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IGBT晶体管

BSP 280

初步数据

q

q

q

q

q

q

q

q

V

CE

1000 V

I

C

2.5 A

N沟道

的MOS输入（电压控制）

高开关速度

极低的尾电流

闭锁免费

合适的续流二极管BAX 280

TYPE

订购代码编带和卷轴

信息

E6327 ： 1000个/卷

引脚配置

1

G

2

C

3

E

4

C

记号

BSP 280

包

SOT-223

BSP 280 Q67000 - S279

最大额定值

参数

符号

值

2.5

1.5

0.5

3.0

单位

A

连续集电极电流

T

S

= 25 C

焊接点，

T

S

= 80 C

集电极电流脉冲

焊接点，

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

功耗

焊接点，

环境

热阻

1)

I

C

连续集电极电流环境，

T

A

= 80 C

I

C

I

PULS

T

S

= 80 C

V

CE

V

GE

P

合计

T

S

= 80 C

T

A

= 25 C

T

j

,

T

英镑

R

thJA

R

thjs

–

–

芯片环境

芯片的焊接点

10

1.8

– 40 … + 150

70

6

E

40/150/56

C

K / W

–

1000

±

20

W

V

工作和存储温度范围

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

IGBT

- 绝缘栅双极晶体管

1)

晶体管环氧树脂PCB 40毫米

×

40 mm

×

1.5毫米与6厘米

2

铜区的漏极连接。

BSP 280

电气特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

GE

= 0,

I

C

- 0.1毫安

栅极阈值电压

V

GE

=

V

CE

,

I

C

- 0.1毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

GE

= 15 V,

I

C

= 0.5 A

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

T

j

= 150 C

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CES

1000

–

5.5

–

6.5

V

V

GE （日）

4.5

V

CE （ SAT ）

–

–

–

–

–

–

1.8

2.1

2.2

2.8

3.8

4.0

–

–

3.0

3.3

4.3

4.5

A

–

–

1

–

0.1

25

100

nA

–

100

V

GE

= 15 V,

I

C

= 1.5 A

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

T

j

= 150 C

零栅极电压集电极电流

V

CE

= 1000 V,

V

GE

= 0

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

栅极 - 发射极漏电流

V

GE

= 20 V,

V

CE

= 0

动态特性

正向跨导

V

CE

= 20 V,

I

C

= 1.5 A

输入电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

I

CES

I

GES

g

fs

–

0.6

225

25

13

20

15

–

S

pF

–

–

–

–

ns

–

–

–

–

C

国际空间站

C

OSS

–

C

RSS

–

t

D（上）

导通延迟时间

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ ON）的

= 25

,

I

C

= 1.5 A

上升时间

t

r

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ ON）的

= 25

,

I

C

= 1.5 A

BSP 280

电气特性

（续）

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

值

典型值。

0.3

120

20

0.2

马克斯。

MWS

–

–

–

–

–

ns

–

–

MWS

–

单位

E

on

开通损耗

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

t

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

下降时间

t

f

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

E

关闭

总的关断损耗

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

包装外形

SOT-223

尺寸（mm）

BSP 280

特征

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

典型值。输出特性

I

C

=

f

(

V

CE

)

参数：

t

p

= 80

s

典型值。传输特性

I

C

=

f

(

V

GE

)

参数：

t

p

= 80

s,

V

CE

= 20 V

典型值。电容

C

=

f

(

V

CE

)

参数：

V

GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

典型值。饱和特性

V

CE （ SAT ）

=

f

(

V

GE

） ;参数：

T

j

= 25 C

BSP 280

典型值。饱和特性

V

CE （ SAT ）

=

f

(

V

GE

） ;参数：

T

j

= 125 C

典型值。栅极电荷

V

GE

=

f

(

Q

门

)

