I
D
0.14
0.12
0.24
0.10
0.20
0.08
0.16
0.12
0.08
0.04
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0.06
0.04
0.02
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
=25°C
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
=
(T
j
)
120
V
116
114
V
（ BR ） DSS
112
110
108
106
104
102
100
98
96
94
92
90
-60
-20
20
60
100
°C
160
T
j
半导体集团
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