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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第661页 > BSP62
BSP60-BSP62
PNP硅达林顿晶体管
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BSP50 ... BSP52 （NPN）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
4
2
1
3
TYPE
BSP60
BSP61
BSP62
最大额定值
参数
记号
BSP60
BSP61
BSP62
1=B
1=B
1=B
2=C
2=C
2=C
引脚配置
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
-
-
-
-
-
-
包
SOT223
SOT223
SOT223
符号
V
首席执行官
价值
45
60
80
单位
V
集电极 - 发射极电压
BSP60
BSP61
BSP62
集电极 - 基极电压
BSP60
BSP61
BSP62
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功率dissipation-
T
S
≤
124 °C
结温
储存温度
1
含有铅，
V
CBO
60
80
90
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
5
1
2
100
1.5
150
-65 ... 150
mA
W
°C
A
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-26
BSP60-BSP62
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
符号
R
thjs
价值
≤
17
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BSP60
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BSP61
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BCP62
V
（ BR ） CEO
单位
马克斯。
V
典型值。
45
60
80
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BSP60
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BSP61
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BSP62
60
80
90
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
A
A
-
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A,
I
C
= 0
5
-
-
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
=
V
CE0max
,
V
BE
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
2)
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
1000
2000
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
V
1.3
1.8
1.9
2.2
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 0.55毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
-
-
V
BESAT
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
1
为
f
T
-
200
-
兆赫
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
脉冲
2
2007-04-26
BSP60-BSP62
开关时间测试电路
开关时间波形
0V
10%
90%
V
in
10%
V
OUT
-
V
CC
10%
t
d
t
r
t
on
t
s
t
关闭
t
f
EHN00068
90%
90%
3
2007-04-26
BSP60-BSP62
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 10 V
10
5
h
FE
5
BSP 60 ... 62
EHP00667
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
I
B
=参数
10
3
BSP 60 ... 62
EHP00669
Ι
C
mA
5
10
4
5
10
2
4毫安
Ι
B
- 0.5毫安
10
3
5
5
10
2
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
10
1
0
1
V
V
CE坐
2
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
I
B
=参数
10
3
BSP 60 ... 62
EHP00670
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
10
3
兆赫
f
T
5
BSP 60 ... 62
EHP00668
Ι
C
mA
5
Ι
B
- 0.5毫安
4毫安
10
2
10
2
5
5
10
1
0
1
2
V
V
BE坐
3
10
1
10
1
5
10
2
mA
10
3
Ι
C
4
2007-04-26
BSP60-BSP62
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
22
pF
CEB
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
1650
mW
1350
1200
C
CB
(C
EB
)
18
16
P
合计
建行
1050
900
14
12
750
10
600
8
6
4
2
0
450
300
150
4
8
12
16
V
22
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
V
CB
(V
EB
)
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
BSP 60 ... 62
EHP00273
外部电阻
R
BE
=
(T
A
)**
V
CB
=
V
CEmax
**
R
BEmax
f
或热稳定性
10
7
R
BE
T
BSP 60 ... 62
EHP00666
t
p
D
=
T
t
p
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
6
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
5
0
50
100
C
T
A
150
5
2007-04-26
分立半导体
数据表
手册， halfpage
M3D087
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
PNP达林顿晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据04月22日
1999年04月29日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业开关应用中，例如：
- 打印锤
- 电磁阀
- 继电器和灯驱动器。
描述
PNP达林顿晶体管在一个塑料SOT223封装。
NPN补充： BSP50 ， BSP51和BSP52 。
1
顶视图
2
4
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
钉扎
针
1
2,4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2, 4
1
3
MAM266
3
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSP60
BSP61
BSP62
V
CES
集电极 - 发射极电压
BSP60
BSP61
BSP62
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在总则部分对相关的SOT223
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
0.5
1.5
100
1.25
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
60
80
90
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月29日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
条件
注1
价值
98
17
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在总则部分对相关的SOT223
手册“ 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
BSP60
BSP61
BSP62
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
V
BE
= 0; V
CE
=
45
V
V
BE
= 0; V
CE
=
60
V
V
BE
= 0; V
CE
=
80
V
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
V
CE
=
10
V ;注意1 ;见图2
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
毫安;
T
j
= 150
°C
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
CON
=
500
毫安;我
BON
=
0.5
毫安;
I
B关
- 0.5毫安
1000
2000
200
1.3
1.3
1.9
V
V
V
兆赫
50
50
50
50
nA
nA
nA
nA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
BESAT
f
T
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
看科幻G.3
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
打开-O FF时间
400
1500
ns
ns
1999年04月29日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
手册，全页宽
6000
MGD839
的hFE
5000
4000
3000
2000
1000
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
=
10
V.
