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BSO080P03S
的OptiMOS -P
功率晶体管
特点
P沟道
增强型
逻辑电平
150 ° C的工作温度
根据JEDEC的目标应用合格
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-30
8
-14.9
V
m
A
PG-DSO-8
TYPE
BSO080P03S
包
P-DSO-8
记号
080P3S
无铅
是的
无卤
是的
填料
干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
价值
≤10
秒
连续漏电流
I
D
T
A
=25 °C
1)
T
A
=70 °C
1)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
JESD22- A114 HBM
260
55/150/56
T
A
=25 °C
1)
2.5
T
A
=25 °C
2)
I
D
=-14.9 A,
R
GS
=25
-14.9
-11.9
-60
248
±25
1.79
-55 ... 150
mJ
V
W
°C
稳定状态
-12.6
-10
A
单位
修订版1.31
第1页
2010-02-10
BSO080P03S
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
t
p
≤10
s
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
t
p
≤10
s
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
35
K / W
R
thJA
-
-
110
-
-
150
-
-
50
-
-
70
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-250 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=-25 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-10 V,
I
D
=-14.9 A
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-14.9 A
-30
-1
-
-1.5
-
-2.2
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-10
-
6.7
-100
-100
8.0
nA
跨
g
fs
22
43
-
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
1)
修订版1.31
第2页
2010-02-10
BSO080P03S
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
3)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-14.9 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=-14.9A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-0.82
-2.1
-60
-1.2
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=-15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=-24 V,
I
D
=-14.9 A,
V
GS
= 0至-10 V
-
-
-
-
-
-
-
-11
-7.1
-35
-40
-102
-2.5
-36
-59
-136
-
-48
V
-15
-9.5
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15 V,
V
GS
=-10 V,
I
D
=-1 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
4430
1180
970
15
22
130
110
5890
1570
1500
23
33
195
165
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
32
40
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
-20
-25
nC
2)
3)
见图3
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.31
第3页
2010-02-10
BSO080P03S
1功耗
P
合计
= F （T
A
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
A
); |V
GS
|≥10 V;
t
p
≤10
s
3
16
2.5
12
2
P
合计
[W]
1.5
-I
D
[A]
0
40
80
120
160
8
1
4
0.5
0
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
10
2
100
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
10 s
1 s
100 s
0.5
100
10
1
10
限于由导通状态
阻力
1毫秒
10
1
0.2
10
0.1
0.05
Z
thjs
〔 K / W〕
10毫秒
-I
D
[A]
0.02
10
0
1
10
0
1
0.01
10
-1
0.1
10
-1
DC
0.1
单脉冲
10
-2
0.01
0.1
1
10
100
10
-2
2
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
10
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
t
p
[s]
10
-2
10
-1
10
0
10
1
修订版1.31
第4页
2010-02-10
BSO080P03S
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
-10 V
-4.5 V
-3.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
25
2.5
2.7
3.0
50
-3.2 V
20
3.2
40
R
DS （ ON）
[m
]
-3 V
15
3.5
-I
D
[A]
30
10
4.5
20
-2.7 V
10
-2.5 V
10
5
-2.3 V
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
60
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
60
50
40
40
-I
D
[A]
30
20
g
fs
[S]
20
C °150
C °25
10
0
0
1
2
3
4
0
0
10
20
30
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
修订版1.31
第5页
2010-02-10
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