BSO613SPV
G
SIPMOS
功率晶体管
特点
·
产品概述
漏源电压
漏源导通电阻
连续漏电流
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
P沟道
增强型
额定雪崩
dv / dt的额定
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
D
D
D
D
-60
0.13
-3.44
V
W
·
·
·
A
顶视图
SIS00062
TYPE
BSO613SPV
G
包
PG- SO
8
无铅
是的
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
价值
-3.44
-13.8
150
0.25
6
单位
A
I
D
I
PULS
E
AS
E
AR
dv / dt的
T
A
= 25 °C
漏电流脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
mJ
I
D
= -3.44 A ,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
W
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
反向二极管的dv / dt
KV / μs的
I
S
= -3.44 A,
V
DS
= -48 V ,的di / dt = 200 A / μs的,
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
±20
2.5
-55... +150
55/150/56
V
W
°C
T
A
= 25 °C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
Rev.1.3
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2007-03-02
BSO613SPV
G
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
(引脚4 )
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。足迹;吨
符号
分钟。
值
典型值。
-
马克斯。
25
单位
R
thjs
R
thJA
-
K / W
10秒。
-
-
-
-
100
50
@ 6厘米
2
散热面积
1)
; t
10秒。
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
符号
分钟。
值
典型值。
-
-3
马克斯。
-
-4
A
-
-
-0.1
-10
-10
0.11
-1
-100
-100
0.13
nA
V
单位
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-60
-2.1
V
GS
= 0 V,
I
D
= -250 A
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -60 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS ( ON)
-
-
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
W
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.44 A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹气。
Rev.1.3
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