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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第631页 > BSC080N03MSG
BSC080N03MS摹
OptiMOS3
M系列功率MOSFET
特点
优化了5V驱动应用（笔记本电脑， VGA ， POL ）
低FOM
SW
高频开关电源
100 ％雪崩测试
N沟道
极低的导通电阻
R
DS （ ON）
@
V
GS
=4.5 V
优秀的栅极电荷X
R
DS （ ON）
产品（ FOM ）
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
卓越的热电阻
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC080N03MS摹
包
PG-TDSON-8
记号
080N03MS
产品概述
V
DS
R
DS （ ON） ，最大
V
GS
=10 V
V
GS
=4.5 V
I
D
30
8
10.2
53
PG-TDSON-8
A
V
m
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流，单脉冲
4)
雪崩能量，单脉冲
门源电压
1)
价值
53
33
47
30
单位
A
13
I
D，脉冲
I
AS
E
AS
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=35 A,
R
GS
=25
212
45
15
±20
mJ
V
J- STD20和JESD22
Rev.1.15
第1页
2009-11-03
BSC080N03MS摹
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
35
2.5
-55 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻，结 - 案
R
thJC
底部
顶部
器件在PCB上
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
3.6
20
50
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=16 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
跨
2)
30
1
-
-
-
0.1
-
2
1
V
A
-
-
-
-
0.5
10
10
8.2
6.7
1
58
100
100
10.2
8.0
1.8
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=30 A
29
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
3)
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第2页
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BSC080N03MS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G（ TH ）
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
5.0
2.5
2.3
4.8
9.9
3.2
21
6.7
3.4
3.9
7.2
13
-
27
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
1600
510
33
10
5.4
10
5.6
2100
680
-
-
-
-
-
ns
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量，同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G（同步）
Q
OSS
-
-
8.6
13
11
18
nC
I
S
I
S，脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.89
32
212
1.1
A
V
反向恢复电荷
4)
5)
Q
rr
-
-
10
nC
参见图13更详细的信息
参见图16栅极电荷参数定义
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BSC080N03MS摹
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2漏极电流
I
D
= F （T
C
)
参数：
V
GS
40
60
50
30
40
P
合计
[W]
20
I
D
[A]
30
4.5 V
10 V
20
10
10
0
0
40
80
120
160
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F （T
p
)
参数：
D
=t
p
/T
10
1 s
0.5
10
2
10 s
100 s
1
0.2
0.1
0.05
0.02
I
D
[A]
DC
10
1
1毫秒
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
10毫秒
0.01
单脉冲
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
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BSC080N03MS摹
5典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
160
4.5 V
5V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS （ ON）
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
14
3V
3.2 V
12
3.5 V
120
10 V
10
4V
4.5 V
R
DS （ ON）
[m
]
4V
8
6V
I
D
[A]
5V
80
6
10 V
3.5 V
40
3.2 V
3V
2.8 V
4
2
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F（V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
参数：
T
j
120
8典型。正向跨导
g
fs
= F（我
D
);
T
j
=25 °C
140
120
100
80
80
g
fs
[S]
40
150 °C
25 °C
I
D
[A]
60
40
20
0
0
1
2
3
4
5
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
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数据
片
特点
同步降压控制器
恒定导通时间和谷值电流模式
ADP1878/ADP1879
典型应用电路
V
IN
