【BSR17ABSR17ACESOT-23马克： U92BNPN通用放大器本设备被设计为通用放大器和开】,IC型号BSR17,BSR17 PDF资料,BSR17经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSR17A

C

E

SOT-23

马克： U92

B

NPN通用放大器

本设备被设计为通用放大器和开关。

的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并

100MHz的作为放大器。从工艺23采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

40

60

6.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

3

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

最大

*BSR17A

350

2.8

357

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

*

设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。

1997

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CEX

I

BEX

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

反向基极电流

I

C

= 10

A,

I

B

= 0

I

C

= 1.0毫安，我

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 30 V ，T

A

= 150°C

V

CE

= 30 V, V

EB

= 3.0 V

V

CE

= 30 V, V

EB

= 3.0 V

60

40

6.0

5.0

50

V

A

nA

基本特征

h

FE

直流电流增益

I

C

= 0.1毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

40

70

100

60

30

300

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压*

0.65

0.2

0.3

0.85

0.95

V

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

fe

h

oe

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

输入阻抗

小信号电流增益

输出导纳

I

C

能力= 20 mA ，V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CB

= 5.0 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

1.0

100

1.0

300

4.0

8.0

10

400

40

S

兆赫

pF

k

开关特性

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 10 mA时，我

B

on

= I

B

关闭

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B1

= 1.0毫安，

V

EB

= 0.5 V

35

200

50

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0 %

SPICE模型

NPN （ IS = 6.734f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 416.4 NE = 1.259伊势= 6.734 IKF = 66.78米XTB = 1.5 BR = 0.7371 NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 3.638p建超= 0.3085 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.493p MJE = 0.2593 VJE = 0.75 Tr的= 239.5n铁蛋白= 301.2p

ITF = 0.4 VTF = 4 XTF = 2的Rb = 10 ）

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

500

400

125 °C

V

CE

= 5V

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

- 40 °C

0.05

- 40 °C

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

3

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

500

电容（pF）

10

电容VS

反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

100

10

1

0.1

V

CB

= 30V

5

4

3

2

敖包

IBO

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

1

0.1

1

10

反向偏置电压（V）的

100

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

噪声系数与频率

12

NF - 噪声系数（dB ）

10

8

6

4

2

0

0.1

I C = 100

A,

R 5 = 500

噪声系数VS源电阻

12

NF - 噪声系数（dB ）

I C = 1.0毫安

R 5 = 200Ω

I C = 50

A

R 5 = 1.0千欧

I C = 0.5毫安

R 5 = 200Ω

V

CE

= 5.0V

10

I C = 5.0毫安

8

6

4

2

0

0.1

I C = 50

A

I C = 100

A

1

10

的F - 频率（KHz ）

100

1

10

R

S

- 源极电阻值（kΩ ）

100

电流增益和相位角

与频率

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

h

fe

P

D

- 功耗（MW ）

功耗与

环境温度

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

1000

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

- 电流增益（分贝）

θ

- 学位

SOT-23

θ

h

V

CE

= 40V

I

C

= 10毫安

1

10

100

的F - 频率（MHz）

fe

导通时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

40V

时间（纳秒）

100

15V

t

r @

V

CC

= 3.0V

2.0V

10

t

d @

V

CB

= 0V

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

I

c

10

上升时间与集电极电流

500

V

CC

= 40V

t

r

- 上升时间（ NS ）

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

100

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

贮藏时间与集电极电流

500

t

S

- 存储时间（纳秒）

T

J

= 25°C

秋季时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

t

f

- 下降时间（ NS ）

T

J

= 125°C

I

c

10

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

V

CC

= 40V

100

T

J

= 125°C

100

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

测试电路

3.0 V

300纳秒

10.6 V

占空比

=

2%

0

- 0.5 V

＆ LT ;

1.0纳秒

10 K

275

3

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

图1 ：延迟和上升时间等效测试电路

3.0 V

10

＆ LT ;

t

1

＆ LT ;

500

s

t

1

10.9 V

275

占空比

=

2%

0

10 K

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

- 9.1 V

＆ LT ;

1.0纳秒

1N916

图2 ：存储和下降时间等效测试电路

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BSR17A

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年6月2日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大40 V）。

应用

开关和线性放大。

描述

NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： BSR18A 。

1

手册， halfpage

BSR17A

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

记号

类型编号

BSR17A

标识代码

U92

顶视图

1

2

MAM255

2

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

合计

h

FE

f

T

t

关闭

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

打开-O FF时间

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 10毫安; V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;我

B关

=

1

mA

发射极开路

开基

条件

100

300

分钟。

马克斯。

60

40

100

250

300

240

兆赫

ns

V

mA

mW

单位

1997年6月2日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

BSR17A

马克斯。

60

40

6

100

200

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

500

单位

K / W

1997年6月2日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 6 V

V

CE

= 1V ;注意1 ;见图2

I

C

- 0.1毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

V

CESAT

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安;注1

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安;注1

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的

I

C

= 100

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 1 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

60

80

100

60

30

650

300

分钟。

BSR17A

马克斯。

50

5

50

300

200

850

950

4

8

5

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

dB

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

看科幻G.3

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;我

B关

=

1

mA

65

35

240

200

50

ns

1997年6月2日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

BSR17A

MGD834

手册，全页宽

160

的hFE

120

80

40

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

= 1 V.

