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BSO303P
的OptiMOS
-P小信号三极管
特点
双P沟道的SO8
增强型
逻辑电平
150 ° C的工作温度
根据JEDEC的目标应用合格
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
I
D
-30
21
32
-8.2
A
V
m
SO 8
TYPE
BSO303P
包
PG- DSO- 8
记号
303P
无铅
是的
无卤
是的
填料
干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
10秒]
连续漏电流
1)
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=70 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
JESD22- A114 HBM
T
A
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=-8.2 A,
R
GS
=25
-8.2
-6.6
-32.8
97
±20
2
-55 ... 150
1B （ 500V - 千伏）
260 °C
55/150/56
mJ
V
W
°C
价值
稳定状态
-7.0
-5.8
A
单位
修订版1.3
第1页
2010-02-10
BSO303P
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
SMD版本， PCB上的元件：
R
thjs
最小的足迹， t<
10s
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
t<10s
6厘米
2
散热面积
1),
稳定状态
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-100 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-4.5 V,
I
D
=-6.6 A
-30
-1
-
-
-1.5
-0.1
-
-2
-1
A
V
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
50
K / W
R
thJA
110
150
-
-
-
-
62.5
80
-
-
-
-10
-
25
-100
-100
32
nA
mW
V
GS
=-10 V,
I
D
=-8.2 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-6.6 A
-
17
21
跨
g
fs
11
27
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹空调; t≤10秒。
2.)
1)
见figure3详细信息
修订版1.3
第2页
2010-02-10
BSO303P
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
3)
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管直流，脉冲
二极管的正向电压
I
S
I
SM
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-8.2 A,
T
j
=25 °C
V
R
=-15 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-0.9
-2.2
-32.8
-1.3
V
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=-24 V,
I
D
=-8.2 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
-5
-14
-36
-2.7
-6
-20
-49
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15 V,
V
GS
=-
10 V,
I
D
=-1 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1785
510
425
11
13
55
39
2678
765
638
17
20
83
59
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
24
36
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
13
19
nC
修订版1.3
第3页
2010-02-10
BSO303P
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
); |V
GS
|≥10 V
2.5
8
2
6
1.5
P
合计
[W]
-I
D
[A]
1
0.5
0
0
40
80
120
160
4
2
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
1000
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
100
0.5
10
2
100
10 s
100 s
10
1
0.2
10
0.1
0.05
10
1毫秒
10毫秒
Z
thjs
〔 K / W〕
10
1
-I
D
[A]
0.02
10
0
1
0.01
10
0
1
限于由导通状态
阻力
DC
10
-1
10
-1
0.1
单脉冲
0.1
10
-2
0.01
0.1
1
10
100
10
-2
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
10
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
修订版1.3
第4页
2010-02-10
BSO303P
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
-6 V
-10 V
-4.5 V
-4.0 V
-5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
70
50
60
50
40
R
DS （ ON）
[m
]
-3 V
-I
D
[A]
40
-3.5 V
30
-3.5 V
30
-4 V
-4.5 V
-5 V
20
-3.0 V
20
-6 V
-8 V
-10 V
10
-2.5 V
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
10
20
30
40
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
40
30
30
-I
D
[A]
20
g
fs
[S]
10
150 °C
25 °C
20
10
0
0
1
2
3
4
0
0
10
20
30
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
修订版1.3
第5页
2010-02-10
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