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分立半导体
数据表
BSP108
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
产品speci fi cation
在分离式半导体， SC13b文件
1995年4月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
描述
N沟道增强模式
在一个垂直的D- MOS晶体管
小型SOT223信封
用于在接力，高速用
和线路变压器驱动程序。
特点
直接连接C-MOS ， TTL ，
等等
高速开关
无二次击穿
钉扎 - SOT223
1
2
3
4
- 门
=漏
=源
=漏
I
D
= 500毫安; V
GS
= 10 V
转移导纳
I
D
= 500毫安; V
DS
= 15 V
Y
fs
R
DS （ ON）
快速参考数据
漏源电压
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
漏源导通电阻
V
DS
±
V
GSO
I
D
P
合计
BSP108
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
典型值。
马克斯。
80 V
20 V
500毫安
1.5 W
2.0
3.0
分钟。
典型值。
150毫秒
300毫秒
标识代码
BSP108
引脚配置
手册， halfpage
4
d
g
1
顶视图
2
3
MAM054
s
Fig.1简化外形和符号。
1995年4月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
评级
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
漏源电压
栅极 - 源极电压（漏极开路）
漏电流（ DC ）
漏极电流（峰值）
总功率耗散高达至T
AMB
= 25
°C
（注1 ）
存储温度范围
结温
热阻
从结点到环境（注1 ）
记
R
日J-一
=
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
马克斯。
BSP108
80 V
20 V
500毫安
1.0 A
1.5 W
150
°C
65
到+ 150
°C
83.3 K / W
1.装置安装在环氧树脂印刷电路板40毫米
×
40 mm
×
1.5毫米;安装焊盘的集电极铅板
分钟。 6厘米
2
.
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定编
漏源击穿电压
I
D
= 10
A;
V
GS
= 0
栅极阈值电压
I
D
= 1毫安; V
GS
= V
DS
栅极 - 源极漏电流
±
V
GS
= 20 V; V
DS
= 0
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 60 V; V
GS
= 0
漏源导通电阻
I
D
= 500毫安; V
GS
= 10 V
转移导纳
I
D
= 500毫安; V
DS
= 15 V
输入电容在f = 1兆赫;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
输出电容在f = 1 MHz的;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
C
OSS
典型值。
马克斯。
30 pF的
45 pF的
C
国际空间站
典型值。
马克斯。
45 pF的
60 pF的
Y
fs
分钟。
典型值。
150毫秒
300毫秒
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
DSS
马克斯。
1.0
A
2.0
3.0
I
GSS
马克斯。
100 nA的
V
GS （ TH）
分钟。
马克斯。
1.5 V
3.5 V
V
（ BR ） DSS
分钟。
80 V
1995年4月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
反馈电容在f = 1 MHz的;
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0
的切换时间（参照图2和3）
I
D
= 500毫安; V
DD
= 50 V
V
GS
= 0到10伏
t
on
典型值。
马克斯。
典型值。
马克斯。
C
RSS
典型值。
马克斯。
BSP108
8 pF的
12 pF的
4纳秒
8纳秒
10纳秒
15纳秒
t
关闭
手册， halfpage
VDD = 50 V
手册， halfpage
90 %
输入
10 %
10 V
0V
ID
50
MSA631
90 %
产量
10 %
吨
花花公子
MBB692
图2开关时间测试电路。
图3的输入和输出波形。
1995年4月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
BSP108
手册， halfpage
GS =
V
10
3
MDA724
6V
5V
手册， halfpage
1.2
MDA725
10 V
ID
（MA ）
ID
(A)
0.8
4V
10
2
0.4
10
0
0
2
4
6
8
10
导通电阻（ Ω ）
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
图4牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
图5牛逼
j
= 25
°C;
在V典型值
DS
= 10 V.
手册， halfpage
= 10 V
VGS
1.2
MDA726
6V
手册，
2
MBB693
ID
(A)
0.8
5V
P合计
(W)
1.6
1.2
0.8
0.4
4V
0.4
3V
0
0
2
4
6
8
10
VDS （ V）
0
0
50
100
150
200
TAMB （ ° C）
图6牛逼
j
= 25
°C;
典型值。
图7功率降额曲线。
1995年4月
5
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