= 2.95V至20V
VIN
C
C
R
C
V
REG
V
OUT
C
C2
电源输入电压范围： 2.95到20V
板载偏置稳压器
最小输出电压： 0.6 V
0.6 V基准电压为± 1.0 ％的准确度
支持所有N沟道功率MOSFET级
可在300千赫， 600千赫和1.0 MHz的选项
无需电流检测电阻
省电模式（ PSM ）的轻负载（ ADP1879只）
电阻可编程电流限制
电源良好内部上拉电阻
外部可编程软启动
热过载保护
短路保护
独立的精密使能输入
集成自举二极管用于高侧驱动
启动进入预充电输出
采用14引脚LFCSP_WD封装
ADP1878/
ADP1879
COMP
EN
FB
GND
VREG
PGOOD
水库
保护地
SS
BST
DRVH
SW
DRVL
C
BST
C
IN
Q1
10k
R
顶部
R
BOT
L
V
OUT
C
OUT
Q2
负载
C
VREG2
C
VREG
R
水库
R
PGD
C
SS
V
EXT
图1 。
应用
电信和网络系统
中到高端服务器
机顶盒
DSP核电源
概述
该
ADP1878/ADP1879
是通用电流模式，同步
降压控制器。它们提供优异的瞬态响应，
最佳的稳定性，并通过使用恒定电流限制保护
关于时间，伪固定频率与可编程电流限制，
电流控制方案。这些设备提供最佳性能
在通过使用一个山谷，电流模式控制architec-低占空比
TURE使
ADP1878/ADP1879
驱动所有N沟道功率
阶段的输出电压调节到低至0.6V。
该
ADP1879
是省电模式（PSM ）版本的
设备，并能以脉冲跳跃以保持输出
调节，同时实现了轻提高系统效率
负载（见ADP1879省电模式（ PSM ）一节
了解更多信息） 。
提供三种频率选项（ 300千赫， 600千赫，并
1.0兆赫）加了PSM选项，则
ADP1878/ADP1879
非常
适合于大范围的需要单输入应用
电源电压范围从2.95 V至20 V的低电压偏置为
通过5 V内部低压差稳压器（ LDO ）供电。在
此外，软启动可编程被列入限制输入
从输入电源在启动和浪涌电流
提供在预充电输出反向电流保护
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
条件。低边电流检测，电流增益方案，
集成升压二极管，与PSM /强制在一起
脉冲宽度调制（PWM ）的选项，减少外部
器件数量并提高效率。
该
ADP1878/ADP1879
在-40° C至+ 125°C
结温度范围，采用14引脚可用
LFCSP_WD封装。
100
95
90
85
80
效率（％）
V
IN
= 5V （ PSM ）
75
70
65
60
55
50
45
40 V
IN
= 16.5V （ PSM ）
35
30
25
10
100
V
IN
= 13V （ PSM ）
T
A
= 25°C
V
OUT
= 1.8V
f
SW
= 300kHz的
WRTH电感：
744325120 ， L = 1.2μH ， DCR = 1.8MΩ
英飞凌场效应管：
BSC042N03MS G（上/下）
1k
负载电流（mA ）
10k
100k
09441-102
V
IN
= 16.5V
V
IN
= 13V
图2中。
ADP1878/ADP1879
效率与负载电流（V
OUT
= 1.8 V ， 300千赫）
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113 2011-2012 ADI公司保留所有权利。
09441-001
ADP1878/ADP1879
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
典型应用电路............................................... ............. 1
概述................................................ ......................... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... 5 ........
热阻................................................ ...................... 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征............................................. 7
工作原理............................................... ....................... 17
框图................................................ ............................ 17
启动................................................. ......................................... 18
软启动................................................ ...................................... 18
精密使能电路............................................... ......... 18
欠压锁定................................................ ............... 18
板载低压降（ LDO ）稳压器............................. 18
热关断................................................ ..................... 19
编程电阻（ RES ），检测电路.......................... 19
谷电流限制设定............................................. ....... 19
打嗝模式短路时......................................... 21
同步整流................................................ ................ 21
ADP1879省电模式（ PSM ） ...................................... 21
定时器操作................................................ ......................... 22
数据
片
伪固定频率............................................... ............. 22
电源就绪监测.............................................. ............. 23
应用信息................................................ .............. 24
