飞利浦半导体
BSH120T
N沟道增强模式音响场效晶体管
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
AMB
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
AMB
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 1 A
典型值
80
120
最大
30
2.2
0.83
150
100
200
单位
V
A
W
°C
m
m
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
AMB
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
AMB
= 25
°C;
t
p
≤
10
s
T
AMB
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
AMB
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
AMB
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
AMB
= 25
°C;
图1
条件
T
j
= 25 150
°C
T
j
= 25 150
°C;
R
GS
= 20 k
民
65
65
最大
30
30
±20
2.2
1.4
9
0.83
+150
+150
0.7
9
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
9397 750 07451
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月6日
2 13
飞利浦半导体
BSH120T
N沟道增强模式音响场效晶体管
120
03aa11
03aa19
120
I
DER
100
(%)
P
DER
(%)
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
（ OC ）
AMB
0
0
25
50
75
100
125 150 175
o
TAMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能环境温度。
10
I
D
(A)
1
特区
图2.归连续漏极电流为
功能环境温度。
03ac50
R
DSON
= V
DS
/ I
D
TP = 100微秒
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10-1
P
δ
=
tp
T
tp
t
T
10-2
10-1
T
AMB
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
1
10
V
DS
(V)
102
图3.安全工作区;漏极和漏极峰值电流，漏极 - 源极电压的函数。
9397 750 07451
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年9月6日
3 13
QQ：2881677436 复制
