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BSM 200 GB 120 DL

IGBT功率模块

初步数据

低损耗IGBT

低电感半桥

包括快速续流二极管

与绝缘金属基板封装

TYPE

BSM 200 GB 120 DL

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

符号

值

1200

1200

单位

V

V

CE

I

C

包

半桥2

订购代码

C67076-A2300-A70

1200V 340A

V

CE

V

CGR

V

GE

I

C

R

GE

= 20 k

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

± 20

A

340

200

T

C

= 25 °C

T

C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

t

p

= 1毫秒

I

Cpuls

680

400

T

C

= 25 °C

T

C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

P

合计

1400

W

+ 150

-40 ... + 125

≤

0.09

≤

0.18

2500

20

11

F

40 / 125 / 56

美国证券交易委员会

VAC

mm

K / W

°C

T

C

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

绝缘测试电压，

t

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

T

j

T

英镑

R

thJC

R

thJCD

V

is

-

-

-

-

半导体集团

1

Feb-14-1997

BSM 200 GB 120 DL

电气特性，

在T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

栅极阈值电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

GE （日）

4.5

5.5

2.2

2.5

-

-

-

6.5

2.6

3

V

V

GE

=

V

CE，

I

C

= 8毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

-

-

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A,

T

j

= 25 °C

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A,

T

j

= 125 °C

零栅极电压集电极电流

I

CES

-

-

10

-

mA

V

CE

= 1200 V,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

CE

= 1200 V,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 发射极漏电流

I

GES

-

400

nA

V

GE

= 20 V,

V

CE

= 0 V

AC特性

跨

g

fs

110

-

13

2

1

-

S

nF

-

-

-

-

V

CE

= 20 V,

I

C

= 200 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

CE

= 25 V,

V

GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

= 25 V,

V

GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

CE

= 25 V,

V

GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

半导体集团

2

Feb-14-1997

BSM 200 GB 120 DL

电气特性，

在T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

开关特性，感性负载时

T

j

= 125 °C

导通延迟时间

值

典型值。

马克斯。

单位

t

D（上）

-

160

-

ns

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A

R

坤

= 4.7

上升时间

t

r

-

80

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A

R

坤

= 4.7

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

550

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

= -15 V,

I

C

= 200 A

R

高夫

= 4.7

下降时间

t

f

-

90

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

= -15 V,

I

C

= 200 A

R

高夫

= 4.7

续流二极管

二极管的正向电压

V

F

-

-

2.3

1.8

2.8

-

V

I

F

= 200 A,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 25 °C

I

F

= 200 A,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 125 °C

反向恢复时间

t

rr

-

0.5

-

s

I

F

= 200 A,

V

R

= -600 V,

V

GE

= 0 V

di

F

/ DT = -2000 A / μs的，

T

j

= 125 °C

反向恢复电荷

Q

rr

C

I

F

= 200 A,

V

R

= -600 V,

V

GE

= 0 V

di

F

/ DT = -2000 A / μs的

T

j

= 25 °C

T

j

= 125 °C

-

-

10

25

-

-

半导体集团

3

Feb-14-1997

BSM 200 GB 120 DL

功耗

P

合计

=

(T

C

)

参数：

T

j

≤

150 °C

1500

W

1300

安全工作区

I

C

=

(V

CE

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C ,

T

j

≤

150 °C

10

3

tp

= 42.0s

A

100 s

P

合计

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0

I

C

10

2

1毫秒

10

1

10毫秒

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

0

0

10

10

1

10

2

DC

3

10

V

T

C

V

CE

集电极电流

I

C

=

(T

C

)

参数：

V

GE

≥

15 V ,

T

j

≤

150 °C

340

A

280

瞬态热阻抗

Z

日JC

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

0

K / W

10

-1

IGBT

I

C

Z

thJC

240

200

10

-2

160

10

120

-3

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

80

10

-4

0.02

单脉冲

0.01

40

0

0

10

-5

-5

10

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

T

C

t

p

半导体集团

4

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BSM 200 GB 120 DL

典型值。输出特性

典型值。输出特性

I

C

= F（V

CE

)

参数：

t

p

= 80 s,

T

j

= 25 °C

400

I

C

= F（V

CE

)

参数：

t

p

= 80 s,

T

j

= 125 °C

400

A

I

C

300

17V

15V

13V

11V

9V

7V

A

I

C

300

17V

15V

13V

11V

9V

7V

250

250

200

200

150

150

100

100

50

0

0

50

0

0

1

2

3

V

5

1

2

3

V

5

V

CE

V

CE

典型值。传输特性

I

C

= F（V

GE

)

