【BSM150GAL120DN2E3166IGBT功率模块单开关二极管菜刀包括快速续流二极管与绝缘金属】,IC型号BSM150GAL120DN2E3166,BSM150GAL120DN2E3166 PDF资料,BSM150GAL120DN2E3166经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSM150GAL120DN2E3166

IGBT功率模块

单开关二极管菜刀

包括快速续流二极管

与绝缘金属基板封装

TYPE

包

订购代码

BSM150GAL120DN2E3166

1200V 210A

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 栅极电压

半桥GAL 2 C67076 - A2112 - A70

符号

值

1200

单位

CGR

= 20 k

栅极 - 发射极电压

DC集电极电流

± 20

210

150

= 25 °C

= 80 °C

集电极电流脉冲，

= 1毫秒

Cpuls

420

300

= 25 °C

= 80 °C

每个IGBT功率耗散

合计

1250

+ 150

-55 ... + 150

≤

0.1

≤

0.25

≤

0.125

4000

55 / 150 / 56

美国证券交易委员会

VAC

K / W

°C

= 25 °C

芯片的温度

储存温度

热电阻，片式案例

二极管的热电阻，片式案例

二极管热敏电阻，芯片的情况下，斩波器

绝缘测试电压，

= 1分。

爬电距离

净空

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

英镑

thJC

thJCD

THJCDC

半导体集团

Nov-08-1996

BSM150GAL120DN2E3166

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

栅极阈值电压

值

典型值。

马克斯。

单位

GE （日）

4.5

5.5

2.5

3.1

6.5

3.7

CE，

= 6毫安

集电极 - 发射极饱和电压

CE （ SAT ）

= 15 V,

= 150 A,

= 25 °C

= 15 V,

= 150 A,

= 125 °C

零栅极电压集电极电流

CES

2.8

= 1200 V,

= 0 V,

= 25 °C

= 1200 V,

= 0 V,

= 125 °C

栅极 - 发射极漏电流

GES

320

= 20 V,

= 0 V

AC特性

跨

1.6

0.6

= 20 V,

= 150 A

输入电容

国际空间站

OSS

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

输出电容

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

反向传输电容

RSS

= 25 V,

= 0 V,

= 1兆赫

半导体集团

Nov-08-1996

BSM150GAL120DN2E3166

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

开关特性，感性负载时

= 125 °C

导通延迟时间

值

典型值。

马克斯。

单位

D（上）

200

400

= 600 V,

= 15 V,

= 150 A

坤

= 5.6

上升时间

100

200

= 600 V,

= 15 V,

= 150 A

坤

= 5.6

打开-O FF延迟时间

D（关闭）

600

800

= 600 V,

= -15 V,

= 150 A

高夫

= 5.6

下降时间

100

= 600 V,

= -15 V,

= 150 A

高夫

= 5.6

续流二极管

二极管的正向电压

2.3

1.8

2.8

= 150 A,

= 0 V,

= 25 °C

= 150 A,

= 0 V,

= 125 °C

反向恢复时间

0.4

= 150 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -1500 A / μs的，

= 125 °C

反向恢复电荷

= 150 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -1500 A / μs的

= 25 °C

= 125 °C

半导体集团

Nov-08-1996

BSM150GAL120DN2E3166

电气特性，

在T

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

菜刀二极管

斩波二极管的正向电压

2.3

1.8

2.8

= 300 A,

= 0 V,

= 25 °C

= 300 A,

= 0 V,

= 125 °C

反向恢复时间，斩波器

RRC

0.55

= 300 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -2500 A / μs的，

= 125 °C

反向恢复电荷，菜刀

RRC

= 300 A,

= -600 V,

= 0 V

/ DT = -2500 A / μs的

= 25 °C

= 125 °C

半导体集团

Nov-08-1996

BSM150GAL120DN2E3166

电路图

包装纲要

尺寸（mm）

重量： 420克

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型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

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模块

21+

14600

EUPEC

全新原装正品/质量有保证

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√ 欧美㊣品

▲10/11+

9820

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24+

2100

MODULE

公司大量全新现货随时可以发货

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1905+

3000

模块

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地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座

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地址：深圳市福田区深南中路电子科技大厦A座36楼C09室

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假一罚十，原装进口正品现货供应，只做原装

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模块

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