BSP 30 ... 33 BSP
PNP
开关晶体管
PNP
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
1.65
4
±0.2
±0.3
6.5
±0.1
3
±0.2
1.3 W
SOT-223
0.04 g
塑料外壳
Kunststoffgehuse
3.5
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1
0.7
2.3
2
3
3.25
尺寸/集体单位为毫米
1 = B 2 ， 4 = C 3 = E
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
7
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BSP 30
BSP 31
BSP 32
BSP 33
80 V
90 V
5V
1.3 W
1
)
1A
2A
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
分钟。
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
50
:
A
100 nA的
250毫伏
500毫伏
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
60 V
70 V
峰值集电极电流 - Koll. - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温。 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
特性（T
j
= 25
/
C)
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- V
CESAT
–
–
–
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
- I
CB0
- I
CB0
–
–
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
2
01.11.2003
1
开关晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 150毫安， - 我
B
= 15毫安
- I
C
= 500毫安， - 我
B
= 50毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 500毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 100毫安
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 500毫安
- V
BESAT
- V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
C
CB0
C
EB0
t
on
t
关闭
–
–
10
40
30
30
100
50
100兆赫
–
–
–
–
R
THA
R
THS
BSP 30 ... 33 BSP
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20 pF的
120 pF的
–
–
马克斯。
1V
1.2 V
–
120
–
–
300
–
–
–
–
500纳秒
600纳秒
93 K / W
2
)
12 K / W
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
1
)
BSP 30
BSP 32
BSP 31
BSP 33
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
切换时间 - Schaltzeiten
开启时间
打开-O FF时间
- I
CON
= 100毫安，
- I
BON
= 5毫安，我
B关
= 5毫安
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
热电阻 - Wrmewiderstand
结到环境空气 - Sperrschicht祖umgebender拉夫特
结到焊接点 - Sperrschicht祖Ltpad
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
40 BSP ， BSP 41 ， 42 BSP ， BSP 43
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
1
2
3
BSP30/31/32/33
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.
4/4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
电话和一般工业应用。
描述
在SOT223塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BSP41和BSP43 。
手册， halfpage
BSP31 ; BSP32 ; BSP33
钉扎
针
1
2, 4
3
BASE
集热器
辐射源
描述
4
2, 4
1
3
1
顶视图
2
3
MAM288
Fig.1简化外形（ SOT223 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BSP31
BSP32 ; BSP33
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BSP31
BSP32 ; BSP33
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
= 25
°C;
注1
集电极开路
开基
65
65
60
80
5
1
2
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
70
90
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
BSP31 ; BSP32 ; BSP33
条件
注1
价值
93
12
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“为SOT223在总则部分的相关散热的考虑
手册“ 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BSP32
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;注1
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
直流电流增益
BSP31 ; BSP33
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;注1
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
5
V ;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
关闭
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.01.
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
毫安;注1
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
0.5
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的
I
CON
=
100
毫安;我
BON
=
5
毫安;我
B关
= 5毫安
30
100
50
100
300
250
500
1
1.2
20
120
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
10
40
30
120
条件
I
E
= 0; V
CB
=
60
V
I
E
= 0; V
CB
=
60
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
分钟。
马克斯。
100
50
100
单位
nA
A
nA
开关时间（10％和90％之间）
开启时间
打开-O FF时间
500
650
ns
ns
1999年4月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BSP31 ; BSP32 ; BSP33
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年4月26日
5
QQ：2881677436 复制
