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分立半导体
数据表
andbook , halfpage
M3D088
BSH103
N沟道增强模式
MOS晶体管
产品speci fi cation
取代1998年的数据01月30日
在分离式半导体, SC13b文件
1998年02月11日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
特点
门槛非常低
高速开关
无二次击穿
直接连接C-MOS , TTL等。
应用
电源管理
DC到DC转换
电池供电应用
“胶合逻辑;逻辑块之间和/或接口
周边
通用开关。
1
顶视图
2
MAM273
BSH103
钉扎 - SOT23
1
2
3
符号
g
s
d
来源
描述
手册, halfpage
3
d
g
s
描述
在SOT23封装的N沟道增强型MOS晶体管
SMD封装。
快速参考数据
符号
V
DS
V
SD
V
GS
V
gsth
I
D
R
DSON
P
合计
参数
漏极 - 源极电压(直流)
源极 - 漏极二极管正向电压
栅极 - 源极电压(直流)
门源阈值电压
漏电流( DC )
漏源导通电阻
总功耗
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
s
= 80
°C
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.5 A
T
s
= 80
°C
小心
V
GD
= 0; I
S
= 0.5 A
条件
0.4
分钟。
Fig.1简化外形和符号。
马克斯。
30
1
±8
0.85
0.5
0.5
V
V
V
V
A
W
单位
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息,请参阅飞利浦规格: SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
1998年02月11日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
参数
漏极 - 源极电压(直流)
栅极 - 源极电压(直流)
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
T
s
= 80
°C;
注1
注2
T
s
= 80
°C
T
AMB
= 25
°C;
注3
T
AMB
= 25
°C;
注4
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
笔记
1. T
s
是在漏极引线的焊接点的温度。
2.脉冲宽度和占空比限制的最高结温。
3.器件安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
(环境,以配合点)的27.5 K / W 。
4.设备安装在印刷电路板用的R
TH A- TP
(环境,以配合点) 90 K / W 。
储存温度
工作结温
T
s
= 80
°C
注2
条件
55
55
分钟。
BSH103
马克斯。
30
±8
0.85
3.4
0.5
0.75
0.54
+150
+150
V
V
A
A
单位
W
W
W
°C
°C
源极 - 漏极二极管
源电流( DC)的
峰值脉冲电流源
0.5
2
A
A
MGM190
MBK502
手册, halfpage
0.6
手册, halfpage
10
P合计
(W)
0.4
IDS
(A)
(2)
1
(1)
10
1
P
0.2
10
2
tp
0
0
40
80
120
TS ( ° C)
160
10
3
10
1
T
1
10
VDS ( V)
10
2
t
δ
= T
tp
DC
δ
= 0.01; T
s
= 80
°C.
(1) R
DSON
限制。
(2 )脉冲。
图2功率降额曲线。
图3一飞冲天。
1998年02月11日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
参数
热阻结到焊接点
价值
140
BSH103
单位
K / W
手册,全页宽
10
3
MBK503
RTH -S
(K / W)
δ
=1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
1
10
6
0
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
TP (多个)
1
tp
T
t
P
10
2
δ
=
tp
T
Fig.4
从结点到焊接点的脉冲时间的函数瞬态热阻;典型值。
1998年02月11日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
MOS晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
( BR ) DSS
V
gsth
I
DSS
I
GSS
R
DSON
参数
漏源击穿电压
门源阈值电压
漏极 - 源极漏电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
条件
V
GS
= 0; I
D
= 10
A
V
GS
= V
DS
; I
D
= 1毫安
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V
V
GS
=
±8
V; V
DS
= 0
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 0.5 A
V
GS
= 2.5 V ;我
D
= 0.5 A
V
GS
= 1.8 V ;我
D
= 0.25 A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
G
Q
GS
Q
GD
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 0; V
DS
= 24 V ; F = 1 MHz的
V
GS
= 4.5 V; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DD
= 15 V ;我
D
= 0.5 A;
T
AMB
= 25
°C
V
DD
= 15 V ;我
D
= 0.5 A;
T
AMB
= 25
°C
V
GS
= 0到8伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GS
= 0到8伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GS
= 0到8伏; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GS
= 8 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GS
= 8 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GS
= 8 0 V ; V
DD
= 15 V;
I
D
= 0.5 A;
= 6
V
GD
= 0; I
S
= 0.5 A
I
S
= 0.5 A;的di / dt =
100
A / μs的
分钟。
30
0.4
83
27
14
2100
95
670
典型值。
BSH103
马克斯。
100
±100
0.4
0.5
0.6
单位
V
V
nA
nA
pF
pF
pF
pC
pC
pC
开关时间
t
D(上)
t
f
t
on
t
D(关闭)
t
r
t
关闭
导通延迟时间
下降时间
导通开关时间
打开-O FF延迟时间
上升时间
关断开关时间
2.5
3.5
6
20
7
27
ns
ns
ns
ns
ns
ns
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
源极 - 漏极二极管的正向
电压
反向恢复时间
25
1
V
ns
1998年02月11日
5
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    -
    -
    -
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地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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十年企业,诚信经营,原装量大价优
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联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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