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NPN硅达林顿晶体管

BSP 50

BSP ... 52

q

高集电极电流

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补型： BSP 60 ... 62 BSP （ PNP ）

TYPE

BSP 50

BSP 51

BSP 52

记号

BSP 50

BSP 51

BSP 52

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-P1163

Q62702-P1164

Q62702-P1165

引脚配置

1

2

3

4

B

C

E

C

包

1)

SOT-223

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

= 124 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

72

≤

17

符号

V

CER

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

T

英镑

值

单位

BSP BSP 50 51 52 BSP

45

60

60

80

5

1

2

0.1

1.5

150

– 65 … + 150

W

C

A

80

100

V

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BSP 50

BSP ... 52

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

1)

I

C

= 10毫安

BSP 50

BSP 51

BSP 52

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100

A,

I

B

= 0

BSP 50

BSP 51

BSP 52

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 100

A,

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

=

V

CERMAX

,

V

BE

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益

2)

I

C

= 150毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 10 V

集电极 - 发射极饱和电压

2)

I

C

= 500毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 1 A,

I

B

= 1毫安

基射极饱和电压

2)

I

C

= 500毫安，

I

B

- 0.5毫安

I

C

= 1 A,

I

B

= 1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

开关时间

I

C

= 500毫安，

I

B1

=

I

B2

- 0.5毫安

（见图表）

f

T

–

200

–

兆赫

V

（ BR ） CER

45

60

80

V

(BR)CB0

60

80

100

V

(BR)EB0

I

CES

I

EB0

h

FE

1000

2000

V

CESAT

–

–

V

BESAT

–

–

–

–

1.9

2.2

–

–

1.3

1.8

–

–

–

–

V

5

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

10

10

–

A

值

典型值。

马克斯。

单位

V

–

–

–

–

–

–

t

on

t

关闭

–

–

400

1500

–

–

ns

ns

1)

2)

比较

R

BE

对于热稳定性。

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BSP 50

BSP ... 52

开关时间测试电路

开关时间波形

半导体集团

3

BSP 50

BSP ... 52

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

外部电阻

R

BE

=

f

(T

A

)**

V

CB

=

V

CE MAX

**

R

BE最大

热稳定性

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/

P

TOT DC

=

f

(t

p

)

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V

半导体集团

4

BSP 50

BSP ... 52

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CE坐

),

I

B

-parameter

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

),

I

B

-parameter

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

半导体集团

5

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