SIPMOS小信号三极管
特点
N沟道
BSP 320S
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
4
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
60
0.12
2.9
V
A
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
3
2
1
VPS05163
TYPE
BSP320S
包
SOT-223
订购代码
Q67000-S4001
销1
G
销2/4
D
3脚
S
最大额定值，
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
参数
连续漏电流
漏电流脉冲
符号
价值
2.9
11.6
60
2.9
0.18
6
mJ
A
mJ
KV / μs的
单位
A
I
D
I
Dpulse
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
A
= 25 C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 2.9 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
雪崩电流，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= 2.9 A,
V
DS
= 20 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 150 C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
±20
1.8
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
V
W
C
T
A
= 25 C
工作温度
储存温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
数据表
1
05.99
BSP 320S
电气特性
参数
at
Tj
= 25℃，除非另有说明
热特性
热阻，结 - 焊接点（引脚4 ）
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
17
110
-
马克斯。
-
-
70
K / W
K / W
-
-
单位
R
thjs
R
thJA
-
静态特性
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
60
2.1
-
3
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 20 A
零栅极电压漏极电流
A
-
-
-
-
0.1
-
10
0.09
1
100
100
0.12
nA
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
1设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
数据表
2
05.99
BSP 320 S
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
热阻，结焊接点
1)
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
≤
70
17
55 / 150 / 56
K / W
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
* ） MIL STD 883方法3015 ，第2类
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
V
（ BR ） DSS
V
60
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 20 A
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
3
4
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
-
-
-
I
GSS
-
0.1
-
0.1
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
-
0.09
0.12
半导体集团
2
29/01/1998
SIPMOS小信号三极管
特点
N沟道
BSP 320S
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
4
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
60
0.12
2.9
V
A
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
3
2
1
VPS05163
TYPE
BSP320S
包
SOT-223
订购代码
Q67000-S4001
销1
G
销2/4
D
3脚
S
最大额定值，
在TJ = 25 ° C，除非另有说明
参数
连续漏电流
漏电流脉冲
符号
价值
2.9
11.6
60
2.9
0.18
6
mJ
A
mJ
KV / μs的
单位
A
I
D
I
Dpulse
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
A
= 25 C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 2.9 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
雪崩电流，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
I
S
= 2.9 A,
V
DS
= 20 V ，的di / dt = 200 A / μs的，
T
JMAX
= 150 C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
±20
1.8
-55 ... +150
-55 ... +150
55/150/56
V
W
C
T
A
= 25 C
工作温度
储存温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
数据表
1
05.99
BSP 320S
电气特性
参数
at
Tj
= 25℃，除非另有说明
热特性
热阻，结 - 焊接点（引脚4 ）
SMD版本， PCB上的元件：
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
1)
符号
分钟。
值
典型值。
17
110
-
马克斯。
-
-
70
K / W
K / W
-
-
单位
R
thjs
R
thJA
-
静态特性
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
60
2.1
-
3
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安
栅极阈值电压，
V
GS
=
V
DS
I
D
= 20 A
零栅极电压漏极电流
A
-
-
-
-
0.1
-
10
0.09
1
100
100
0.12
nA
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
1设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
数据表
2
05.99
BSP 320 S
最大额定值
参数
符号
值
单位
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
热阻，结焊接点
1)
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
≤
70
17
55 / 150 / 56
K / W
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
* ） MIL STD 883方法3015 ，第2类
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
V
（ BR ） DSS
V
60
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 20 A
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
3
4
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
-
-
-
I
GSS
-
0.1
-
0.1
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
-
0.09
0.12
半导体集团
2
29/01/1998
QQ：2880707522 复制
