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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

BSR50 ; BSR51 ; BSR52

NPN达林顿晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年5月12日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

特点

大电流（最大1 A）

低电压（最大80 V）

集成的二极管和电阻。

应用

工业用高增益放大。

手册， halfpage

BSR50 ; BSR51 ; BSR52

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

描述

2

1

描述

NPN达林顿晶体管采用TO -92 ; SOT54塑料

封装。 PNP补充： BSR60 ， BSR61和BSR62 。

1

2

3

MAM307

3

Fig.1

简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）

和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BSR50

BSR51

BSR52

V

CES

集电极 - 发射极电压

BSR50

BSR51

BSR52

I

C

P

合计

h

FE

f

T

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 150毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

V

BE

= 0

1000

2000

200

45

60

80

1

0.83

兆赫

V

V

V

A

W

条件

发射极开路

60

80

90

V

V

V

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1997年5月12日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BSR50

BSR51

BSR52

V

CES

集电极 - 发射极电压

BSR50

BSR51

BSR52

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

V

BE

= 0

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BSR50 ; BSR51 ; BSR52

分钟。

65

65

马克斯。

60

80

90

45

60

80

5

1

2

100

0.83

+150

150

+150

V

V

V

V

V

V

V

A

A

单位

mA

W

°C

°C

°C

价值

150

单位

K / W

1997年5月12日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CES

BSR50

BSR51

BSR52

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

参数

集电极截止电流

V

BE

= 0; V

CE

= 45 V

V

BE

= 0; V

CE

= 60 V

V

BE

= 0; V

CE

= 80 V

I

C

= 0; V

EB

= 4 V

V

CE

= 10 V ;见图2

I

C

= 150毫安

I

C

= 500毫安

V

CESAT

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和电压I

C

= 0.5 A;我

B

- 0.5毫安

集电极 - 发射极饱和电压

BSR51

BSR50 ; BSR52

V

BESAT

V

BESAT

基射极饱和电压

基射极饱和电压

BSR51

BSR50 ; BSR52

f

T

t

on

t

关闭

跃迁频率

I

C

= 1 ;我

B

= 1毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 4毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 1毫安

I

C

= 1 ;我

B

= 4毫安

I

C

= 0.5 A;我

B

- 0.5毫安

条件

BSR50 ; BSR51 ; BSR52

分钟。

1000

2000

典型值。

200

马克斯。

50

50

50

50

1.3

1.6

1.6

1.9

2.2

2.2

单位

nA

nA

nA

nA

V

V

V

V

V

V

兆赫

I

C

= 500毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 500毫安;我

BON

= 0.5毫安;

I

B关

=

0.5

mA

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

看科幻G.3

开启时间

打开-O FF时间

500

1300

ns

ns

1997年5月12日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

BSR50 ; BSR51 ; BSR52

手册，全页宽

5000

MGD838

的hFE

4000

3000

2000

1000

0

10

1

1

10

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

= 10 V.

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 10 V ; T = 200

s;

t

p

= 6

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 10 kΩ的;

B

= 10 kΩ的;

C

= 18

.

V

BB

=

1.8

V; V

CC

= 10.7 V.

示波器：输入阻抗Z

i

= 50

.

图3测试电路的开关时间。

1997年5月12日

5

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