飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
最多至T
AMB
= 25
°C;
注1
漏极开路
条件
分钟。
65
BSP130
马克斯。
300
20
300
1.4
1.5
+150
150
单位
V
V
mA
A
W
°C
°C
热阻
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板, 40 ×40 ×1.5毫米,安装焊盘的漏极标签最小6厘米
2
.
静态特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
±I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
I
DSS
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏极 - 源极漏电流
转移导纳
输入电容
输出电容
反馈电容
条件
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
±V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
I
D
能力= 20 mA ; V
GS
= 2.4 V
I
D
= 250毫安; V
GS
= 10 V
V
DS
= 240 V; V
GS
= 0
I
D
= 250毫安; V
DS
= 25 V
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
V
DS
= 25 V; V
GS
= 0;
F = 1 MHz的
分钟。
300
0.8
200
典型值。马克斯。单位
7.9
6.7
380
57
15
2.6
100
2
14
8
100
90
30
15
V
nA
V
nA
mS
pF
pF
pF
参数
从结点到环境;注1
热阻
83.3 K / W
开关时间(见图
2
和
3)
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 0到10伏
I
D
= 250毫安; V
DD
= 50 V;
V
GS
= 10 0 V
2.5
17
10
30
ns
ns
1995年4月
3