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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第604页 > BSM35GB120DN2
BSM 35 GB 120 DN2
IGBT功率模块
半桥
包括快速续流二极管
倍增二极管区
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 35 GB 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
P
合计
280
+ 150
-40 ... + 125
≤
0.44
≤
0.8
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
I
Cpuls
100
70
W
V
GE
I
C
50
35
符号
V
CE
V
CGR
1200
± 20
A
值
1200
单位
V
V
CE
I
C
包
半桥1
订购代码
C67070-A2111-A70
1200V 50A
1
Oct-21-1997
BSM 35 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 1.2毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
V
CE
= 20 V,
I
C
= 35 A
输入电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
RSS
-
0.14
-
C
OSS
-
0.3
-
C
国际空间站
-
2
-
g
fs
11
-
-
nF
S
I
GES
-
-
150
I
CES
-
-
0.6
2.4
1
-
nA
V
CE （ SAT ）
-
-
2.7
3.3
3.2
3.9
mA
V
GE （日）
4.5
5.5
6.5
V
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Oct-21-1997
BSM 35 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A
R
坤
= 39
上升时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A
R
坤
= 39
打开-O FF延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 35 A
R
高夫
= 39
下降时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 35 A
R
高夫
= 39
续流二极管
二极管的正向电压
I
F
= 35 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 35 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
I
F
= 35 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
I
F
= 35 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
2
5
-
-
Q
rr
-
0.25
-
C
t
rr
V
F
-
-
2.3
1.9
2.8
-
s
V
-
50
75
t
f
-
400
600
t
D（关闭）
-
60
120
t
r
-
60
120
t
D（上）
ns
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Oct-21-1997
BSM 35 GB 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
300
W
260
P
合计
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
I
C
10
2
t
= 18.0s
p
100 s
10
1
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
55
A
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
K / W
Z
thJC
10
-1
IGBT
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-3
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
4
Oct-21-1997
BSM 35 GB 120 DN2
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
70
A
60
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
70
A
60
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
70
A
60
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
5
Oct-21-1997
BSM 35 GB 120 DN2
IGBT功率模块
初步数据
半桥
包括快速续流二极管
倍增二极管区
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 35 GB 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
1200
1200
单位
V
V
CE
I
C
包
半桥1
订购代码
C67070-A2111-A70
1200V 50A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
50
35
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
100
70
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
P
合计
280
W
+ 150
-55 ... + 150
≤
0.44
≤
0.8
2500
20
11
F
55 / 150 / 56
-
VAC
mm
K / W
°C
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
半导体集团
1
Mar-28-1996
BSM 35 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.7
3.3
0.6
2.4
-
6.5
3.2
3.9
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 1.2毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
-
1
-
mA
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
-
150
nA
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
11
-
2
0.3
0.14
-
S
nF
-
-
-
-
V
CE
= 20 V,
I
C
= 35 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Mar-28-1996
BSM 35 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
60
120
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A
R
坤
= 39
上升时间
t
r
-
60
120
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 35 A
R
坤
= 39
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
400
600
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 35 A
R
高夫
= 39
下降时间
t
f
-
50
75
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 35 A
R
高夫
= 39
续流二极管
二极管的正向电压
V
F
-
-
2.3
1.9
2.8
-
V
I
F
= 35 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 35 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
t
rr
-
0.25
-
s
I
F
= 35 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
Q
rr
C
I
F
= 35 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
2
5
-
-
半导体集团
3
Mar-28-1996
BSM 35 GB 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
300
W
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
A
P
合计
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
I
C
10
2
tp
= 18.0s
100 s
10
1
1毫秒
10
0
10毫秒
DC
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-1
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
55
A
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
I
C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
Z
thJC
10
-1
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
半导体集团
4
Mar-28-1996
BSM 35 GB 120 DN2
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
70
A
60
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
70
A
60
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
5
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
70
A
60
I
C
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
5
Mar-28-1996
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BRUS640
B12J800E
B81130C1333M
B81130-C1333-M
BZX55T11A
B39331-B3839-Z710
BZX84B4V7
BZX84-B4V7
B84143-B400-S24
BAJ2DD0WHFP
BT139B-500H
B37940J5221C570
B82422-A1393-+100
BUK100-50GS
B43540C9227M060
B43303H0227M000
B32529C0474K189
B43890C5226M001
B41890A5228M000
B82498B3331J
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSM35GB120DN2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
创升扬电子商行
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：877457095 复制 点击这里给我发消息 QQ：551130546 复制
电话：0755-82539336
联系人：陈
地址：深圳市福田区华强电子世界一店1号楼3楼13C156房间（老华强1号楼21号门的12-13号货梯旁）。
BSM35GB120DN2
INFINEON/英飞凌
24+
300
MODULE
原装拆机现货/部分全新原装现货欢迎来电
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BSM35GB120DN2
Infineon Technologies
2417+
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