参数：

I

C以及

= 1 A

IGBT晶体管

BSP 280

初步数据

q

q

q

q

q

q

q

q

V

CE

1000 V

I

C

2.5 A

N沟道

的MOS输入（电压控制）

高开关速度

极低的尾电流

闭锁免费

合适的续流二极管BAX 280

TYPE

订购代码编带和卷轴

信息

E6327 ： 1000个/卷

引脚配置

1

G

2

C

3

E

4

C

记号

BSP 280

包

SOT-223

BSP 280 Q67000 - S279

最大额定值

参数

符号

值

2.5

1.5

0.5

3.0

单位

A

连续集电极电流

T

S

= 25 C

焊接点，

T

S

= 80 C

集电极电流脉冲

焊接点，

集电极 - 发射极电压

栅极 - 发射极电压

功耗

焊接点，

环境

热阻

1)

I

C

连续集电极电流环境，

T

A

= 80 C

I

C

I

PULS

T

S

= 80 C

V

CE

V

GE

P

合计

T

S

= 80 C

T

A

= 25 C

T

j

,

T

英镑

R

thJA

R

thjs

–

–

芯片环境

芯片的焊接点

10

1.8

– 40 … + 150

70

6

E

40/150/56

C

K / W

–

1000

±

20

W

V

工作和存储温度范围

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

IGBT

- 绝缘栅双极晶体管

1)

晶体管环氧树脂PCB 40毫米

×

40 mm

×

1.5毫米与6厘米

2

铜区的漏极连接。

BSP 280

电气特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

GE

= 0,

I

C

- 0.1毫安

栅极阈值电压

V

GE

=

V

CE

,

I

C

- 0.1毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

GE

= 15 V,

I

C

= 0.5 A

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

T

j

= 150 C

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CES

1000

–

5.5

–

6.5

V

V

GE （日）

4.5

V

CE （ SAT ）

–

–

–

–

–

–

1.8

2.1

2.2

2.8

3.8

4.0

–

–

3.0

3.3

4.3

4.5

A

–

–

1

–

0.1

25

100

nA

–

100

V

GE

= 15 V,

I

C

= 1.5 A

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

T

j

= 150 C

零栅极电压集电极电流

V

CE

= 1000 V,

V

GE

= 0

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

栅极 - 发射极漏电流

V

GE

= 20 V,

V

CE

= 0

动态特性

正向跨导

V

CE

= 20 V,

I

C

= 1.5 A

输入电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

CE

= 0,

V

GE

= 25 V,

f

= 1兆赫

I

CES

I

GES

g

fs

–

0.6

225

25

13

20

15

–

S

pF

–

–

–

–

ns

–

–

–

–

C

国际空间站

C

OSS

–

C

RSS

–

t

D（上）

导通延迟时间

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ ON）的

= 25

,

I

C

= 1.5 A

上升时间

t

r

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ ON）的

= 25

,

I

C

= 1.5 A

BSP 280

电气特性

（续）

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

值

典型值。

0.3

120

20

0.2

马克斯。

MWS

–

–

–

–

–

ns

–

–

MWS

–

单位

E

on

开通损耗

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

t

D（关闭）

打开-O FF延迟时间

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

下降时间

t

f

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

E

关闭

总的关断损耗

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

R

G（ OFF）

= 25

,

I

C

= 1.5 A

包装外形

SOT-223

尺寸（mm）

BSP 280

特征

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

典型值。输出特性

I

C

=

f

(

V

CE

)

参数：

t

p

= 80

s

典型值。传输特性

I

C

=

f

(

V

GE

)

参数：

t

p

= 80

s,

V

CE

= 20 V

典型值。电容

C

=

f

(

V

CE

)

参数：

V

GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

典型值。饱和特性

V

CE （ SAT ）

=

f

(

V

GE

） ;参数：

T

j

= 25 C

BSP 280

典型值。饱和特性

V

CE （ SAT ）

=

f

(

V

GE

） ;参数：

T

j

= 125 C

典型值。栅极电荷

V

GE

=

f

(

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门

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参数：

I

C以及

= 1 A

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-

-

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原装正品，支持实单

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100%原装正品，只做原装正品

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全新原装正品，热卖价优

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22+

10500

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