【BSM 75 GAL 120 DN2IGBT功率模块单开关，集电极菜刀二极管包括快速续流二极管与绝缘】,IC型号BSM75GAR120DN2,BSM75GAR120DN2 PDF资料,BSM75GAR120DN2经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSM 75 GAL 120 DN2

IGBT功率模块

单开关，集电极菜刀二极管

包括快速续流二极管

与绝缘金属基板封装

TYPE

BSM 75 GAL 120 DN2

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

= 20 k

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

= 25 °C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

= 1毫秒

= 25 °C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

二极管热敏电阻，芯片的情况下，斩波器

绝缘测试电压，

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

英镑

thJC

thJCD

THJCDC

合计

625

+ 150

-40 ... + 125

≤

0.2

≤

0.5

≤

0.36

2500

40 / 125 / 56

美国证券交易委员会

VAC

K / W

°C

Cpuls

210

150

105

符号

CGR

1200

± 20

值

1200

单位

包

订购代码

1200V 105A

半桥GAL 1 C67076 - A2011 - A70

Nov-24-1997

BSM 75 GAL 120 DN2

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

栅极阈值电压

CE，

= 2毫安

集电极 - 发射极饱和电压

= 15 V,

= 75 A,

= 25 °C

= 15 V,

= 75 A,

= 125 °C

零栅极电压集电极电流

= 1200 V,

= 0 V,

= 25 °C

= 1200 V,

= 0 V,

= 125 °C

栅极 - 发射极漏电流

= 20 V,

= 0 V

AC特性

跨

= 20 V,

= 75 A

输入电容

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

输出电容

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

反向传输电容

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

RSS

0.3

OSS

0.8

国际空间站

5.5

GES

400

CES

1.4

CE （ SAT ）

2.5

3.1

3.7

GE （日）

4.5

5.5

6.5

值

典型值。

马克斯。

单位

Nov-24-1997

BSM 75 GAL 120 DN2

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

开关特性，感性负载时

= 125 °C

导通延迟时间

= 600 V,

= 15 V,

= 75 A

坤

= 15

上升时间

= 600 V,

= 15 V,

= 75 A

坤

= 15

打开-O FF延迟时间

= 600 V,

= -15 V,

= 75 A

高夫

= 15

下降时间

= 600 V,

= -15 V,

= 75 A

高夫

= 15

续流二极管

二极管的正向电压

= 75 A,

= 0 V,

= 25 °C

= 75 A,

= 0 V,

= 125 °C

反向恢复时间

= 75 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -900 A / μs的，

= 125 °C

反向恢复电荷

= 75 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -900 A / μs的

= 25 °C

= 125 °C

3.2

0.125

1.8

2.5

100

450

600

D（关闭）

140

D（上）

值

典型值。

马克斯。

单位

Nov-24-1997

BSM 75 GAL 120 DN2

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

菜刀二极管

斩波二极管的正向电压

= 100 A,

= 0 V,

= 25 °C

= 100 A,

= 0 V,

= 125 °C

反向恢复时间，斩波器

= 100 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -1000 A / μs的，

= 125 °C

反向恢复电荷，菜刀

= 100 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -1000 A / μs的

= 25 °C

= 125 °C

RRC

0.125

RRC

1.8

2.5

Nov-24-1997

IGBT -模块

IGBT模块

%60*$/'1 %60*$5'1

Gehusemae / Schaltbild

封装外形/电路图

PIN 6和7

GAL类型

只

PIN 4和5

GAR型

只

GAL类型

GAR型

绘图更新09月21-98

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