参数：

t

p

= 80 s,

V

CE

= 20 V

400

A

I

C

300

250

200

150

100

50

0

0

2

4

6

8

10

V

14

V

GE

半导体集团

5

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BSM 200 GB 120 DL

IGBT功率模块

初步数据

低损耗IGBT

低电感半桥

包括快速续流二极管

与绝缘金属基板封装

TYPE

BSM 200 GB 120 DL

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

符号

值

1200

1200

单位

V

V

CE

I

C

包

半桥2

订购代码

C67076-A2300-A70

1200V 340A

V

CE

V

CGR

V

GE

I

C

R

GE

= 20 k

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

± 20

A

340

200

T

C

= 25 °C

T

C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

t

p

= 1毫秒

I

Cpuls

680

400

T

C

= 25 °C

T

C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

P

合计

1400

W

+ 150

-40 ... + 125

≤

0.09

≤

0.18

2500

20

11

F

40 / 125 / 56

美国证券交易委员会

VAC

mm

K / W

°C

T

C

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

绝缘测试电压，

t

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

T

j

T

英镑

R

thJC

R

thJCD

V

is

-

-

-

-

半导体集团

1

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电气特性，

在T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

栅极阈值电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

GE （日）

4.5

5.5

2.2

2.5

-

-

-

6.5

2.6

3

V

V

GE

=

V

CE，

I

C

= 8毫安

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （ SAT ）

-

-

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A,

T

j

= 25 °C

V

GE

= 15 V,

I

C

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T

j

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零栅极电压集电极电流

I

CES

-

-

10

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mA

V

CE

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V

GE

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

CE

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GE

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T

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栅极 - 发射极漏电流

I

GES

-

400

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V

GE

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V

CE

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AC特性

跨

g

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110

-

13

2

1

-

S

nF

-

-

-

-

V

CE

= 20 V,

I

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输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

CE

= 25 V,

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GE

= 0 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

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反向传输电容

C

RSS

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V

CE

= 25 V,

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GE

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= 1兆赫

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电气特性，

在T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

开关特性，感性负载时

T

j

= 125 °C

导通延迟时间

值

典型值。

马克斯。

单位

t

D（上）

-

160

-

ns

V

CC

= 600 V,

V

GE

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C

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坤

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上升时间

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r

-

80

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

= 15 V,

I

C

= 200 A

R

坤

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打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

550

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

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I

C

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= 4.7

下降时间

t

f

-

90

-

V

CC

= 600 V,

V

GE

= -15 V,

I

C

= 200 A

R

高夫

= 4.7

续流二极管

二极管的正向电压

V

F

-

-

2.3

1.8

2.8

-

V

I

F

= 200 A,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 25 °C

I

F

= 200 A,

V

GE

= 0 V,

T

j

= 125 °C

反向恢复时间

t

rr

-

0.5

-

s

I

F

= 200 A,

V

R

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V

GE

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di

F

/ DT = -2000 A / μs的，

T

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反向恢复电荷

Q

rr

C

I

F

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V

R

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V

GE

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di

F

/ DT = -2000 A / μs的

T

j

= 25 °C

T

j

= 125 °C

-

-

10

25

-

-

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3

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功耗

P

合计

=

(T

C

)

参数：

T

j

≤

150 °C

1500

W

1300

安全工作区

I

C

=

(V

CE

)

参数：

D

= 0,

T

C

= 25°C ,

T

j

≤

150 °C

10

3

tp

= 42.0s

A

100 s

P

合计

1200

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0

I

C

10

2

1毫秒

10

1

10毫秒

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

0

0

10

10

1

10

2

DC

3

10

V

T

C

V

CE

集电极电流

I

C

=

(T

C

)

参数：

V

GE

≥

15 V ,

T

j

≤

150 °C

340

A

280

瞬态热阻抗

Z

日JC

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

0

K / W

10

-1

IGBT

I

C

Z

thJC

240

200

10

-2

160

10

120

-3

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

80

10

-4

0.02

单脉冲

0.01

40

0

0

10

-5

-5

10

20

40

60

80

100

120

°C

160

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

s 10

0

T

C

t

p

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典型值。输出特性

典型值。输出特性

I

C

= F（V

CE

)

参数：

t

p

= 80 s,

T

j

= 25 °C

400

I

C

= F（V

CE

)

参数：

t

p

= 80 s,

T

j

= 125 °C

400

A

I

C

300

17V

15V

13V

11V

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7V

A

I

C

300

17V

15V

13V

11V

9V

7V

250

250

200

200

150

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0

0

50

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1

2

3

V

5

1

2

3

V

5

V

CE

V

CE

典型值。传输特性

I

C

= F（V

GE

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参数：

t

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= 80 s,

V

CE

= 20 V

400

A

I

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150

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