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BSM 75 GD 120 DN2
IGBT功率模块
初步数据
焊电源模块
3相全桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 75 GD 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
1200
1200
单位
V
V
CE
I
C
包
ECONOPACK 3
订购代码
C67070-A2516-A67
1200V 103A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
103
75
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
206
150
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
520
W
+ 150
-55 ... + 150
≤
0.235
≤
0.55
2500
16
11
F
55 / 150 / 56
-
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Mar-27-1996
BSM 75 GD 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
-
-
2.5
3.1
1
4
-
3
3.7
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
= 15 V,
I
C
= 75 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 75 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
-
1.5
-
mA
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
-
320
nA
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
31
-
5.1
0.72
0.38
-
S
nF
-
-
-
-
V
CE
= 20 V,
I
C
= 75 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Mar-27-1996
BSM 75 GD 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
30
60
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 75 A
R
坤
= 15
上升时间
t
r
-
70
140
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 75 A
R
坤
= 15
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
450
600
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 75 A
R
高夫
= 15
下降时间
t
f
-
70
100
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 75 A
R
高夫
= 15
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2.3
1.8
2.8
-
V
I
F
= 75 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 75 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
-
0.125
-
s
I
F
= 75 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -900 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
Q
rr
C
I
F
= 75 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 25 °C
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
di
F
/ DT = -900 A / μs的，
T
j
= 25 °C
-
-
3.2
10
-
-
半导体集团
3
Mar-27-1996
BSM 75 GD 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
550
W
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
tp
= 14.0s
P
合计
450
400
350
300
250
200
I
C
10
2
100 s
10
1
1毫秒
10毫秒
150
100
10
0
DC
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
120
A
100
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
I
C
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
Z
thJC
10
-1
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
半导体集团
4
Mar-27-1996
BSM 75 GD 120 DN2
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
150
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
150
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
V
5
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
150
A
I
C
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
5
Mar-27-1996
查看更多BSM75GD120DN2PDF信息
推荐型号
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B43601A9187M080
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B57331V2223+060
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