添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第440页 > BSO119N03S
BSO119N03S
的OptiMOS
2电源晶体管
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的笔记本电脑的DC / DC
根据JEDEC合格
1
为目标的应用
N沟道
逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
额定雪崩
dv / dt的额定
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
11.9
11
V
m
A
P-DSO-8
TYPE
BSO119N03S
包
P-DSO-8
订购代码
Q67042-S4211
记号
119N3S
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
价值
10秒]
连续漏电流
I
D
T
A
=25 °C
2)
T
A
=70 °C
2)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
2)
2.5
T
A
=25 °C
3)
I
D
=11 A,
R
GS
=25
I
D
=11 A,
V
DS
=20 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
11
9.1
44
58
6
±20
1.56
-55 ... 150
55/150/56
mJ
KV / μs的
V
W
°C
稳定状态
9.0
7.2
A
单位
修订版1.11
第1页
2004-02-09
BSO119N03S
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
t
p
≤10
s
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
2)
,
t
p
≤10
s
6厘米
2
散热面积
2)
,
稳定状态
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=25 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=10 A
V
GS
=10 V,
I
D
=11 A
栅极电阻
跨
1)
2)
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
35
K / W
R
thJA
-
-
110
-
-
150
-
-
50
-
-
80
30
1.2
-
-
1.6
0.1
-
2
1
V
A
-
-
-
-
-
10
10
13
9.9
0.9
30
100
100
16.3
11.9
-
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=11 A
15
J- STD20和JESD22
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
3)
见图3
修订版1.11
第2页
2004-02-09
BSO119N03S
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=2.5 A,
T
j
=25 °C
V
R
=12 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.75
2.5
44
1
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
G（同步）
Q
OSS
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0至5伏
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=5.5 A,
V
GS
= 0至5伏
-
-
-
-
-
-
-
-
3.7
2.1
2.5
4.1
10
2.8
8.8
11
4.9
2.8
3.7
5.8
13
-
12
15
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=5.5 A,
R
G
=2.7
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1300
470
62
4.3
3.8
18
2.8
1730
630
93
6.5
5.7
27
4.2
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复电荷
Q
rr
-
-
10
nC
4)
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.11
第3页
2004-02-09
BSO119N03S
1功耗
P
合计
= F （T
A
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥10
V;
t
p
≤10
s
3
12
2.5
10
2
8
P
合计
[W]
1.5
I
D
[A]
0
40
80
120
160
6
1
4
0.5
2
0
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3 ，操作安全区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
10
2
100
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
10 s
0.5
100 s
100
10
1
10
10
1
限于由导通状态
阻力
1毫秒
10
0.2
0.1
Z
thjs
〔 K / W〕
0.05
0.02
1
I
D
[A]
10
0
1
10
0
10毫秒
10 s
0.01
10
-1
0.1
10
-1
DC
单脉冲
0.1
10
-2
0.01
0.1
1
10
100
10
-2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
V
DS
[V]
10
1
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
修订版1.11
第4页
2004-02-09
BSO119N03S
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
20
10 V
4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
30
25
3.3 V
15
3.4 V
3.2 V
3.6 V
20
3.1 V
3.8 V
4V
R
DS （ ON）
[m
]
I
D
[A]
10
3V
15
4.2 V
4.5 V
5V
10
5
2.8 V
10 V
5
2.6 V
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
40
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
30
40
20
g
fs
[S]
125 °C
25 °C
I
D
[A]
30
20
10
10
0
0
1
2
3
4
0
0
10
20
30
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.11
第5页
2004-02-09
查看更多BSO119N03SPDF信息
推荐型号
B82476B1105M000
BB909A
B43304E2567M002
BD45475G
B82801A0333A020
BF392P
BA93-5R-28V-P
B43584E2688M003
BUK9556-30
B43508G2827M002
BD813
B39860-B4874-Z710
BZG01-C180
BY226S_06
BK1005HS102
BCL565050-221K
BD5332
BA5932
BP5037
BTB10-200B
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSO119N03S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BSO119N03S
Infineon Technologies
2436+
3800
SOIC-8
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
BSO119N03S
INFINEON
2016+
6523
SOP8
只做进口原装现货假一赔十！
瀚佳科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3449124707 复制 点击这里给我发消息 QQ：3441530696 复制 点击这里给我发消息 QQ：2480898381 复制

电话：0755-23140719/23915992
联系人：李先生 李小姐
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
BSO119N03S
INFINEON
24+
68500
SOP8
一级代理/放心采购
深圳和润天下电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BSO119N03S
INFINEON
22+
12500
SOP8
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
芯惠（深圳）电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881724897 复制

电话：0755-82525087
联系人：肖
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西4楼4B20
BSO119N03S
INFINEON
21+
5000
SOP8
原装现货，特价
深圳市向鸿伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ：1298863740 复制

电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BSO119N03S
INFINEON/英飞凌
24+
9265
SOP8L
新到原装现货热卖
上海意淼电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2675049463 复制

电话：13681678667
联系人：吴
地址：上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
BSO119N03S
INFINEON
23+
33500
SOP
只做进口原装，假一赔十；欢迎致电：杨先生15001712988
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
BSO119N03S
NFINEON/英飞凌
24+
30000
优质供应商，代理功率器件
深圳市信佳源电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：870509204 复制 点击这里给我发消息 QQ：1016611765 复制

电话：13691818754
联系人：陈小姐
地址：福田区深南中路3006号佳和大厦
BSO119N03S
INFINEON/英飞凌
0936+
69
SOP8
原装现货
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
BSO119N03S
INFINEON
2019+
15000
SOP-8
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
查询更多BSO119N03S供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！