【BSP321PSIPMOS小信号三极管特点 P沟道增强型正常水平额定雪崩无铅引脚镀层;符合RoHS标】,IC型号BSP321P,BSP321P PDF资料,BSP321P经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSP321P

SIPMOS

小信号三极管

特点

P沟道

增强型

正常水平

额定雪崩

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

符合AEC Q101标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

-100

900

-0.98

V

mΩ

A

PG-SOT-223

TYPE

BSP321P

包

PG-SOT-223

磁带和卷轴信息

L6327 ：1000个/卷

记号

BSP321P

无铅

是的

填料

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=70 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

防静电类

焊接温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

JESD22-A114-HBM

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=-0.98 A,

R

GS

=25

Ω

价值

-0.98

-0.79

-3.9

57

±20

1.8

-55 ... 150

1A （ 250V至500V ）

260 °C

55/150/56

mJ

V

W

°C

单位

A

修订版1.04

第1页

2011-04-05

BSP321P

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 环境

最小的足迹，

稳定状态

6厘米

2

散热面积

1)

,

稳定状态

值

典型值。

马克斯。

单位

R

thJA

-

-

115

-

-

70

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=-250 A

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=-380 A

V

DS

=-100 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=-100 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=-20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=-10 V,

I

D

=-0.98 A

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=-0.79 A

-100

-2.1

-

-3.0

-

-4

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-0.1

-1

A

-

-

-

-10

-10

689

-100

-100

900

nA

mΩ

跨

g

fs

0.6

1.2

-

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

1)

修订版1.04

第2页

2011-04-05

BSP321P

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

2)

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

V

R

=50 V,

I

F

=|I

S

|,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

V

GS

=0 V,

I

F

=0.98 A,

T

j

=25 °C

T

C

=25 °C

-

-

-

-

-

-

-

0.84

47

96

-0.98

-3.9

1.2

-

-

V

ns

nC

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=-80 V,

I

D

=-

0.98 A,

V

GS

= 0至-10 V

-

-

-

-

1.1

4

9

4.5

1.4

6

12

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=-50 V,

V

GS

=-

10 V,

I

D

=-0.98 A,

R

G

=6

Ω

V

GS

=0 V,

V

DS

=-25 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

240

62

28

5.9

4.4

16.5

8.5

319

82

42

8.8

6.6

24.7

12.7

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

2)

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.04

第3页

2011-04-05

BSP321P

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

); |V

GS

|≥10 V

2

1

0.8

1.5

0.6

P

合计

[W]

1

-I

D

[A]

0.4

0.2

0

0

40

80

120

160

0

40

80

120

160

0.5

0

T

A

[°C]

T

A

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

1

限于由导通状态

阻力

100 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

2

0.5

0.2

10

0

1毫秒

10

1

0.1

Z

thjs

〔 K / W〕

-I

D

[A]

0.05

10毫秒

0.02

10

-1

DC

100毫秒

10

0

0.01

单脉冲

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

10

-1

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

-V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.04

第4页

2011-04-05

BSP321P

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

4

-10 V

-6 V

-7 V

-5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

2

-4 V

-4.5 V

3

1.6

2

R

DS （ ON）

[

Ω

]

-I

D

[A]

-5 V

1.2

-6 V

1

-4.5 V

-7 V

0.8

-4 V

-8 V

-10 V

0

0

2

4

6

8

10

0.4

0

1

2

3

4

-V

DS

[V]

-I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

4

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

3

3

25 °C

125 °C

2

-I

D

[A]

2

g

fs

[S]

1

0

0

2

4

6

8

0

1

2

3

4

1

0

-V

GS

[V]

-I

D

[A]

修订版1.04

第5页

2011-04-05

BSP321P

SIPMOS

小信号三极管

特点

P沟道

增强型

正常水平

额定雪崩

无铅引脚镀层;符合RoHS标准

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

-100

900

-0.98

V

m

A

PG-SOT-223

TYPE

BSP321P

包

PG-SOT-223

磁带和卷轴信息

L6327 ：1000个/卷

记号

BSP321P

无铅

是的

填料

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

T

C

=25 °C

T

C

=70 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

门源电压

功耗

工作和存储温度

防静电类

焊接温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

I

D，脉冲

E

AS

V

GS

P

合计

T

j

,

T

英镑

JESD22-A114-HBM

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=-0.98 A,

R

GS

=25

价值

-0.98

-0.79

-3.9

57

±20

1.8

-55 ... 150

1A （ 250V至500V ）

260 °C

55/150/56

mJ

V

W

°C

单位

A

修订版1.03

第1页

2009-02-16

BSP321P

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 环境

R

thJA

最小的足迹，

稳定状态

6厘米

2

散热面积

1)

