TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 20 GD 60 DLC E3224
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
2
余吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
t
P
为1ms
T
C
= 80°C
T
C
= 25°C
t
P
为1ms ，T
C
= 80°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
600
20
32
40
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
125
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
20
A
I
FRM
40
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
I
2
t
130
A
2
s
RMS中，f = 50Hz时， T = 1分。
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 0,5mA ，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
CE坐
分钟。
-
-
V
GE （日）
4,5
典型值。
1,95
2,20
5,5
马克斯。
2,45
-
6,5
V
V
V
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
1,1
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 600V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
水库
-
-
-
0,07
1
1
-
-
500
-
400
nF
A
mA
nA
I
CES
I
GES
-
准备：安德烈亚斯·维特尔
批准：迈克尔· Hornkamp
发布日期： 2000-04-26
修订： 1
1 (8)
BSM 20 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 20 GD 60 DLC E3224
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 125°C
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 125°C
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 125°C
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 27, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
MODUL - Leitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
引线电阻，接线端子 - 芯片
T
C
= 25°C
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 27, T
vj
= 125 ℃下，L-
σ
= 15nH
I
C
= 20A ，V
CC
= 300V, V
GE
= 15V
R
G
= 27, T
vj
= 125 ℃下，L-
σ
= 15nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=360V, V
CEmax
=V
CES
-L
σCE
· di / dt的
E
on
t
f
-
-
-
18
21
0,68
-
-
-
ns
ns
mJ
t
D，关
-
-
107
125
-
-
ns
ns
t
r
-
-
23
24
-
-
ns
ns
t
D，上
-
-
45
47
-
-
ns
ns
分钟。
典型值。
马克斯。
E
关闭
-
0,38
-
mJ
I
SC
-
80
-
A
L
σCE
-
60
-
nH
R
CC' + EE '
-
10
-
m
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 20A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 20A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 20A ， - 二
F
/ DT = 900A /微秒
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 20A ， - 二
F
/ DT = 900A /微秒
Sperrverzgerungsladung
recoverred费
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 20A ， - 二
F
/ DT = 900A /微秒
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 300V, V
GE
= -10V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
-
0,43
-
-
mJ
mJ
Q
r
-
-
1,4
2,4
-
-
C
C
I
RM
-
-
21
25
-
-
A
A
V
F
分钟。
-
-
典型值。
1,25
1,20
马克斯。
1,6
-
V
V
2 (8)
BSM 20 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 20 GD 60 DLC E3224
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1W / M * K /
λ
油脂
= 1W / M * K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
典型值。
-
-
0,02
马克斯。
1,0
1,5
-
K / W
K / W
K / W
T
vj
-
-
150
°C
T
op
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Gewicht
重量
M
Al
2
O
3
225
4
-15
180
+15
Nm
%
g
G
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。
它是在与所属技术说明组合有效。
3 (8)
BSM 20 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 20 GD 60 DLC E3224
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
40
35
30
25
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
C
[A]
20
15
10
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
40
35
30
25
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
I
C
[A]
20
15
10
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
4 (8)
BSM 20 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 20 GD 60 DLC E3224
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
40
35
30
25
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
C
[A]
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
40
35
30
25
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
F
= F（V
F
)
I
F
[A]
20
15
10
5
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
V
F
[V]
5 (8)
BSM 20 GD 60 DLC E3224
2000-02-08
QQ：2880707522 复制
