【BSD316SN的OptiMOS2小信号三极管特点 N沟道增强型逻辑电平（ 4.5V额定）额定雪崩符】,IC型号BSD316SN,BSD316SN PDF资料,BSD316SN经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSD316SN

的OptiMOS

2小信号三极管

特点

N沟道

增强型

逻辑电平（ 4.5V额定）

额定雪崩

符合AEC Q101标准

100 ％无铅化;符合RoHS标准

产品概述

DS （ ON），最大

=10 V

=4.5 V

160

280

1.4

PG-SOT363

5 4

TYPE

BSD316SN

包

磁带和卷轴信息

记号

X7s

无铅

是的

填料

非干

PG- SOT363 L6327 ： 3000个/卷

最大额定值，

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

=25 °C

=70 °C

漏电流脉冲

雪崩能量，单脉冲

D，脉冲

=25 °C

=1.4 A,

=25

=1.4 A,

=16 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

， MAX

=150 °C

价值

1.4

1.1

5.6

3.7

单位

反向二极管的dv / dt

门源电压

功耗

工作和存储温度

防静电类

焊接温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

的dV / dt

合计

英镑

±20

KV / μs的

°C

=25 °C

0.5

-55 ... 150

JESD22- A114 -HBM

0 （ <250V ）

260 °C

55/150/56

修订版2.1

第1页

2009-02-11

BSD316SN

参数

符号条件

分钟。

热特性

热阻，

结 - 环境

thJA

最小的足迹

值

典型值。

马克斯。

单位

250

K / W

电气特性，

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

（ BR ） DSS

=0 V,

=250 A

GS （ TH）

DSS

=0 V,

=3,7 A

=30 V,

=0 V,

=25 °C

=30 V,

=0 V,

=150 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

GSS

DS （ ON）

=20 V,

=0 V

=4.5 V,

=1.1 A

=10 V,

=1.4 A

跨

|>2|I

DS （ ON）最大值

=1.1 A

1.2

1.6

2.0

192

120

2.3

100

280

160

在40毫米进行

FR4 PCB 。的痕迹1mm宽， 70微米厚，长20mm ;它们存在于两侧

的印刷电路板。

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第2页

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BSD316SN

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

S，脉冲

=25 °C

=0 V,

=1.4 A,

=25 °C

=15 V,

=1.4 A,

/ DT = 100 A / μs的

0.8

9.1

2.6

0.5

5.6

1.1

高原

=15 V,

=1.4 A,

= 0至5伏

0.3

0.2

0.6

3.4

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

=15 V,

=10 V,

=1.4 A,

=0 V,

=15 V,

= 1兆赫

3.4

2.3

5.8

1.0

值

典型值。

马克斯。

单位

修订版2.1

第3页

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BSD316SN

1功耗

合计

= F （T

)

2漏极电流

= F （T

);

≥10

1.5

0.5

0.375

合计

[W]

0.25

[A]

0.5

120

160

100

120

140

160

0.125

[°C]

3安全工作区

= F（V

);

=25 °C;

参数：

1 s

10 s

100 s

4最大。瞬态热阻抗

thJA

= F （T

)

参数：

1毫秒

10毫秒

0.5

thJA

〔 K / W〕

0.2

0.1

0.05

[A]

-1

-2

0.02

0.01

单脉冲

-3

-1

-5

-4

-3

-2

-1

[V]

[s]

修订版2.1

第4页

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BSD316SN

5典型。输出特性

= F（V

);

=25 °C

参数：

6典型。上电阻漏 - 源

DS （ ON）

= F（我

);

=25 °C

参数：

400

350

4.5 V

10 V

300

3.5 V

DS （ ON）

]

250

[A]

3.5 V

200

4.5 V

150

10 V

100

2.8 V

[V]

[A]

7典型。传输特性

= F（V

); |V

|>2|I

DS （ ON）最大值

8典型。正向跨导

= F（我

);

=25 °C

[S]

150 °C

25 °C

[A]

[V]

[A]

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第5页

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42650

SMD

代理Infineon Technologies专营，原装现货优势

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新年份

35600

SOT-363

只做原装正品

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SOT-363

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22+

6920

SOT-363

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2418+

39482

SOT-363

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