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BSC200P03LS摹
的OptiMOS
-P功率三极管
特点
P沟道
增强型
逻辑电平
150 ° C的工作温度
额定雪崩;符合RoHS标准
VGS = 25V ，特别适合笔记本电脑应用
无卤素，符合IEC - 61249-2-21
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
-30
20
-12.5
V
m
A
PG-TDSON-8
TYPE
BSC200P03LS摹
包
PG-TDSON-8
记号
200P03LS
无铅
是的
填料
干
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=70 °C
T
A
=25 °C
1)
漏电流脉冲
雪崩能量，单脉冲
门源电压
功耗
I
D，脉冲
E
AS
V
GS
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C
1)
工作和存储温度
防静电类
焊接温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
JESD22-A114-HBM
T
C
=25 °C
2)
I
D
=-12.5 A,
R
GS
=25
价值
-12.5
-12.5
-9.9
-50
98
±25
63
2.5
-55 ... 150
1B （ 500V - 1kV的）
260 °C
55/150/56
°C
mJ
V
W
单位
A
修订版1.04
第1页
2009-02-18
BSC200P03LS摹
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，
结 - 壳
热阻，
结 - 环境
R
thJC
R
thJA
6厘米
2
散热面积
1)
值
典型值。
马克斯。
单位
-
-
-
-
2
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=-250A
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,
I
D
=-100 A
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=-30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
栅极电阻
跨
I
GSS
R
DS （ ON）
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=-12.5 A
V
GS
=-25 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=-10 V,
I
D
=-12.5 A
-30
-2.2
-
-1.5
-
-1
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-0.1
-1
A
-
-
-
-
12
-10
-10
17.1
3.9
23
-100
-100
20
-
-
nA
m
S
2
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4 6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
2)
1)
参见图3 。
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第2页
2009-02-18
BSC200P03LS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
3)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=-12.5 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=|I
S
|,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
-
-
-
-
-0.9
-12.5
-50
-1.2
V
A
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
OSS
V
DD
=-15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=-24 V,
I
D
=-12.5 A,
V
GS
= 0 -
10 V
-
-
-
-
-
-
-
-4.8
-2.6
-13.6
-15.8
-36.4
-2.6
10.2
-6.5
-3.5
-20.4
-23.3
-48.5
-
13.5
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=-15 V,
V
GS
=-
10 V,
I
D
=-10 A,
R
G
=6
V
GS
=0 V,
V
DS
=-15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1830
569
460
9
33
34
18
2430
757
690
14
49
51
27
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
反向恢复时间
t
rr
-
22
-
ns
反向恢复电荷
Q
rr
-
11
-
nC
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第3页
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BSC200P03LS摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
);
t
p
≤10
s
2漏极电流
I
D
= F （T
C
); |V
GS
|≥10 V;
t
p
≤10
s
70
15
60
50
10
P
合计
[W]
30
-I
D
[A]
5
0
0
40
80
120
160
0
40
80
120
160
40
20
10
0
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C
1)
;
D
=0
参数：
t
p
10
2
4最大。瞬态热阻抗
Z
thjs
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1
10 s
100 s
0.5
-I
D
[A]
10
0
Z
thjs
〔 K / W〕
0.2
0.1
0.05
10
1
1毫秒
10毫秒
10
-1
单脉冲
限于由导通状态
阻力
DC
10
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
-V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.04
第4页
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BSC200P03LS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
40
-10 V
-4.5 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
70
-2.7 V
-3 V
-3.2 V
-3.5 V
65
35
60
30
-3.5 V
55
50
R
DS （ ON）
[m
]
25
45
40
35
30
-4.5 V
-I
D
[A]
20
-3.2 V
15
-3 V
10
-2.7 V
25
20
-10 V
5
15
-2.3 V
0
0
1
2
3
10
0
10
20
30
40
-V
DS
[V]
-I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
50
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
40
25 °C
40
150 °C
30
30
-I
D
[A]
g
fs
[S]
20
10
0
0
1
2
3
4
20
10
0
0
10
20
30
-V
GS
[V]
-I
D
[A]
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