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BSO065N03MS摹
的OptiMOS
3 M系列功率MOSFET
特点
优化了5V驱动应用（笔记本电脑， VGA ， POL ）
低FOM
SW
高频开关电源
100 ％雪崩测试
N沟道
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
@
V
GS
=4.5 V
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
合格消费级应用程序
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=10 V
V
GS
=4.5 V
I
D
30
6.5
8
16
A
V
m
PG-DSO-8
TYPE
BSO065N03MS摹
包
PG-DSO-8
记号
065N03MS
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号条件
10秒]
连续漏电流
1)
I
D
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=90 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=90 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩电流，单脉冲
3)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
1)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
2.5
T
A
=25 °C
T
A
=25 °C
I
D
=16 A,
R
GS
=25
16
10.9
14.2
9.8
112
16
60
±20
1.56
-55 ... 150
55/150/56
mJ
V
W
°C
价值
稳定状态
13
8.6
11
7.8
A
单位
Rev.1.1
第1页
2009-11-19
BSO065N03MS摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 焊接点
热阻，
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹，
t
p
≤10
s
最小的足迹，
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
t
p
≤10
s
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
35
K / W
R
thJA
-
-
110
-
-
150
-
-
50
-
-
80
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=14.2 A
V
GS
=10 V,
I
D
=16 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=16 A
30
1
-
-
-
0.1
-
2
10
A
V
-
-
-
-
0.6
25
10
10
6.4
5.4
1.3
50
100
100
8
6.5
2.3
-
S
nA
m
1)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
2)
3)
Rev.1.1
第2页
2009-11-19
BSO065N03MS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
4)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=16 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=16 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
6.4
3.7
3.2
5.9
14.4
2.8
30
-
-
-
-
19
-
40
V
nC
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=4.5 V,
I
D
=16 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
2300
710
47
12.2
6.2
15.6
6.4
3100
940
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
12.5
18.4
16.6
25
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=16 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.84
3
112
1.1
A
V
反向恢复电荷
4)
Q
rr
-
-
12
nC
参见图16栅极电荷参数定义
Rev.1.1
第3页
2009-11-19
BSO065N03MS摹
1功耗
P
合计
= F （T
A
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
t
p
≤10
s
参数：
V
GS
3
16
14
2.5
12
2
10
4.5 V
P
合计
[W]
I
D
[A]
1.5
8
10 V
6
1
4
0.5
2
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C
2)
;
D
=0
参数：
t
p
10
3
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
2)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
限于由导通状态
阻力
0.5
10
2
10 s
1 s
0.2
10
100 s
1
0.1
I
D
[A]
1毫秒
10
1
Z
thJA
〔 K / W〕
0.05
10毫秒
0.02
10
0
10
0
0.01
100毫秒
单脉冲
10 s
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
DS
[V]
t
p
[s]
Rev.1.1
第4页
2009-11-19
BSO065N03MS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
120
10 V
5V
4.5 V
4V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
14
2.8 V
100
12
3V
10
80
3.2 V
R
DS （ ON）
[m
]
3.5 V
8
4V
4.5 V
5V
10 V
I
D
[A]
60
3.5 V
6
40
3.2 V
4
3V
20
2.8 V
2
0
0
1
2
3
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
120
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
70
100
60
50
80
40
60
g
fs
[S]
150 °C
25 °C
I
D
[A]
30
40
20
20
10
0
0
1
2
3
4
5
0
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
[V]
I
D
[A]
Rev.1.1
第5页
2009-11-19
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