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初步数据
BSO303P
的OptiMOS
-P小信号三极管
特征
双P沟道
增强型
逻辑电平
150 ° C工作温度
额定雪崩
dv / dt的额定
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
顶视图
产品概述
V
DS
R
DS ( ON)
I
D
8
7
6
5
-30
21
-8.2
V
m
A
D1
D1
D2
D2
SIS00070
TYPE
BSO303P
SO 8
订购代码
Q67042-S4010
最大额定值,在
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
连续漏电流
T
A
=25°C
T
A
=70°C
符号
I
D
价值
-8.2
-6.6
单位
A
漏电流脉冲
T
A
=25°C
I
PULS
E
AS
dv / dt的
V
GS
P
合计
T
j ,
T
英镑
-32.4
97
-6
±20
2
-55... +150
55/150/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
雪崩能量,单脉冲
I
D
=-8.2 A ,
V
DD
=-25V,
R
GS
=25
反向二极管的dv / dt
I
S
=-8.2A,
V
DS
= -24V ,的di / dt = 200A / μs的,
T
JMAX
=150°C
门源电压
功耗
T
A
=25°C
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
第1页
2002-01-08
初步数据
热特性
参数
特征
热阻,结 - 焊接点
SMD版本, PCB上的元件:
@分钟。足迹,T < 10S
@ 6厘米
2
散热面积
1)
BSO303P
符号
分钟。
R
thjs
R
thJA
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
50
110
62.5
单位
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
=0,
I
D
=-250A
符号
分钟。
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
DSS
-
-
I
GSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
-
-
-
-30
-1
典型值。
-
-1.5
马克斯。
-
-2
单位
V
栅极阈值电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=-100A
零栅极电压漏极电流
V
DS
=-30V,
V
GS
=0,
T
j
=25°C
V
DS
=-30V,
V
GS
=0,
T
j
=150°C
A
-0.1
-10
-10
26
18
-1
-100
-100
32
21
nA
m
栅极 - 源极漏电流
V
GS
=-20V,
V
DS
=0
漏源导通电阻
V
GS
=-4.5V,
I
D
=-6.6A
漏源导通电阻
V
GS
=-10V,
I
D
=-8.2A
1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的不吹空调;吨
≤10
美国证券交易委员会。
第2页
2002-01-08
初步数据
电气特性,
at
T
j
= 25℃,除非另有说明
参数
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-15V,
V
GS
=-10V,
I
D
=-1A,
R
G
=6
V
DS
≥2*I
D
*R
DS ( ON)最大值
I
D
=-6.6A
V
GS
=0,
V
DS
=-25V,
f=1MHz
BSO303P
符号
条件
分钟。
11
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
22
1761
495
410
10.6
12.9
55.4
39.3
马克斯。
-
-
-
-
15.9
19.3
83.1
59
单位
S
pF
ns
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
逆二极管连续
正向电流
逆二极管直流,
脉冲
逆二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
SD
t
rr
Q
rr
V
GS
=0, |I
F
| = |I
D
|
V
R
= -15V , |我
F
|
=
|l
D
|,
di
F
/dt=100A/s
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
DD
=-24V,
I
D
=-8.2A
-
-
-
-
-4.25
-15.2
-48.3
-2.4
-6.4
-23
-72.5
-
nC
V
DD
=-24V,
I
D
=-8.2A,
V
GS
= 0至-10V
V
(高原)
V
DD
=-24V,
I
D
=-8.2A
V
I
S
I
SM
T
A
=25°C
-
-
-
-
-
-
-
-0.88
24.4
12.8
-2.2
-32.4
-1.32
36.6
19.2
A
ns
nC
第3页
2002-01-08
初步数据
1功耗
P
合计
=
f
(T
A
)
2.6
BSO303P
BSO303P
2漏极电流
I
D
=
f
(T
A
)
参数: | V
GS
|≥ 10 V
-10
BSO303P
W
2.2
2
1.8
A
-8
-7
P
合计
1.6
1.4
I
D
20
40
60
80
100
120
-6
-5
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
-1
0
0
-4
-3
-2
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
3安全工作区
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数:
D
= 0 ,
T
A
= 25 °C
-10
2
BSO303P
4瞬态热阻抗
Z
thjs
=
f
(t
p
)
参数:
D
=
t
p
/T
10
2
BSO303P
/
I
D
=
R
S(
D
on
)
A
V
D
S
K / W
t
P = 90.0μs
100 s
10
1
1毫秒
-10
1
Z
thjs
10
0
I
D
10毫秒
-10
0
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
DC
0.02
10
-3
-10
-1
单脉冲
-10
-2 -1
-10
10
-4 -7
10
0.01
-10
0
-10
1
V
-10
2
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
V
DS
第4页
t
p
2002-01-08
初步数据
5典型。输出特性
I
D
=
f
(V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 s
70
BSO303P
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
=
f
(I
D
)
参数:
V
GS
0.06
VGS = -3V
VGS = -3.5V
A
60
55
50
VGS = -4V
R
DS ( ON)
VGS = -5V
VGS = -6V
VGS = -7V
VGS = -10V
VGS = -4.5V
VGS = -4V
-
I
D
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
VGS = -2.5V
VGS = -3V
VGS = -3.5V
0.04
0.03
VGS = -4.5V
0.02
0.01
VGS = -5V
VGS = -6V
VGS = -8V
VGS = -10V
10
15
20
25
30
V
10
0
5
A
-
I
D
40
-
V
DS
7典型。传输特性
I
D
=
f
(
V
GS
); |V
DS
|≥ 2× | I
D
| x
R
DS ( ON)最大值
参数:
t
p
= 80 s
35
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25°C
参数:
t
P = 80微秒
40
A
S
25
-
I
D
20
20
15
10
10
5
0
0
g
fs
0.5
1
1.5
2
2.5
3
4
V
-
V
GS
0
0
5
10
15
20
25
A
-
I
D
35
第5页
2002-01-08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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