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BSC090N03LS摹
OptiMOS3
功率MOSFET
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
N沟道;逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
卓越的热电阻
额定雪崩
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC090N03LS摹
包
PG-TDSON-8
记号
090N03LS
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
I
D
30
9
48
PG-TDSON-8
V
m
A
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流，单脉冲
4)
雪崩能量，单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
1)
价值
48
30
39
25
单位
A
13
192
40
10
6
±20
mJ
KV / μs的
V
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
的dV / dt
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=35 A,
R
GS
=25
I
D
=48 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的，
T
， MAX
=150 °C
J- STD20和JESD22
修订版1.6
第1页
2009-11-03
BSC090N03LS摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
32
2.5
-55 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
器件在PCB上
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
3.9
20
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
跨
2)
30
1
-
-
-
0.1
-
2.2
1
V
A
-
-
-
-
0.5
10
10
10.6
7.5
1.0
56
100
100
13.3
9
1.8
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
28
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
3)
修订版1.6
第2页
2009-11-03
BSC090N03LS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
3.7
1.7
1.6
3.6
6.7
3.4
14
4.9
2.3
2.7
5.3
8.9
-
18
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1100
460
22
3.1
2.6
14
2.4
1500
610
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
6
12
7.7
16
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.89
29
192
1.1
A
V
反向恢复电荷
4)
5)
Q
rr
-
-
10
nC
参见图13更详细的信息
参见图16栅极电荷参数定义
修订版1.6
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BSC090N03LS摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
);
V
GS
≥10
V
35
50
30
40
25
30
P
合计
[W]
20
15
I
D
[A]
20
10
10
5
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1 s
10
2
0.5
10 s
1
100 s
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
1
DC
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
10毫秒
I
D
[A]
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.6
第4页
2009-11-03
BSC090N03LS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
200
24
10 V
5V
3.2 V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
150
20
R
DS （ ON）
[m
]
16
3.5 V
4V
I
D
[A]
100
4.5 V
12
4.5 V
5V
4V
8
10 V
11.5 V
50
3.5 V
3.2 V
3V
4
0
0
1
2
2.8 V
0
3
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
120
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
140
100
120
100
80
80
60
g
fs
[S]
150 °C
25 °C
I
D
[A]
60
40
40
20
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
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