飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
MDA163
BSN20
手册， halfpage
24
手册， halfpage
80
MDA162
RDSON
()
16
RDSON
()
(1)
60
(2)
40
(3)
8
20
0
1
10
10
2
ID （MA ）
10
3
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 2.5 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 10 V.
V
DS
= 0.1 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.7
Fig.6
漏极 - 源极导通电阻为
漏电流的函数;典型值。
漏极 - 源极导通电阻为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值。
MRA785
MRA784
手册，
1.2
halfpage
2
手册， halfpage
k
(2)
k
1.1
1.6
(1)
1
1.2
0.9
0.8
0.8
0.7
50
0
50
100
TJ （
o
C)
150
0.4
50
0
50
100
TJ （
o
C)
150
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
典型的V
gsth
为1 mA 。
R
DSON
在T
j
k
=
----------------------------------------
-
R
DSON
在25
°C
(1) I
D
= 10毫安; V
GS
= 2.5 V.
(2) I
D
= 100毫安; V
GS
= 10 V.
Fig.8
栅 - 源温度COEF网络cient
阈值电压。
Fig.9
的漏极 - 源极温度系数
通态电阻。
1997年6月18日
5
BSN20
N沟道增强型MOSFET领域
产品概述
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
1.8 @ V
GS
= 10V
50V
2.0 @ V
GS
= 4.5V
450mA
I
D
T
A
= 25°C
500mA
特点和优点
低导通电阻
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
新产品
说明与应用
这种新一代的MOSFET的设计，以减少导通
态电阻（R
DS （ ON）
），并同时保持出色的开关
性能，使其非常适用于高效率电源管理
应用程序。
背光
DC- DC转换器
电源管理功能
机械数据
案例： SOT23
外壳材料：模压塑料“绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成了退火合金引线框架42
（无铅电镀） 。每MIL -STD- 202方法208
终端连接：见图
重量： 0.008克（近似值）
SOT23
漏
D
门
来源
G
S
顶视图
等效电路
顶视图
订购信息
（注3）
产品型号
BSN20-7
注意事项：
例
SOT23
包装
3000 /磁带&卷轴
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
N20
N20 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年（例如： W = 2009）
M =月（例如： 9 =九月）
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2009
W
JAN
1
FEB
2
2010
X
MAR
3
APR
4
YW
2011
Y
五月
5
2012
Z
JUN
6
JUL
7
2013
A
八月
8
SEP
9
2014
B
十月
O
NOV
N
2015
C
DEC
D
BSN20
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BSN20
最大额定值
特征
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
稳定
状态
@ T
SP
= 25 （注4 ）
漏电流脉冲@ T
SP
= 25 ° C（注4 & 5 ）
符号
V
DSS
V
GSS
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
I
D
I
DM
价值
50
±20
500
300
1.2
单位
V
V
mA
A
热特性
新产品
特征
功耗@T
A
= 25 （注4 ）
热阻，结到环境@T
A
= 25 （注4 ）
功耗@T
SP
= 25 （注4 ）
热阻， @T
SP
= 25 （注4 ）
工作和存储温度范围
.
符号
P
D
R
θ
JA
P
D
R
θ
JSP
T
J
, T
英镑
价值
600
200
920
136
-55到+150
单位
mW
° C / W
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
开关特性（注6 ）
漏源击穿电压
零栅压漏电流T
J
= 25°C
门体漏
基本特征（注6 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压
源（二极管正向）电流
峰源（二极管正向）电流
动态特性（注7 ）
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
注意事项：
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
V
SD
I
S
I
SM
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
民
50
-
-
0.4
-
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.0
1.3
1.6
320
1.0
-
-
21.8
5.6
3.3
49
800
100
100
2.93
2.99
9.45
8.3
最大
-
0.5
±100
1.5
1.8
2.0
-
1.5
194
1.2
40
15
10
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nA
V
Ω
mS
V
mA
A
pF
pF
pF
pC
pC
pC
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250μA
V
DS
= 50V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.22A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 0.1A
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.1A
V
GS
= 0V时，我
S
= 180毫安
T
SP
= 25°C
T
SP
= 25 ° C（注3 & 4 ）
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DS
=0V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
= 10V, V
DD
= 25V,
I
D
= 250毫安
V
DD
= 30V, V
根
= 10V,
R
L
= 150, R
根
= 50,
I
D
= 0.2A
4.设备安装在FR- 4印刷电路板，以最小的推荐焊盘布局。
5.重复等级，脉冲宽度有限的结温。
6.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
7.通过设计保证。不受生产测试。
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BSN20
0.7
0.6
0.5
0.4
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.8
0.7
I
D
，漏源电流（A ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
150
°
C
25
°
C
V
DS
= 5V
I
D
，漏源电流（A ）
0.3
0.2
0.1
0
V
GS
= 3.0V
新产品
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
DS
，漏源电压（V ）
图。 5漏源电流和漏源电压
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 6传输特性
4
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.1
V
GS
= 3.5V
V
GS
= 4.0V
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻（
Ω
)
10
2.5
2.0
V
GS
= 10V
I
D
= 500毫安
1.5
V
GS
= 4.5V
I
D
= 200毫安
1.0
0.5
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6 0.7
I
D
，漏电流（A）
图。 7漏源导通电阻与漏电流
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 8漏源导通电阻与结温
0.5
0
-50
2.4
V
GS （ TH）
，栅极阈值电压（ V）
2.0
I
D
，漏源电流（A ）
0.4
1.6
I
D
= 1.0毫安
0.3
1.2
0.2
0.8
I
D
= 250A
0.4
0.1
150
°
C
125
°
C
85
°
C
25
°
C
-55
°
C
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图。 9栅极阈值电压与结温
0
-50
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
，栅源电压（V ）
图。 10传输特性
4
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