BSO040N03MS摹
的OptiMOS
3 M系列功率MOSFET
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
V
GS
=10 V
V
GS
=4.5 V
I
D
30
4
4.9
20
A
V
m
特点
优化了5V驱动应用(笔记本电脑, VGA , POL )
低FOM
SW
高频开关电源
100 %雪崩测试
N沟道
极低的导通电阻
R
DS ( ON)
@
V
GS
=4.5 V
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
合格消费级应用程序
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
PG-DSO-8
TYPE
BSO040N03MS摹
包
PG-DSO-8
记号
040N03MS
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号条件
10秒]
连续漏电流
1)
I
D
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=90 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=90 °C
漏电流脉冲
2)
雪崩电流,单脉冲
3)
雪崩能量,单脉冲
门源电压
功耗
1)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
I
D,脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
T
A
=25 °C
2.5
T
A
=25 °C
T
A
=25 °C
I
D
=20 A,
R
GS
=25
20
13.9
18
12.6
140
20
150
±20
1.56
-55 ... 150
55/150/56
mJ
V
W
°C
价值
稳定状态
16
11
14
9.9
A
单位
Rev.1.1
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BSO040N03MS摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻,
结 - 焊接点
热阻,
结 - 环境
R
thjs
最小的足迹,
t
p
≤10
s
最小的足迹,
稳定状态
6厘米
2
散热面积
1)
,
t
p
≤10
s
6厘米
2
散热面积
1)
,
稳定状态
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
35
K / W
R
thJA
-
-
110
-
-
150
-
-
50
-
-
80
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=18 A
V
GS
=10 V,
I
D
=20 A
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=20 A
30
1
-
-
-
0.1
-
2
10
A
V
-
-
-
-
0.7
38
10
10
3.9
3.3
1.5
75
100
100
4.9
4
2.6
-
S
nA
m
1)
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
参见图13更详细的信息
2)
3)
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