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分立半导体
数据表
BSP130
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体, SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
特点
直接连接C-MOS , TTL ,
等等
高速开关
无二次击穿。
描述
N沟道增强模式
在一个垂直的D- MOS晶体管
SOT223信封,旨在用于
作为线电流断续器在
电话机和用于在应用程序的
继电器,高速和线
变压器的驱动程序。
钉扎 - SOT223
1
2
3
4
来源
1
顶视图
2
3
MAM054
BSP130
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
±V
GSO
R
DS ( ON)
V
GS ( OFF )
参数
漏源
电压
直流漏电流
总功率
耗散
漏源
导通电阻
栅极 - 源极截止
电压
条件
分钟。
最多至T
AMB
= 25
°C
0.8
马克斯。
300
300
1.5
20
8
2
单位
V
mA
W
V
V
栅源电压漏极开路
I
D
= 250毫安;
V
GS
= 10 V
I
D
= 1毫安;
V
DS
= V
GS
描述
手册, halfpage
4
d
g
s
标识代码
BSP130.
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
AMB
= 25
°C;
注1
漏极开路
条件
分钟。
65
BSP130
马克斯。
300
20
300
1.4
1.5
+150
150
单位
V
V
mA
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J-一
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板, 40 ×40 ×1.5毫米,安装焊盘的漏极标签最小6厘米
2
.
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
±I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
DSS
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏极 - 源极漏电流
转移导纳
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
I
D
能力= 20 mA ; V
GS
= 2.4 V
I
D
= 250毫安; V
GS
= 10 V
V
DS
= 240 V; V
GS
= 0
I
D
= 250毫安; V
DS
= 25 V
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
分钟。
300
0.8
200
典型值。马克斯。单位
7.9
6.7
380
57
15
2.6
100
2
14
8
100
90
30
15
V
nA
V
nA
mS
pF
pF
pF
参数
从结点到环境;注1
热阻
83.3 K / W
开关时间(见图
2
3)
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 10 0 V
2.5
17
10
30
ns
ns
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP130
手册, halfpage
VDD = 50 V
手册, halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MBB691
90 %
产量
10 %
花花公子
MBB692
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
手册, halfpage
2
MRC218
手册, halfpage
150
MRC214
P合计
(W)
1.5
C
(PF )
100
1
西塞
50
0.5
科斯
CRSS
0
0
50
100
150
TJ ( ° C)
200
0
0
5
10
15
25
20
VDS ( V)
V
GS
= 0; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
图4功率降额曲线。
Fig.5
电容随着漏 - 源的函数
电压典型值。
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP130
手册, halfpage
= 1.5 W
P
1.2
MRC217
VGS = 10 V
5V
4V
3.5 V
手册, halfpage
1.2
MRC223
ID
(A)
0.8
ID
(A)
0.8
3V
0.4
2.5 V
0.4
2V
0
0
4
8
VDS ( V)
12
0
0
4
8
VGS ( V)
12
T
j
= 25
°C.
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图6典型的输出特性。
图7典型的传输特性。
手册, halfpage
30
MRC219
手册, halfpage
25
MRC220
RDSON
()
20
RDSON
()
20
VGS = 2 V
2.5 V 3 V 3.5 V
4V
15
5V
10
10
10 V
5
0
10
2
10
1
1
ID ( A)
10
0
0
2
4
6
8
10
VGS ( V)
T
j
= 25
°C.
V
DS
= 100 mV的;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.8
导通电阻的漏极 - 源极之间的函数
漏电流的典型值。
Fig.9
导通电阻的漏极 - 源极之间的函数
栅 - 源电压,典型值。
1995年4月
5
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