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分立半导体
数据表
OOK ， halfpage
M3D088
BSR20 ; BSR20A
PNP型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年04月21
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大150V） 。
应用
通用开关和放大
电话应用。
手册， halfpage
BSR20 ; BSR20A
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
描述
在SOT23塑料包装PNP高压晶体管。
NPN补充： BSR19和BSR19A 。
记号
类型编号
BSR20
BSR20A
标识代码
T35
T36
顶视图
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BSR20
BSR20A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR20
BSR20A
I
CM
P
合计
h
FE
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
BSR20
BSR20A
f
T
跃迁频率
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的
T
AMB
≤
25
°C
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
40
60
100
180
240
兆赫
开基
120
150
600
250
V
V
mA
mW
发射极开路
130
160
V
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年04月21
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSR20
BSR20A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSR20
BSR20A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
集电极开路
开基
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BSR20 ; BSR20A
分钟。
马克斯。
130
160
120
150
5
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
500
单位
K / W
1997年04月21
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
BSR20
I
CBO
集电极截止电流
BSR20A
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BSR20
BSR20A
h
FE
直流电流增益
BSR20
BSR20A
h
FE
直流电流增益
BSR20
BSR20A
V
CESAT
C
c
f
T
集电极 - 发射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
BSR20
BSR20A
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
I
E
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
5
V
40
50
100
100
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V
40
60
I
E
= 0; V
CB
=
120
V
I
E
= 0; V
CB
=
120
V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
5
V
30
50
I
E
= 0; V
CB
=
100
V
I
E
= 0; V
CB
=
100
V ;牛逼
AMB
= 100
°C
条件
BSR20 ; BSR20A
分钟。
马克斯。
100
100
50
50
50
180
240
200
500
6
400
300
单位
nA
A
nA
A
nA
mV
mV
pF
兆赫
兆赫
1997年04月21
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP型高压晶体管
BSR20 ; BSR20A
手册，全页宽
200
MGD813
的hFE
150
VCE =
5
V
100
50
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
1997年04月21
5
SMD型
PNP型高压晶体管
BSR20,BSR20A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大150V） 。
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR20
BSR20A
集电极 - 发射极电压
BSR20
BSR20A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗*
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-130
-160
-120
-150
-5
-300
-600
-100
250
-65到+150
150
-65到+150
500
K / W
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
BSR20,BSR20A
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
BSR20
符号
I
CBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -100 V
I
E
= 0; V
CB
= -100 V ;牛逼
AMB
= 100
收藏家Cuto FF电流
BSR20A
I
CBO
I
EBO
BSR20
BSR20A
直流电流增益
BSR20
BSR20A
直流电流增益
BSR20
BSR20A
基射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
BSR20
BSR20A
V
CESAT
C
c
f
T
I
C
= -10毫安;我
B
= -1毫安
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
h
FE
I
C
= -50毫安; V
CE
= -5 V
h
FE
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5 V
h
FE
I
E
= 0; V
CB
= -120 V
I
E
= 0; V
CB
= -120 V ;牛逼
AMB
= 100
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
C
= 0; V
EB
= -4 V
I
C
= -1毫安; V
CE
= -5 V
30
50
40
60
40
50
晶体管
民
典型值
最大
-100
-100
-50
-50
-50
单位
nA
ìA
nA
ìA
nA
180
240
-200
-500
6
100
100
400
300
mV
mV
pF
兆赫
兆赫
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR20
T35
BSR20A
T36
2
www.kexin.com.cn
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BSR20,BSR20A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
+0.1
2.4
-0.1
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大150V） 。
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BSR20
BSR20A
集电极 - 发射极电压
BSR20
BSR20A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗*
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-130
-160
-120
-150
-5
-300
-600
-100
250
-65到+150
150
-65到+150
500
K / W
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
BSR20,BSR20A
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
BSR20
符号
I
CBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -100 V
I
E
= 0; V
CB
= -100 V ;牛逼
AMB
= 100
收藏家Cuto FF电流
BSR20A
I
CBO
I
EBO
BSR20
BSR20A
直流电流增益
BSR20
BSR20A
直流电流增益
BSR20
BSR20A
基射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
BSR20
BSR20A
V
CESAT
C
c
f
T
I
C
= -10毫安;我
B
= -1毫安
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
100
100
h
FE
I
C
= -50毫安; V
CE
= -5 V
h
FE
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5 V
h
FE
I
E
= 0; V
CB
= -120 V
I
E
= 0; V
CB
= -120 V ;牛逼
AMB
= 100
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
C
= 0; V
EB
= -4 V
I
C
= -1毫安; V
CE
= -5 V
30
50
40
60
40
50
-200
-500
6
400
300
mV
mV
pF
兆赫
兆赫
180
240
民
典型值
最大
-100
-100
-50
-50
-50
单位
nA
ìA
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
BSR20
T35
BSR20A
T36
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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BCN102ABI180J7
B84113H0000B116
BL-B5131J
BUL89_01
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    BSR20A
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SOT-23
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