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 5 V ; T = 500

s;

t

p

= 10

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 2.5 kΩ的;

B

= 3.9 kΩ的;

C

= 270

.

V

BB

=

1.9

V; V

CC

= 3 V.

示波器的输入阻抗Z

i

= 50

.

图3测试电路的开关时间。

1997年6月2日

5

BSR17A

C

E

SOT-23

马克： U92

B

NPN通用放大器

本设备被设计为通用放大器和开关。

的有用动态范围扩展为100 mA作为开关，并

100MHz的作为放大器。从工艺23采购。

绝对最大额定值*

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

T

J

, T

英镑

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

TA = 25° C除非另有说明

参数

价值

40

60

6.0

200

-55到+150

单位

V

mA

°C

3

工作和存储结温范围

*

这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。

注意事项：

1)

这些评级是基于150度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。

热特性

符号

P

D

R

θJA

TA = 25° C除非另有说明

特征

器件总功耗

减免上述25℃

热阻，结到环境

最大

*BSR17A

350

2.8

357

单位

mW

毫瓦/°C的

° C / W

*

设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。

1997

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

电气特性

符号

参数

TA = 25° C除非另有说明

测试条件

民

最大

单位

开关特性

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

CEX

I

BEX

集电极 - 发射极击穿

电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

反向基极电流

I

C

= 10

A,

I

B

= 0

I

C

= 1.0毫安，我

E

= 0

I

E

= 10

A,

I

C

= 0

V

CB

= 30 V ，T

A

= 150°C

V

CE

= 30 V, V

EB

= 3.0 V

V

CE

= 30 V, V

EB

= 3.0 V

60

40

6.0

5.0

50

V

A

nA

基本特征

h

FE

直流电流增益

I

C

= 0.1毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 1.0毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1.0 V

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1.0毫安

I

C

= 50 mA时，我

B

= 5.0毫安

40

70

100

60

30

300

V

CE（

SAT

)

V

BE （

SAT

)

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压*

0.65

0.2

0.3

0.85

0.95

V

小信号特性

f

T

C

cb

C

eb

h

ie

h

fe

h

oe

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

输入阻抗

小信号电流增益

输出导纳

I

C

能力= 20 mA ，V

CE

= 20 V,

F = 100 MHz的

V

CB

= 5.0 V，I

E

= 0中，f = 1.0兆赫

V

EB

= 0.5 V，I

C

= 0中，f = 1.0兆赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

V

CE

= 10 V，I

C

= 1.0毫安， F = 1.0千赫

1.0

100

1.0

300

4.0

8.0

10

400

40

S

兆赫

pF

k

开关特性

t

d

t

r

t

s

t

f

延迟时间

上升时间

贮存时间

下降时间

I

C

= 10 mA时，我

B

on

= I

B

关闭

= 1.0毫安

I

C

= 10 mA时，我

B1

= 1.0毫安，

V

EB

= 0.5 V

35

200

50

ns

*

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0 %

SPICE模型

NPN （ IS = 6.734f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 74.03 BF = 416.4 NE = 1.259伊势= 6.734 IKF = 66.78米XTB = 1.5 BR = 0.7371 NC = 2

ISC = 0 Ikr的= 0 RC = 1 CJC = 3.638p建超= 0.3085 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 4.493p MJE = 0.2593 VJE = 0.75 Tr的= 239.5n铁蛋白= 301.2p

ITF = 0.4 VTF = 4 XTF = 2的Rb = 10 ）

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

500

400

125 °C

V

CE

= 5V

V

CESAT

- 集电极 - 发射极电压（ V）

h

FE

- 典型ICAL脉冲CURRE NT GAIN

典型的脉冲电流增益

VS集电极电流

集电极 - 发射极饱和

电压Vs集电极电流

0.15

β

= 10

125 °C

300

25 °C

0.1

25 °C

200

100

0

0.1

- 40 °C

0.05

- 40 °C

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

V

-

BE（上）

基极发射极电压（ V）

V

BESAT

- 基极发射极电压（V）的

基射极饱和

电压Vs集电极电流

1

β

= 10

基射极电压ON VS

集电极电流

1

V

CE

= 5V

0.8

- 40 °C

25 °C

0.8

- 40 °C

25 °C

3

125 °C

0.6

125 °C

0.4

0.1

I

C

1

10

- 集电极电流（毫安）

100

0.2

0.1

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

集电极截止电流

VS环境温度

I

CBO

- 集电极电流（ NA）

500

电容（pF）

10

电容VS

反向偏置电压

F = 1.0 MHz的

100

10

1

0.1

V

CB

= 30V

5

4

3

2

敖包

IBO

25

50

75

100

125

T

A

- 环境温度（

°

C)