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
10
V ; T = 200
s;
t
p
= 6
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
;
R2 = 10 kΩ的;
B
= 10 kΩ的;
C
= 18
.
V
BB
= 1.8 V; V
CC
=
10.7
V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
1999年04月29日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP达林顿晶体管
包装外形
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
96-11-11
97-02-28
1999年04月29日
5
分立半导体
数据表
手册， halfpage
M3D087
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
PNP达林顿晶体管
产品数据表
取代1999年的数据04月29日
2001年5月31日
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
特点
大电流（最大0.5 A ）
低电压（最大80 V）
集成的二极管和电阻。
应用
工业开关应用中，例如：
- 打印锤
- 电磁阀
- 继电器和灯驱动器。
描述
PNP达林顿晶体管在一个塑料SOT223封装。
NPN补充： BSP50 ， BSP51和BSP52 。
1
顶视图
2
4
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
2, 4
1
3
MAM266
3
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BSP60
BSP61
BSP62
V
CES
集电极 - 发射极电压
BSP60
BSP61
BSP62
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在总则部分对相关的SOT223
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
V
BE
= 0
65
65
45
60
80
5
1
2
100
1.25
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
60
80
90
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
2001年5月31日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻到焊点
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
条件
注1
价值
98
17
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑在总则部分对相关的SOT223
手册“ 。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
参数
集电极截止电流
BSP60
BSP61
BSP62
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
V
BE
= 0; V
CE
=
45
V
V
BE
= 0; V
CE
=
60
V
V
BE
= 0; V
CE
=
80
V
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
V
CE
=
10
V ;注意1 ;见图2
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
毫安;
T
j
= 150
°C
I
C
=
500
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
CON
=
500
毫安;我
BON
=
0.5
毫安;
I
B关
- 0.5毫安
1 000
2 000
200
1.3
1.3
1.9
V
V
V
兆赫
50
50
50
50
nA
nA
nA
nA
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
BESAT
f
T
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
看科幻G.3
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
开启时间
打开-O FF时间
400
1 500
ns
ns
2001年5月31日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
手册，全页宽
6000
MGD839
的hFE
5000
4000
3000
2000
1000
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
=
10
V.
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
Ω
R2
RC
Vo
（探头）
450
Ω
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
10
V ; T = 200
μs;
t
p
= 6
μs;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
Ω;
R2 = 10 kΩ的;
B
= 10 kΩ的;
C
= 18
Ω.
V
BB
= 1.8 V; V
CC
=
10.7
V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
Ω.
图3测试电路的开关时间。
2001年5月31日
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP达林顿晶体管
包装外形
BSP60 ; BSP61 ; BSP62
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 4引线
SOT223
D
B
E
A
X
c
y
H
E
b
1
v
M
A
4
Q
A
A
1
1
e
1
e
2
b
p
3
w
M
B
细节X
L
p
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.8
1.5
A
1
0.10
0.01
b
p
0.80
0.60
b
1
3.1
2.9
c
0.32
0.22
D
6.7
6.3
E
3.7
3.3
e
4.6
e
1
2.3
H
E
7.3
6.7
L
p
1.1
0.7
Q
0.95
0.85
v
0.2
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT223
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-73
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
99-09-13
2001年5月31日
5
BSP60 ... BSP62
PNP硅达林顿晶体管
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BSP50 ... BSP52 （NPN）
4
TYPE
BSP60
BSP61
BSP62
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗，
T
S
= 124 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs



3
2
1
VPS05163
记号
BSP 60
BSP 61
BSP 62
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
包
SOT223
SOT223
SOT223
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
BSP60
45
60
5
BSP61
60
80
5
1
2
100
1.5
150
-65 ... 150
BSP62
80
90
5
单位
V
A
mA
W
°C

17
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
BSP60 ... BSP62
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非othertwise规定
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
45
60
80
-
-
-
-
-
-
BSP60
BSP61
BSP62
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
BSP60
BSP61
BSP62
60
80
90
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
EBO
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100 A,
I
C
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
