BSP171P
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-460 A
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-4.5 V,
I
D
=-1.5 A
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1.9 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-1.5 A
-60
-1
-
-1.5
-
-2
V
-
-
25
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
-
-
110
-
-
70
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-10
-10
0.3
-100
-100
0.45
nA
-
0.21
0.3
1.4
2.7
-
S
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1)
修订版2.0
第2页
2004-01-20
BSP 171 P
初步数据
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
逻辑电平
dv / dt的额定
销1
G
TYPE
BSP 171 P
V
DS
-60 V
I
D
R
DS （ ON）
Pin2/4
D
3脚
S
-1.8 A 0.3
包
订购代码
@ V
GS
V
GS
= -10 V P- SOT223-4-1 Q67041 - S4019
-
-
最大额定值，
at
T
J = 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
漏电流脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= -1.8 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
雪崩电流，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
J（下最大）
反向二极管的dv / dt
I
S
= -1.8 A,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
，的di / dt = 100 A / μs的，
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗，
T
A
= 25 °C
工作温度
储存温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
I
AR
E
AR
dv / dt的
E
AS
I
PULS
I
D
价值
-1.8
-1.15
-7.2
70
-1.8
0.18
6
单位
A
mJ
A
mJ
KV / μs的
±
14
1.8
-55 ...+150
-55 ...+150
55/150/56
V
W
°C
半导体集团
1
04 / 1998
BSP 171 P
初步数据
版7.97
发布时间由西门子公司，
Bereich Halbleiter Vetrieb ，
WERBUNG ， Balanstrae 73 ，
81541慕尼黑
西门子股份公司1997
版权所有。
请注意！
至于第三方专利或其他权利而言，只有承担责任的组件，
不用于应用程序，过程和组件或组件内实现的电路。
这些信息描述了组件类型，不得被视为保证的特点。
交货条件和权利，改变设计保留。
有关技术，交付问题和价格，请联系在德国的半导体集团总部
西门子公司或与世界各地的代表（地址列表） 。
由于技术要求组件可能含有危险物质。有关类型的信息
有问题请联系就近的西门子办公室，半导体集团。
西门子AG是经过批准的CECC制造商。
填料
请使用回收经营者知道你。我们还可以帮助您 - 取得联系您最近的销售
办公。通过合作，我们将采取包装材料的背面，如果是排序。你必须承担的运输成本。
包装被退还给我们无序或我们没有义务接受材料，我们有权
发票你所发生的任何费用。
在生命支持设备或系统使用的组件必须明确授权这样的目的！
关键组件
1
西门子半导体集团的，只能用于生命支持设备一起使用，或
系统
2
与西门子公司的半导体集团的明确书面批准。
1 ）关键部件是在生命支持设备或系统，其故障可以合理使用的组件
预期造成生命支持设备或系统的故障，或影响其安全性或有效性
该设备或系统。
2）寿命支持设备或系统的目的是（a）至被植入人体，或（b） ，以支持和/或
保持和维持和/或protecf人的生命。如果他们失败了，这是合理的假设的健康
半导体集团
5
04 / 1998
BSP171P
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250 A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-460 A
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-60 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-4.5 V,
I
D
=-1.5 A
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1.9 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-1.5 A
-60
-1
-
-1.5
-
-2
V
-
-
25
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
R
thJA
-
-
110
-
-
70
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-10
-10
0.3
-100
-100
0.45
nA
-
0.21
0.3
1.4
2.7
-
S
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1)
修订版2.4
第2页
2007-02-08
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