BSR58LT1
FS ，远期转移导纳（毫姆欧）
20
J112
10
J111
10
7.0
5.0
T
通道
= 25°C
V
DS
= 15 V
C，电容（pF ）
J113
7.0
5.0
C
gd
C
gs
15
3.0
2.0
0.5 0.7
3.0
2.0
1.5
T
通道
= 25°C
(C
ds
是可忽略的）
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.03 0.05 0.1
0.3 0.5
1.0
3.0 5.0
V
R
，反向电压（伏）
10
30
图6.典型正向转移导纳
图7.典型电容
200
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
I
DSS
= 10
160毫安
25
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
70
40
20
50
80
110
T
通道
，路温度（ ℃）
10
140
170
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0
120
80
T
通道
= 25°C
40
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
V
GS
，栅源电压（伏）
7.0
8.0
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
图9.影响温度对
漏源导通电阻
100
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
9.0
8.0
VGS ，栅源电压（伏）
T
通道
= 25°C
10
注2
在零栅极电压漏极电流（I
DSS
），是原理
行列式的其他的J- FET特性。图10示出了
门源关闭电压（V的关系
GS （ OFF ）
和漏极 -
源导通电阻（R
DS （ ON）
）到我
DSS
。大部分设备将
以内
±10%
在图10所示的值的该数据将
是有用的预测的特性离散为一个给定的
产品型号。
例如：
未知
r
DS （ ON）
和V
GS
范围为J112
电气特性表显示的J112拥有
我的
DSS
范围为25 75毫安。图10 ，显示为R
DS （ ON）
= 52
W
对于我
DSS
= 25 mA和30
W
对于我
DSS
= 75 mA的电流。
相应的V
GS
值是2.2 V和4.8 V.
r
DS （ ON）
@ V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
I
DSS
，零栅电压漏极电流（毫安）
我图10.影响
DSS
在漏源
电阻与栅源电压
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3
BSR58LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
ISSUE AL
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了，新
标准318-08 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
H
E
民
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.35
2.10
MILLIMETERS
喃
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.54
0.69
2.40
2.64
民
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.014
0.083
英寸
喃
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.021
0.094
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.029
0.104
D
3
1
2
E
H
E
e
A
b
A1
L
C
风格10 ：
PIN 1.排放
2.源
3.门
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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和
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