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BSP 315
SIPMOS
小信号晶体管
P沟道
增强型
逻辑电平
V
GS （ TH）
= -0.8...-2.0 V
销1
G
TYPE
BSP 315
TYPE
BSP 315
BSP 315
销2
D
3脚
S
引脚4
D
V
DS
-50 V
I
D
-1.1 A
R
DS （ ON）
0.8
包
SOT-223
记号
BSP 315
订购代码
Q67000-S75
Q67000-S249
磁带和卷轴信息
E6327
E6433
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
符号
值
-50
-50
单位
V
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
R
GS
= 20 k
门源电压
连续漏电流
±
20
A
-1.1
T
A
= 39 °C
直流漏电流，脉冲
I
Dpuls
-4.4
T
A
= 25 °C
功耗
P
合计
1.8
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
Sep-12-1996
BSP 315
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
Therminal性，结焊接点
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
70
≤
10
E
55 / 150 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
-50
-
-1.1
-0.1
-10
-
-10
0.65
-
-2
-1
-100
-100
-100
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
-0.8
V
GS =
V
DS ，
I
D
= -1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
A
nA
nA
-
-
0.8
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
V
DS
= -30 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= -10 V,
I
D
= -1.1 A
半导体集团
2
Sep-12-1996
BSP 315
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.25
0.7
300
150
85
-
S
pF
-
400
230
130
ns
-
8
12
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= -1.1 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.29 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
35
55
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.29 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
80
110
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.29 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
140
190
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -0.29 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
Sep-12-1996
BSP 315
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
-1.2
-1.1
-4.4
V
-
-1.5
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -2.2 A,
T
j
= 25 °C
半导体集团
4
Sep-12-1996
BSP 315
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
-10 V
-1.2
A
-1.0
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
I
D
-0.9
-0.8
1.2
1.0
0.8
0.6
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
0.4
-0.2
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
-0.1
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F（V
DS
)
参数：
D
= 0,
T
C
=25°C
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
2
K / W
10
1
Z
thJC
10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
10
-3
单脉冲
0.02
0.01
10
-4
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
t
p
半导体集团
5
Sep-12-1996
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B43540E2158M002
BF-AB31RD
BS-AA26RD
BAQ35
BD2046AFJ
BZT52C16-TP
B32686-A1154-M
B37940K2010C501
BU4822FVE
BUT32V_03
BB644
BU-65171G2-200
BU1574GUW
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BSP315
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电话：0755-82561519
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