SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
7
互补类型 - BSR40 - BSR30
BSR42 - BSR32
PARTMARKING详细信息 -
BSR40 - AR1
BSR42 - AR3
BSR40
BSR42
C
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
BSR40
70
60
5
2
1
100
1
-65到+150
BSR42
90
80
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
BSR40
击穿电压BSR42
集电极 - 发射极
BSR40
击穿电压BSR42
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
静态前进
电流传输比
集电极电容
发射Capacitence
跃迁频率
开启时间
打开-O FF时间
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
10
40
30
分钟。
70
90
60
80
5
100
50
0.25
0.5
1.0
1.2
120
12
90
100
250
1000
pF
pF
兆赫
ns
ns
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
nA
A
V
V
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=100A
I
C
=10mA
I
C
=10mA
I
E
=10A
V
CB
=60V
V
CB
= 60V ，T
AMB
=125°C
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 100μA ，V
CE
=5V
I
C
= 100mA时V
CE
=5V
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
F = 35MHz时
V
CC
= 20V ，我
C
=100mA
I
B1
=-I
B2
=-5mA
C
c
C
e
f
T
T
on
T
关闭
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT493数据表。
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