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分立半导体
数据表
BSP254 ; BSP254A
P沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特点
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿。
描述
P沟道垂直D- MOS晶体管
在TO -92变体的信封和
打算用作一个线电流
断续器在继电器，高速和
线路变压器驱动器。
钉扎 - TO- 92变型BSP254
针
1
2
3
门
漏
来源
手册， halfpage
BSP254 ; BSP254A
快速参考数据
符号
V
DS
V
GSO
Y
fs
I
D
R
DS （ ON）
P
合计
参数
漏源
电压
栅极 - 源
电压
正向传递
导纳
漏电流（ DC ）
漏源
V
GS
=
10
V;
通态电阻I
D
=
200
mA
总功率
耗散
T
AMB
= 25
°C
漏极开路
I
D
=
200
毫安;
V
DS
=
25V
条件最小。 TYP 。 MAX 。 UNIT
100
200
10
250
±20
0.2
15
1
V
V
mS
A
W
描述
d
1
2
3
g
钉扎 - TO- 92变型BSP254A
MAM147
s
针
1
2
3
门
漏
描述
来源
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）
符号
V
DS
V
GSO
BSP254 ; BSP254A
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏电流
总功耗
存储温度范围
结温
条件
漏极开路
DC
峰值
T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
分钟。
马克斯。
250
20
0.2
0.6
1
+150
150
V
V
A
A
单位
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
W
°C
°C
65
热阻
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在印刷电路板上，最大引线长度4毫米，
安装焊盘用于漏极引线低于10毫米×10毫米。
参数
从结点到环境（注1 ）
马克斯。
125
单位
K / W
手册， halfpage
1.2
MRC238
P合计
(W)
0.8
0.4
0
0
50
100
150
200
TAMB （ ° C）
图2功率降额曲线。
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
±I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
笔记
1.测得F = 1MHz的;
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0.
2.
V
GS
= 010伏;
I
D
= 250毫安;
V
DD
= 50 V.
参数
漏源击穿电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
转移导纳
输入电容
输出电容
反馈电容
开启时间
打开-O FF时间
条件
V
GS
= 0
I
D
= 10
A
V
DS
= 200 V
V
GS
= 0
±V
GS
= 20 V
V
DS
= 0
V
GS
= V
DS
I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V
I
D
= 200毫安;
V
DS
= 25 V
I
D
= 200毫安
注1
注1
注1
注2
注2
BSP254 ; BSP254A
分钟。
250
0.8
100
典型值。
10
200
65
20
6
5
20
马克斯。
1
100
2.8
15
90
30
15
10
30
单位
V
A
nA
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
手册， halfpage
VDD }
50
V
手册， halfpage
10 %
输入
90 %
0V
10
V
ID
50
MBB689
10 %
产量
90 %
吨
花花公子
MBB690
图3开关时间测试电路。
图4的输入和输出波形。
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
P沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP254 ; BSP254A
手册， halfpage
1
MDA706
ID
VGS =
10
V
6
V
手册， halfpage
1
MDA707
(A)
0.8
ID
(A)
0.8
0.6
5
V
0.6
0.4
4
V
0.2
3
V
0
0
5
10
15
20
25
VDS （ V）
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
图5典型的输出特性;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.6
典型的传输特性; V
DS
=
10
V;
T
j
= 25
°C.
手册， halfpage
10
3
MDA708
VGS =
10
V
5
V
手册， halfpage
160
MDA734
C
（PF ）
120
ID
（MA ）
4
V
10
2
80
西塞
40
科斯
CRSS
10
0
8
12
16
20
24
28
导通电阻（ Ω ）
0
5
10
15
20
25
VDS （ V）
Fig.7
典型的导通电阻为漏极中的一个函数
目前，T
j
= 25
°C.
Fig.8
典型的电容的一个函数
漏极 - 源极电压; V
GS
= 0; F = 1兆赫;
T
j
= 25
°C.
1995年4月
5
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