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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第869页 > BSP372
BSP372
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
额定雪崩
V
GS （ TH）
= 0.8 ...2.0 V
无铅镀铅;符合RoHS标准
符合AEC Q101标准
销1
G
销2
D
3脚
S
引脚4
D
TYPE
V
DS
100 V
I
D
1.7 A
R
DS （ ON）
0.31
磁带和卷轴信息
L6327 ：1000个/卷
记号
BSP372
包装
非干
BSP372
TYPE
BSP372
包
PG-SOT223
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
A
= 28 C
I
D
A
1.7
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 C
I
Dpuls
6.8
E
AS
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 1.7 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 23.3毫亨，
T
j
= 25 C
mJ
45
V
GS
V
gs
P
合计
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
T
A
= 25 C
±
14
±
20
V
W
1.8
修订版2.0
1
2008-03-31
BSP372
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
热阻，结焊接点
1)
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
70
≤
10
55 / 150 / 56
K / W
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 0 C
V
（ BR ） DSS
V
100
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
0.8
I
DSS
1.4
2
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
-
-
I
GSS
0.1
10
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 5 V,
I
D
= 1.7 A
-
0.24
0.31
修订版2.0
2
2008-03-31
BSP372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 1.7 A
g
fs
S
2
3.7
-
pF
-
415
520
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
80
100
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
50
65
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
r
20
30
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
D（关闭）
35
55
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
f
110
165
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
50
75
修订版2.0
3
2008-03-31
BSP372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
反向二极管
逆二极管连续正向电流
T
A
= 25 C
I
S
A
-
-
1.7
逆二极管直流，脉冲
T
A
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
6.8
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 1.7 A
-
t
rr
0.85
1.1
ns
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
Q
rr
65
-
C
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
0.11
-
修订版2.0
4
2008-03-31
BSP372
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
5 V
1.8
A
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
I
D
1.4
1.2
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
=25C
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
2
K / W
10
1
Z
thJA
10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
10
-2
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-4
10
-5
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
t
p
修订版2.0
5
2008-03-31
BSP 372
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
额定雪崩
V
GS （ TH）
= 0.8 ...2.0 V
销1
G
销2
D
3脚
S
引脚4
D
TYPE
V
DS
100 V
I
D
1.7 A
R
DS （ ON）
0.31
包
记号
BSP 372
TYPE
BSP 372
SOT-223
订购代码
Q 67000 - S300
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
A
= 28 C
I
D
A
1.7
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 C
I
Dpuls
6.8
E
AS
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 1.7 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 23.3毫亨，
T
j
= 25 C
mJ
45
V
GS
V
gs
P
合计
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
T
A
= 25 C
±
14
±
20
V
W
1.8
数据表
1
05.99
BSP 372
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
热阻，结焊接点
1)
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
70
≤
10
55 / 150 / 56
K / W
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 0 C
V
（ BR ） DSS
V
100
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
0.8
I
DSS
1.4
2
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
-
-
I
GSS
0.1
10
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 5 V,
I
D
= 1.7 A
-
0.24
0.31
数据表
2
05.99
BSP 372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 1.7 A
g
fs
S
2
3.7
-
pF
-
415
520
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
80
100
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
50
65
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
r
20
30
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
D（关闭）
35
55
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
t
f
110
165
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
G
= 50
-
50
75
数据表
3
05.99
BSP 372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
反向二极管
逆二极管连续正向电流
T
A
= 25 C
I
S
A
-
-
1.7
逆二极管直流，脉冲
T
A
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
6.8
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 1.7 A
-
t
rr
0.85
1.1
ns
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
Q
rr
65
-
C
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
0.11
-
数据表
4
05.99
BSP 372
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
5 V
1.8
A
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
I
D
1.4
1.2
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
=25C
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
2
K / W
10
1
Z
thJA
10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
10
-2
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-4
10
-5
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
t
p
数据表
5
05.99
BSP 372
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
逻辑电平
额定雪崩
V
GS （ TH）
= 0.8 ...2.0 V
销1
G
销2
D
3脚
S
引脚4
D
TYPE
BSP 372
TYPE
BSP 372
V
DS
100 V
I
D
1.7 A
R
DS （ ON）
0.31
包
SOT-223
记号
BSP 372
订购代码
Q 67000 - S300
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
1.7
单位
A
I
D
I
Dpuls
6.8
T
A
= 28 °C
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
45
mJ
I
D
= 1.7 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 23.3毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
栅源电压峰值，非周期性
功耗
V
GS
V
gs
P
合计
±
14
±
20
V
W
T
A
= 25 °C
1.8
半导体集团
1
Sep-12-1996
BSP 372
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
Therminal性，结焊接点
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
70
≤
10
E
55 / 150 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
-
1.4
0.1
10
10
0.17
-
2
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 0 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
0.8
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.31
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 5 V,
I
D
= 1.7 A
半导体集团
2
Sep-12-1996
BSP 372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
2
4
470
125
70
-
S
pF
-
625
190
105
ns
-
12
18
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 1.7 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
40
60
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
140
190
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
65
90
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
Sep-12-1996
BSP 372
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
0.8
-
-
1.7
6.8
V
-
1.1
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 1.7 A,
T
j
= 25 °C
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
Sep-12-1996
BSP 372
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
5 V
1.8
A
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
I
D
1.4
1.2
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
=25°C
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
2
K / W
10
1
Z
thJC
10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
10
-2
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-4
10
-5
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
t
p
半导体集团
5
Sep-12-1996
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厂家
批号
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封装
单价/备注
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