,

稳定状态

值

典型值。

马克斯。

单位

-

-

115

-

-

70

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

=-250 A

V

GS （ TH）

V

DS

=V

GS

,I

D

=-380 A

V

DS

=-100 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=-100 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=-20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=-10 V,

I

D

=-0.98 A

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=-0.79 A

-100

-2.1

-

-3.0

-

-4

V

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-0.1

-1

A

-

-

-

-10

-10

689

-100

-100

900

nA

m

跨

g

fs

0.6

1.2

-

S

2

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

1)

修订版1.03

第2页

2009-02-16

BSP321P

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

2)

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

I

S

I

S，脉冲

V

SD

t

rr

Q

rr

V

R

=50 V,

I

F

=|I

S

|,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=0.98 A,

T

j

=25 °C

-

-

-

-

-

-

-

0.84

47

96

-0.98

-3.9

1.2

-

-

V

ns

nC

A

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

高原

V

DD

=-80 V,

I

D

=-

0.98 A,

V

GS

= 0至-10 V

-

-

-

-

1.1

4

9

4.5

1.4

6

12

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=-50 V,

V

GS

=-

10 V,

I

D

=-0.98 A,

R

G

=6

V

GS

=0 V,

V

DS

=-25 V,

f

= 1兆赫

-

-

-

-

-

-

-

240

62

28

5.9

4.4

16.5

8.5

319

82

42

8.8

6.6

24.7

12.7

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

2)

参见图16栅极电荷参数定义

修订版1.03

第3页

2009-02-16

BSP321P

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

); |V

GS

|≥10 V

2

1

0.8

1.5

0.6

P

合计

[W]

1

-I

D

[A]

0.4

0.2

0

0

40

80

120

160

0

40

80

120

160

0.5

0

T

A

[°C]

T

A

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

1

限于由导通状态

阻力

100 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

2

0.5

0.2

10

0

1毫秒

10

1

0.1

Z

thjs

〔 K / W〕

-I

D

[A]

0.05

10毫秒

0.02

10

-1

DC

100毫秒

10

0

0.01

单脉冲

10

-2

10

0

10

1

10

2

10

3

10

-1

10

-5

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-4

10

-3

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-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

-V

DS

[V]

t

p

[s]

修订版1.03

第4页

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BSP321P

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

4

-10 V

-6 V

-7 V

-5 V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

2

-4 V

-4.5 V

3

1.6

2

R

DS （ ON）

[

]

-I

D

[A]

-5 V

1.2

-6 V

1

-4.5 V

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-8 V

-10 V

-4 V

0

0

2

4

6

8

10

0.4

0

1

2

3

4

-V

DS

[V]

-I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

4

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

3

3

25 °C

125 °C

2

-I

D

[A]

2

g

fs

[S]

1

0

0

2

4

6

8

0

1

2

3

4

1

0

-V

GS

[V]

-I

D

[A]

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联系人：连

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-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

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电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

BSP321P

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳和润天下电子科技有限公司

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电话：0755-83798683

联系人：许先生

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室

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INFINEON/英飞凌

22+

20285

SOT-223

深圳市春涛电子有限公司

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电话：0755-82563615 82563213

联系人：王云

地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室

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INFINEON

2425+

11280

SOT-223

进口原装！优势现货！

深圳市鑫远鹏科技有限公司

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电话：15112667855

联系人：谌小姐

地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E

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Infineon/英飞凌

18+

15600

SOT-223

深圳市创芯联盈电子有限公司

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电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

BSP321P

INFINEON/英飞凌

2443+

23000

SOT-223

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

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电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

BSP321P

VBSEMI/台湾微碧

24+

8640

SOT223

全新原装现货，原厂代理。

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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QQ：515102657 复制

电话：0755-83777708/83777607/82799993

联系人：朱咸华

地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

BSP321P

VB

25+23+

35500

SOT-223

绝对原装进口现货！渠道优势供应!

深圳市华胜英科技有限公司

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QQ：1402770874 复制

电话：13711580601

联系人：郭

地址：深圳市福田区华强北华强广场B座

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