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分立半导体

数据表

BSP106

N沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体， SC13b文件

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特点

非常低R

DS （ ON）

直接连接C-MOS ， TTL ，

等等

高速开关

无二次击穿。

描述

N沟道增强模式

在一个垂直的D- MOS晶体管

小型SOT223信封

用于在接力，高速用

和线路变压器驱动程序。

钉扎 - SOT223

针

门

漏

来源

漏

顶视图

MAM054

BSP106

快速参考数据

符号

DS （ ON）

GS （ TH）

参数

漏源电压

漏电流

漏源导通电阻

门极 - 源

电压

条件

DC值

= 200毫安

= 10 V

= 1毫安

= V

马克斯。

425

单位

引脚配置

手册， halfpage

描述

Fig.1简化外形和符号。

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

±V

GSO

合计

英镑

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

总功耗

存储温度范围

结温

DC值

峰值

最多至T

AMB

= 25

°C

（注1 ）

条件

分钟。

BSP106

马克斯。

425

850

1.5

150

单位

°C

热阻

符号

日J-一

记

1.装置安装在环氧树脂印刷电路板40 ×40 ×1.5毫米;

安装焊盘的漏极引出最小6厘米

从结点到环境

（注1 ）

参数

价值

83.3

单位

K / W

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

条件

= 10

= 0

= 48 V

= 0

= 25 V

= 0

±I

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

转移导纳

输入电容

= 0

±V

= 15 V

= 1毫安

= V

= 200毫安

= 10 V

= 200毫安

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

分钟。

0.8

100

典型值。

2.5

200

BSP106

马克斯。

0.5

单位

OSS

输出电容

RSS

反馈电容

开关时间（见图

和

开启时间

= 200毫安

= 50 V

= 0到10伏

= 200毫安

= 50 V

= 0至10

关闭

打开-O FF时间

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

BSP106

手册， halfpage

VDD = 50 V

手册， halfpage

90 %

输入

10 %

10 V

MBB691

90 %

产量

10 %

吨

花花公子

MBB692

图2开关时间测试电路。

图3的输入和输出波形。

手册，

MBB693

P合计

(W)

1.6

手册， halfpage

1.6

MDA718

(A)

1.2

VGS = 10 V

1.2

0.8

0.4

100

150

200

TAMB （ ° C）

VDS （ V）

图4功率降额曲线。

图5典型的输出特性;牛逼

= 25

°C.

1995年4月

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