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分立半导体

数据表

BSP121

N沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管

产品speci fi cation

取代1995年4月的数据

在分离式半导体， SC13b文件

1998年4月1日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

描述

N沟道增强模式

在一个垂直的D- MOS晶体管

小型SOT223信封

设计用作一个线电流

断续器在电话机和为

继电器，高速的应用程序和

线路变压器驱动程序。

特点

直接连接C-MOS ， TTL ，

等等

高速开关

无二次击穿

钉扎 - SOT223

1 - 门

2 - 漏

3 =来源

4 =漏

标识代码

BSP121

转移导纳

= 400毫安; V

= 25 V

分钟。

典型值。

快速参考数据

漏源电压

栅极 - 源极电压（漏极开路）

漏电流（ DC ）

总功率耗散高达

AMB

= 25

°C

漏源导通电阻

= 400毫安; V

= 10 V

DS （ ON）

典型值。

马克斯。

合计

马克斯。

±V

GSO

马克斯。

BSP121

200 V

20 V

350毫安

1.5 W

4.5

6.0

200毫秒

350毫秒

引脚配置

手册， halfpage

顶视图

MAM054

Fig.1简化外形和符号。

1998年4月1日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

评级

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

漏源电压

栅极 - 源极电压（漏极开路）

漏电流（ DC ）

漏极电流（峰值）

总功率耗散高达

AMB

= 25

°C

（注1 ）

存储温度范围

结温

热阻

从结点到环境（注1 ）

记

THJ -A

合计

英镑

马克斯。

±V

GSO

马克斯。

BSP121

200 V

20 V

350毫安

1.2 A

1.5 W

150

°C

到+ 150

°C

83.3 K / W

1.装置安装在环氧树脂印刷电路板40毫米

40 mm

1.5毫米;安装焊盘的漏极引出

分钟。 6厘米

1998年4月1日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定编

漏源击穿电压

= 10

= 0

漏极 - 源极漏电流

= 160 V; V

= 0

= 60 V; V

= 0

栅极 - 源极漏电流

= 20 V; V

= 0

栅极阈值电压

= 1毫安; V

= V

漏源导通电阻

= 400毫安; V

= 10 V

转移导纳

= 400毫安; V

= 25 V

输入电容在f = 1 MHz的

= 25 V; V

= 0

输出电容在f = 1 MHz的

= 25 V; V

= 0

反馈电容在f = 1 MHz的

= 25 V; V

= 0

的切换时间（参照图2和3）

= 250毫安; V

= 50 V; V

= 0到10伏

典型值。

马克斯。

典型值。

马克斯。

RSS

典型值。

马克斯。

OSS

典型值。

马克斯。

国际空间站

典型值。

马克斯。

分钟。

典型值。

DS （ ON）

典型值。

马克斯。

GS （ TH）

分钟。

马克斯。

±I

GSS

马克斯。

DSS

马克斯。

（ BR ） DSS

分钟。

BSP121

200 V

1.0

200 nA的

100 nA的

0.8 V

2.8 V

4.5

6.0

200毫秒

350毫秒

45 pF的

60 pF的

15 pF的

25 pF的

3.5 pF的

10 pF的

5 pF的

10 pF的

15纳秒

20纳秒

关闭

1998年4月1日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

BSP121

手册， halfpage

VDD = 50 V

90 %

输入

10 %

90 %

10 V

MBB691

产量

10 %

吨

花花公子

MBB692

图2开关时间测试电路

图3的输入和输出波形。

手册，

MBB693

P合计

(W)

1.6

手册， halfpage

MDA745

(A)

1.6

VGS = 10 V

1.2

0.8

0.4

100

150

200

TAMB （ ° C）

VDS （ V）

图4功率降额曲线。

Fig.5

输出特性;牛逼

= 25

°C;

典型

值。

1998年4月1日

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