=
V
CEOMAX
,
V
BE
= 0
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 500毫安，
I
B
= 0.55毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
5
-
-
1000
2000
V
CESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
V
1.3
1.8
1.9
2.2
-
-
V
BESAT
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
开启时间
I
C
= 500毫安，
I
B1
=
I
B2
- 0.5毫安
打开-O FF时间
I
C
= 500毫安，
I
B1
=
I
B2
- 0.5毫安
1 ）脉冲测试：吨
≤
300
S，D = 2 ％
f
T
t
（上）
t
（关闭）
-
-
-
200
400
1500
-
-
-
兆赫
ns
2
Nov-30-2001
BSP60 ... BSP62
开关时间测试电路
开关时间波形
0V
10%
90%
V
in
10%
V
OUT
-
V
CC
10%
t
d
t
r
t
on
t
s
t
关闭
t
f
EHN00068
90%
90%
1 ）脉冲测试：吨
≤
300
S，D = 2 ％
3
Nov-30-2001
BSP60 ... BSP62
总功耗
P
合计
=
F（T
S
)
外部电阻
R
BE
=
f
(T
A
)**
V
CB
=
V
CEmax
**
R
BEmax
热稳定性
1650
10
7
R
BE
5
BSP 60 ... 62
EHP00666
mW
1350
1200
P
合计
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
6
5
°C
150
T
S
10
5
0
50
100
C
T
A
150
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
P
TOT DC
BSP 60 ... 62
EHP00273
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10V
10
5
h
FE
T
BSP 60 ... 62
EHP00667
t
p
D
=
T
t
p
5
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
4
5
10
3
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
10
2
10
1
10
2
10
3
10毫安
4
Ι
C
4
Nov-30-2001
BSP60 ... BSP62
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
I
B
- 参数
10
3
BSP 60 ... 62
EHP00669
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
I
B
- 参数
10
3
BSP 60 ... 62
EHP00670
Ι
C
mA
5
Ι
C
mA
5
Ι
B
- 0.5毫安
4毫安
10
2
Ι
B
- 0.5毫安
4毫安
10
2
5
5
10
1
0
1
V
V
CE坐
2
10
1
0
1
2
V
V
BE坐
3
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10V,
f
= 100MHz的
10
3
兆赫
f
T
5
BSP 60 ... 62
EHP00668
10
2
5
10
1
10
1
5
10
2
mA
10
3
Ι
C
5
Nov-30-2001
PNP硅达林顿晶体管
BSP 60
BSP ... 62
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补型： BSP 50 ... 52 BSP （ NPN ）
TYPE
BSP 60
BSP 61
BSP 62
记号
BSP 60
BSP 61
BSP 62
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-P1166
Q62702-P1167
Q62702-P1168
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗，
T
S
= 124 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
72
≤
17
符号
V
CER
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
值
单位
BSP BSP 60 61 62 BSP
45
60
60
80
5
1
2
0.1
1.5
150
– 65 … + 150
W
C
A
80
90
V
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BSP 60
BSP ... 62
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
1)
I
C
= 10毫安，
R
BE
= 150
BSP 60
BSP 61
BSP 62
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
BSP 60
BSP 61
BSP 62
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
=
V
CERMAX
,
V
BE
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
2)
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
基射极饱和电压
2)
I
C
= 500毫安，
I
B
- 0.5毫安
I
C
= 1 A,
I
B
= 1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
开关时间
I
C
= 500毫安，
I
B1
=
I
B2
- 0.5毫安
（见图表）
f
T
–
200
–
兆赫
V
（ BR ） CER
45
60
80
V
(BR)CB0
60
80
90
V
(BR)EB0
I
CES
I
EB0
h
FE
1000
2000
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
1.9
2.2
–
–
1.3
1.8
–
–
–
–
V
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
10
10
–
A
值
典型值。
马克斯。
单位
V
–
–
–
–
–
–
t
on
t
关闭
–
–
400
1500
–
–
ns
ns
1)
2)
比较
R
BE
对于热稳定性。
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BSP 60
BSP ... 62
开关时间测试电路
开关时间波形
半导体集团
3
BSP 60
BSP ... 62
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
外部电阻
R
BE
=
f
(T
A
)**
V
CB
=
V
CE MAX
**
R
BE最大
热稳定性
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/
P
TOT DC
=
f
(t
p
)
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
4
BSP 60
BSP ... 62
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
),
I
B
-parameter
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
),
I
B
-parameter
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
半导体集团
5
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BP04YT
B41859A2158M00
B72540T0080L062
BU4848G-TR
BSP40
BX0023
BH16373BDL
BH31FB1WHFV
B550C
B57550G0503+
BC857BLT1G
BA7131F
BAT54V_1
BH123331F
B57234S400M
BM-20658MA
BDT41
BA2901SF
BD206
B43305C2128M000
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BSP62
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
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NXP
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进口原装现货
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