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BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2000年11月9日
M3D088
产品speci fi cation
1.描述
在一个塑料封装,使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
BSH114在SOT23封装。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
低通态电阻
非常快速的切换
表面贴装封装。
3.应用
s
继电器驱动器
s
直流到直流转换器
s
通用开关。
c
c
4.管脚信息
表1:
1
2
3
穿针 - SOT23封装,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
3
简化的轮廓
符号
源极(S )
漏极(四)
g
1
顶视图
2
MSB003
MBB076
d
s
SOT23
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 0.5 A
典型值
400
最大
100
0.85
0.83
150
500
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
AMB
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
AMB
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
sp
= 25
°C
峰(二极管正向)源电流T
sp
= 25
°C;
t
p
10
s
T
sp
= 25
°C;
t
p
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
T
AMB
= 25
°C
条件
T
j
= 25 150
°C
T
j
= 25 150
°C;
R
GS
= 20 k
55
55
最大
100
100
±20
0.85
0.5
0.5
0.3
3.4
0.83
0.36
+150
+150
0.85
3.4
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极(反向)二极管
9397 750 07708
飞利浦电子公司2000年版权所有。
产品speci fi cation
版本01 - 2000年11月9日
2 13
飞利浦半导体
BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
03aa17
03aa25
120
PDER
(%)
100
(%)
120
伊德尔
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
TSP
0
150
o
( C)
175
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TSP ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
10 V
I
D
I
D
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
03ac55
10
I
D
(A)
1
R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10 s
100 s
1毫秒
10-1
P
10毫秒
δ
=
tp
T
特区
100毫秒
10-2
tp
T
t
10-3
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
103
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;漏电流和峰值电流为漏源极电压的函数。
9397 750 07708
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3 13
飞利浦半导体
BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
7.热特性
表4:
R
日(J -SP )
热特性
条件
安装在印刷电路板;
最小的足迹
数值单位
150
350
K / W
K / W
从结点到安装在金属箔的基板上的焊点热阻;
图4
符号参数
R
日( J- AMB )
从结点到环境的热阻
7.1瞬态热阻抗
103
Z
日(J -SP )
(K / W)
03ac54
102
δ
= 0.5
0.2
0.1
P
δ
=
tp
T
10
0.05
0.02
单脉冲
tp
T
t
1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
p
(s)
10
T
sp
= 25
°C
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点,作为脉冲持续时间的函数。
9397 750 07708
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BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 0.5 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
g
fs
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 0.85 ; V
GS
= 0 V;
图13
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 0.5 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 30 V
V
DD
= 50 V ;
D
= 100
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DD
= 25 V ; F = 1兆赫;
图12
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 A;
图11
I
D
= 0.5 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V;
图14
0.5
1.2
4.6
0.8
2.1
138
21
12
6
13
8
5
0.84
24
37
1
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
400
500
1.15
m
1
4
10
25
250
100
A
A
nA
2
1.2
3
4
6
V
V
V
100
95
130
V
V
条件
典型值
最大
单位
源极 - 漏极(反向)二极管
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产品speci fi cation
版本01 - 2000年11月9日
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BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
版本01 - 2000年11月9日
M3D088
产品speci fi cation
1.描述
在一个塑料封装,使用N沟道增强型音响场效晶体管
的TrenchMOS
1
技术。
产品可用性:
BSH114在SOT23封装。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
低通态电阻
非常快速的切换
表面贴装封装。
3.应用
s
继电器驱动器
s
直流到直流转换器
s
通用开关。
c
c
4.管脚信息
表1:
1
2
3
穿针 - SOT23封装,简化的外形和符号
描述
栅极(G )
3
简化的轮廓
符号
源极(S )
漏极(四)
g
1
顶视图
2
MSB003
MBB076
d
s
SOT23
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子公司的商标。
飞利浦半导体
BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
5.快速参考数据
表2:
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
j
= 25 150
°C
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
sp
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 0.5 A
典型值
400
最大
100
0.85
0.83
150
500
单位
V
A
W
°C
m
漏极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 :限制值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
3
T
AMB
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
AMB
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
sp
= 25
°C
峰(二极管正向)源电流T
sp
= 25
°C;
t
p
10
s
T
sp
= 25
°C;
t
p
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
T
AMB
= 25
°C
条件
T
j
= 25 150
°C
T
j
= 25 150
°C;
R
GS
= 20 k
55
55
最大
100
100
±20
0.85
0.5
0.5
0.3
3.4
0.83
0.36
+150
+150
0.85
3.4
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极(反向)二极管
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N沟道增强型网络场效晶体管
03aa17
03aa25
120
PDER
(%)
100
(%)
120
伊德尔
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
TSP
0
150
o
( C)
175
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TSP ( C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
10 V
I
D
I
D
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
03ac55
10
I
D
(A)
1
R
DSON
= V
DS
/ I
D
t
p
= 10 s
100 s
1毫秒
10-1
P
10毫秒
δ
=
tp
T
特区
100毫秒
10-2
tp
T
t
10-3
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
103
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;漏电流和峰值电流为漏源极电压的函数。
9397 750 07708
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BSH114
N沟道增强型网络场效晶体管
7.热特性
表4:
R
日(J -SP )
热特性
条件
安装在印刷电路板;
最小的足迹
数值单位
150
350
K / W
K / W
从结点到安装在金属箔的基板上的焊点热阻;
图4
符号参数
R
日( J- AMB )
从结点到环境的热阻
7.1瞬态热阻抗
103
Z
日(J -SP )
(K / W)
03ac54
102
δ
= 0.5
0.2
0.1
P
δ
=
tp
T
10
0.05
0.02
单脉冲
tp
T
t
1
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
t
p
(s)
10
T
sp
= 25
°C
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点,作为脉冲持续时间的函数。
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N沟道增强型网络场效晶体管
8.特点
表5 :性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号参数
静态特性
V
( BR ) DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS ( TH)
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 0.5 A;
图7
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
g
fs
Q
G( TOT )
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极(米勒)电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极(二极管的正向)电压余
S
= 0.85 ; V
GS
= 0 V;
图13
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 0.5 A;迪
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
DS
= 30 V
V
DD
= 50 V ;
D
= 100
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 6
V
GS
= 0 V; V
DD
= 25 V ; F = 1兆赫;
图12
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 A;
图11
I
D
= 0.5 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V;
图14
0.5
1.2
4.6
0.8
2.1
138
21
12
6
13
8
5
0.84
24
37
1
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
400
500
1.15
m
1
4
10
25
250
100
A
A
nA
2
1.2
3
4
6
V
V
V
100
95
130
V
V
条件
典型值
最大
单位
源极 - 漏极(反向)二极管
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BSH114
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BSH114
NEXPERIA
22+
102360
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
BSH114
NXP(恩智浦)
22+
2605
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
BSH114
NXP
2019
79600
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