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BSP 299
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
额定雪崩
V
GS ( TH)
= 2.1 ... 4.0 V
销1
G
销2
D
3脚
S
引脚4
D
TYPE
BSP 299
TYPE
BSP 299
V
DS
500 V
I
D
0.4 A
R
DS ( ON)
4
SOT-223
记号
BSP 299
订购代码
Q67000-S225
磁带和卷轴信息
E6327
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
0.4
单位
A
I
D
I
Dpuls
1.6
T
A
= 44 °C
直流漏电流,脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
E
AS
130
mJ
I
D
= 1.2 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 163毫亨,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
1.8
V
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
Sep-12-1996
BSP 299
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻,芯片到环境空气
Therminal性,结焊接点
1)
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
符号
-55 ... + 150
-55 ... + 150
70
10
E
55 / 150 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1 )晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米, 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
500
-
3
0.1
10
10
3.5
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 0 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 500 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 500 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
4
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.4 A
半导体集团
2
Sep-12-1996
BSP 299
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.3
1.2
300
40
15
-
S
pF
-
400
60
25
ns
-
8
12
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 0.4 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
15
22
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
55
70
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
30
40
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
Sep-12-1996
BSP 299
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
0.9
300
2.5
0.4
1.6
V
-
1.2
ns
-
-
C
-
-
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.8 A,
T
j
= 25 °C
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
Sep-12-1996
BSP 299
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数:
V
GS
10 V
0.45
A
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
I
D
0.35
0.30
1.2
0.25
1.0
0.20
0.8
0.15
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0.10
0.05
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
= F(V
DS
)
参数:
D
= 0,
T
C
=25°C
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
2
K / W
10
1
Z
thJC
10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
10
-2
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-4
10
-5
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
t
p
半导体集团
5
Sep-12-1996
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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