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BSO613SPV
G
SIPMOS
功率晶体管
特点
·
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
D
D
D
D
-60
0.13
-3.44
V
W
·
·
·
A
顶视图
SIS00062
TYPE
BSO613SPV
G
PG- SO
8
无铅
是的
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-3.44
-13.8
150
0.25
6
单位
A
I
D
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
T
A
= 25 °C
漏电流脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
mJ
I
D
= -3.44 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
KV / μs的
I
S
= -3.44 A,
V
DS
= -48 V ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
2.5
-55... +150
55/150/56
V
W
°C
T
A
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
Rev.1.3
第1页
2007-03-02
BSO613SPV
G
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
(引脚4 )
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。足迹;吨
符号
分钟。
典型值。
-
马克斯。
25
单位
R
thjs
R
thJA
-
K / W
10秒。
-
-
-
-
100
50
@ 6厘米
2
散热面积
1)
; t
10秒。
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.11
-1
-100
-100
0.13
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
Rev.1.3
第2页
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BSO613SPV
G
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
2.2
-
-
-
-
4.4
700
235
95
10
-
875
295
120
15
S
pF
V
DS
2*
I
D
*
R
DS ( ON)最大值
,
I
D
= -3.44 A
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
ns
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A,
R
G
= 2.7
W
上升时间
t
r
-
11
16.5
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A,
R
G
= 2.7
W
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
32
48
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A,
R
G
= 2.7
W
下降时间
t
f
-
12
18
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A,
R
G
= 2.7
W
Rev.1.3
第3页
2007-03-02
BSO613SPV
G
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
门源费
典型值。
马克斯。
单位
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
(高原)
-
-
-
-
1.6
10
20
-3.74
2.4
15
30
-
nC
V
DD
= -48 V,
I
D
= -3.44 A
栅漏电荷
V
DD
= -48 V,
I
D
= -3.44 A
栅极电荷总量
V
DD
= -48 V,
I
D
= -3.44 A,
V
GS
= 0至-10 V
栅极电压平台
V
V
DD
= -48 V ,
I
D
= -3.44 A
参数
反向二极管
逆二极管连续正向电流
符号
分钟。
典型值。
-
-
-0.87
56
38
马克斯。
-3.44
-13.8
-1.16
84
57
单位
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
-
-
-
-
-
A
T
A
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
ns
nC
V
GS
= 0 V,
I
F
= -3.44 A
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F
=
I
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S
,二
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.1.3
第4页
2007-03-02
BSO613SPV
G
功耗
漏电流
P
合计
=
f
(
T
A
)
BSO613SPV
I
D
=
f
(
T
A
)
参数:
V
GS
10 V
BSO613SPV
2.8
-3.8
W
2.4
2.2
2.0
A
-3.2
-2.8
-2.4
-2.0
-1.6
-1.2
P
合计
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
0.0
0
-0.8
°C
I
D
1.8
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
瞬态热阻抗
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
-10
2
BSO613SPV
Z
thJC
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
2
BSO613SPV
A
/I
D
tp
= 550.0s
1毫秒
K / W
10
1
-10
1
=
V
D
S
I
D
R
(
DS
Z
thJC
)
on
10毫秒
10
0
-10
0
D = 0.50
10
-1
0.20
0.10
-10
-1
10
-2
DC
单脉冲
0.05
0.02
0.01
-10
-2 -1
-10
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-3 -5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
1
s
10
3
V
DS
Rev.1.3
第5页
t
p
2007-03-02
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