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BSL202SN
的OptiMOS
2小信号三极管
特点
N沟道
增强型
超级逻辑电平（ 2.5V额定）
额定雪崩
dv / dt的额定
无铅引脚镀层;符合RoHS标准
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=4.5 V
V
GS
=2.5 V
I
D
20
22
36
7.5
A
V
m
TSOP-6
6
5
4
1
2
3
TYPE
BSL202SN
包
TSOP-6
磁带和卷轴信息
L6327 ： 3000个/卷
记号
SPD
无铅
是的
填料
非干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
A
=25 °C
T
A
=70 °C
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
I
D，脉冲
E
AS
T
A
=25 °C
I
D
=7.5 A,
R
GS
=25
I
D
=7.5 A,
V
DS
=16 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
价值
7.5
6.0
30
30
mJ
单位
A
反向二极管的dv / dt
门源电压
功耗
1)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
修订版1.07
的dV / dt
V
GS
P
合计
T
j
,
T
英镑
6
±12
KV / μs的
V
W
°C
T
A
=25 °C
2
-55 ... 150
JESD22- A114 -HBM
0 （ 0 250V ）
260 °C
55/150/56
第1页
2010-03-26
BSL202SN
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 最小的足迹
SMD版本， PCB上的元件
R
thjs
R
thJA
最小的足迹
6厘米
2
散热面积
1)
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
V
（ BR ） DSS
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250 A
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=30 A
V
DS
=20 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=20 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=12 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=2.5 V,
I
D
=5.9 A
V
GS
=4.5 V,
I
D
=7.5 A
跨
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=7.5 A
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
-
-
50
230
62.5
K / W
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏极 - 源极漏电流
20
0.7
-
-
0.95
-
-
1.2
1
V
A
-
-
-
-
-
-
26
17
25
100
100
36
22
-
S
nA
m
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（单层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。 （吨< 5秒。 ）
1)
修订版1.07
第2页
2010-03-26
BSL202SN
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=7.5 A,
T
j
=25 °C
V
R
=10 V,
I
F
=7.5 A,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-
-
0.8
14.7
4.62
2
30
1.2
-
-
V
ns
nC
A
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=10 V,
I
D
=7.5 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
1.82
1.1
5.8
2
2.42
1.6
8.7
-
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=10 V,
V
GS
=4.5 V,
I
D
=7.5 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=10 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
863
278
40
8.26
27.5
18.9
4.06
1147
370
60
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
修订版1.07
第3页
2010-03-26
BSL202SN
1功耗
P
合计
= F （T
A
)
2漏极电流
I
D
= F （T
A
);
V
GS
≥4.5
V
8
2
7
1.6
6
5
P
合计
[W]
I
D
[A]
1.2
4
0.8
3
2
0.4
1
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
A
[°C]
T
A
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
A
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
2
限于由导通状态
阻力
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJA
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
2
0.5
10
1
100 s
1毫秒
0.2
10
1
Z
thJA
〔 K / W〕
10
0
10毫秒
0.1
0.05
I
D
[A]
DC
10
-1
0.02
10
0
0.01
10
-2
单脉冲
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.07
第4页
2010-03-26
BSL202SN
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
16
4.5 V
3V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
60
1.8 V
2V
2.2 V
14
2.5 V
50
12
2.4 V
40
8
R
DS （ ON）
[m
]
10
2.2 V
I
D
[A]
30
2.5 V
3V
6
2V
20
3.5 V
4.5 V
6V
4
10
2
1.8 V
1.6 V
0
0
1
0
2
3
0
4
8
12
16
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
8
30
7
25
6
20
5
25 °C
4
g
fs
[S]
150 °C
I
D
[A]
15
3
10
2
5
1
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
[V]
I
D
[A]
修订版1.07
第5页
2010-03-26
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