150

1

0.1

1

10

反向偏置电压（V）的

100

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

噪声系数与频率

12

NF - 噪声系数（dB ）

10

8

6

4

2

0

0.1

I C = 100

A,

R 5 = 500

噪声系数VS源电阻

12

NF - 噪声系数（dB ）

I C = 1.0毫安

R 5 = 200Ω

I C = 50

A

R 5 = 1.0千欧

I C = 0.5毫安

R 5 = 200Ω

V

CE

= 5.0V

10

I C = 5.0毫安

8

6

4

2

0

0.1

I C = 50

A

I C = 100

A

1

10

的F - 频率（KHz ）

100

1

10

R

S

- 源极电阻值（kΩ ）

100

电流增益和相位角

与频率

50

45

40

35

30

25

20

15

10

5

0

h

fe

P

D

- 功耗（MW ）

功耗与

环境温度

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

1000

350

300

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

温度（

o

C)

125

150

- 电流增益（分贝）

θ

- 学位

SOT-23

θ

h

V

CE

= 40V

I

C

= 10毫安

1

10

100

的F - 频率（MHz）

fe

导通时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

40V

时间（纳秒）

100

15V

t

r @

V

CC

= 3.0V

2.0V

10

t

d @

V

CB

= 0V

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

I

c

10

上升时间与集电极电流

500

V

CC

= 40V

t

r

- 上升时间（ NS ）

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

100

T

J

= 125°C

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

BSR17A

NPN通用放大器

（续）

典型特征

（续）

贮藏时间与集电极电流

500

t

S

- 存储时间（纳秒）

T

J

= 25°C

秋季时间与集电极电流

500

I

B1

= I

B2

=

t

f

- 下降时间（ NS ）

T

J

= 125°C

I

c

10

I

B1

= I

B2

=

I

c

10

V

CC

= 40V

100

T

J

= 125°C

100

T

J

= 25°C

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

10

5

1

10

I

C

- 集电极电流（毫安）

100

测试电路

3.0 V

300纳秒

10.6 V

占空比

=

2%

0

- 0.5 V

＆ LT ;

1.0纳秒

10 K

275

3

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

图1 ：延迟和上升时间等效测试电路

3.0 V

10

＆ LT ;

t

1

＆ LT ;

500

s

t

1

10.9 V

275

占空比

=

2%

0

10 K

C

1

＆ LT ;

4.0 pF的

- 9.1 V

＆ LT ;

1.0纳秒

1N916

图2 ：存储和下降时间等效测试电路

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BSR17A

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年6月2日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大40 V）。

应用

开关和线性放大。

描述

NPN开关晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： BSR18A 。

1

手册， halfpage

BSR17A

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

记号

类型编号

BSR17A

标识代码

U92

顶视图

1

2

MAM255

2

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

合计

h

FE

f

T

t

关闭

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

跃迁频率

打开-O FF时间

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 10毫安; V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;我

B关

=

1

mA

发射极开路

开基

条件

100

300

分钟。

马克斯。

60

40

100

250

300

240

兆赫

ns

V

mA

mW

单位

1997年6月2日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

BSR17A

马克斯。

60

40

6

100

200

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

500

单位

K / W

1997年6月2日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

E

= 0; V

CB

= 30 V

I

E

= 0; V

CB

= 30 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 6 V

V

CE

= 1V ;注意1 ;见图2

I

C

- 0.1毫安

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 50毫安

I

C

= 100毫安

V

CESAT

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安;注1

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

C

= 10毫安;我

B

= 1毫安;注1

I

C

= 50毫安;我

B

= 5毫安;注1

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 5 V ; F = 1 MHz的

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 20V; F = 100 MHz的

I

C

= 100

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 1 k;

F = 10 Hz至15.7千赫

60

80

100

60

30

650

300

分钟。

BSR17A

马克斯。

50

5

50

300

200

850

950

4

8

5

单位

nA

A

nA

mV

pF

兆赫

dB

（ 10％至90％的水平）的切换时间;

看科幻G.3

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;我

B关

=

1

mA

65

35

240

200

50

ns

1997年6月2日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

BSR17A

MGD834

手册，全页宽

160

的hFE

120

80

40

0

10

2

10

1

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

= 1 V.

图2直流电流增益;典型值。

手册，全页宽

VBB

VCC

RB

示波器

Vi

R1

（探头）

450

R2

RC

Vo

（探头）

450

DUT

示波器

MLB826

V

i

= 5 V ; T = 500

s;

t

p

= 10

s;

t

r

= t

f

≤

3纳秒。

R1 = 56

;

R2 = 2.5 kΩ的;

B

= 3.9 kΩ的;

C

= 270

.

V

BB

=

1.9

V; V

CC

= 3 V.

示波器的输入阻抗Z

i

= 50

.

图3测试电路的开关时间。

1997年6月2日

5