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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第507页 > BSM50GX120DN2
BSM 50 GB 120 DN2
IGBT功率模块
半桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 50 GB 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
V
CE
I
C
包
半桥1
订购代码
C67076-A2105-A70
1200V 78A
符号
V
CE
V
CGR
值
1200
1200
单位
V
V
GE
I
C
± 20
A
78
50
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
I
Cpuls
156
100
P
合计
400
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
+ 150
-40 ... + 125
≤
0.3
≤
0.6
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
W
1
Oct-21-1997
BSM 50 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 2毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
V
CE
= 20 V,
I
C
= 50 A
输入电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
RSS
-
0.25
-
C
OSS
-
0.5
-
C
国际空间站
-
3.3
-
g
fs
23
-
-
nF
S
I
GES
-
-
200
I
CES
-
-
0.8
3.5
1
-
nA
V
CE （ SAT ）
-
-
2.5
3.1
3
3.7
mA
V
GE （日）
4.5
5.5
6.5
V
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Oct-21-1997
BSM 50 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
坤
= 22
上升时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 50 A
R
坤
= 22
打开-O FF延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
高夫
= 22
下降时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 50 A
R
高夫
= 22
续流二极管
二极管的正向电压
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
I
F
= 50 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
I
F
= 50 A,
V
GE
= 0 V
V
R
= -600 V,
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 25 °C
V
R
- 600 V,
di
F
/ DT - 800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
-
-
2.8
8
-
-
Q
rr
-
0.2
-
C
t
rr
V
F
-
-
2.3
1.8
2.8
-
s
V
-
70
100
t
f
-
380
500
t
D（关闭）
-
56
100
t
r
-
44
100
t
D（上）
ns
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Oct-21-1997
BSM 50 GB 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
450
W
P
合计
350
300
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
t
= 14.0s
p
I
C
10
2
100 s
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
1
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
10
-1
0
10
1
2
3
10
10
10
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
90
A
I
C
70
60
50
40
30
20
10
0
0
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
K / W
Z
thJC
10
-1
IGBT
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
10
-3
单脉冲
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
4
Oct-21-1997
BSM 50 GB 120 DN2
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
100
A
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
100
A
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
100
A
I
C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
5
Oct-21-1997
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型号
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封装
单价/备注
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
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地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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