反馈电阻分压器............................................... ......... 24
电感的选择................................................ ...................... 24
输出纹波电压（ ΔV
RR
) .................................................. 24
输出电容的选择............................................... ........ 24
补偿网络................................................ ............ 25
兼顾效率................................................ ........... 26
输入电容的选择............................................... ........... 27
散热注意事项................................................ ............ 27
设计实例................................................ .......................... 29
外部元件建议.................................... 31
布局的注意事项................................................ ................... 33
芯片组（评估板的左侧） ............................. 35
电源部分................................................ ............................. 35
差分检测................................................ .................... 36
典型应用电路............................................... .......... 37
12 A， 300 kHz的高电流应用电路.................. 37
5.5 V输入， 600 kHz的电流应用电路................ 37
300 kHz的高电流应用电路............................ 38
包装及订购信息......................................... 39
外形尺寸................................................ ................... 39
订购指南................................................ .......................... 40
修订历史
6/12 -REV 。 0到版本A
更改表1 .............................................. ............................... 3
7月11日 - 修订版0 ：初始版
版本A |页40 2
数据
片
特定网络阳离子
ADP1878/ADP1879
所有的极限温度下通过的相关使用标准统计质量控制（ SQC ）保证。 VREG = 5 V ，
BST - SW = VREG - V
RECT_DROP
（参见图40至图42）。 VIN = 12 V的规格是有效的对于T
J
= -40 ° C至+ 125°C ，
除非另有规定ED 。
表1中。
参数
电源特性
高的输入电压范围
符号
VIN
测试条件/评论
C
VIN
= 22 μF （ 25 V额定电压），就在引脚1到PGND （引脚11 ）
ADP1878ACPZ - 0.3 - R7 / ADP1879ACPZ - 0.3 -R7 （ 300千赫）
ADP1878ACPZ - 0.6 - R7 / ADP1879ACPZ - 0.6 -R7 （ 600千赫）
ADP1878ACPZ - 1.0 - R7 / ADP1879ACPZ -1.0- R7 （ 1.0兆赫）
FB = 1.5 V，无开关
EN < 600毫伏
上升的VIN （参见图35为温度变化）
从工作状态下降VIN
不加载VREG外部，因为它被用于
只有偏置内部电路
C
VREG
= 4.7 μF至地线， 0.22 μF至GND ，V
IN
= 2.95 V至20 V
ADP1878ACPZ - 0.3 - R7 / ADP1879ACPZ - 0.3 -R7 （ 300千赫）
ADP1878ACPZ - 0.6 - R7 / ADP1879ACPZ - 0.6 -R7 （ 600千赫）
ADP1878ACPZ - 1.0 - R7 / ADP1879ACPZ -1.0- R7 （ 1.0兆赫）
V
IN
= 7 V ， 100毫安
V
IN
= 12 V ，百毫安
0毫安为100 mA ，V
IN
= 7 V
0毫安为100 mA ，V
IN
= 20 V
V
IN
= 7到20V ， 20毫安
V
IN
= 7到20V ， 100毫安
百毫安了VREG ，V的
IN
≤ 5 V
V
IN
= 20 V
在SS引脚连接外部电容到GND ，
C
SS
= 10 NF / MS
T
J
= 25°C
T
J
= -40 ° C至+ 85°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
FB = 0.6 V， EN = VREG
RES = 47 kΩ的± 1 ％
RES = 22 kΩ的± 1 ％
RES =无
RES = 100 kΩ的± 1 ％
典型的测量值在50 ％的时间点为0时NF
DRVH和DRVL ;最高值是通过保证
板凳评价
1
2.7
5.5
11
22
民
典型值
最大
单位
2.95
2.95
3.25
静态电流
关断电流
欠压锁定
UVLO迟滞
内部稳压器
特征
VREG工作输出电压
I
Q_REG
+
I
Q_BST
I
REG ， SD
+
I
BST ， SD
UVLO
12
12
12
1.1
140
2.65
178
20
20
20
V
V
V
mA
μA
V
mV
225
VREG
VREG输出稳压
负载调整率
线路调整
VIN至VREG电压差
总之VREG到PGND
软启动
软启动周期的计算
误差放大器
FB调节电压
2.75
2.75
3.05
4.82
4.83
5
5
5
4.981
4.982
32
34
1.8
2.0
306
229
10
600
600
600
496
1
3
6
12
24
5.5
5.5
5.5
5.16
5.16
415
320
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mA
NF / MS
mV
mV
mV
μS
nA
V/V
V/V
V/V
V/V
V
FB
跨
FB输入漏电流
电流检测放大器的增益
编程电阻（ RES ）
从RES值至PGND
G
m
I
FB ，泄漏
596
594.2
320
604
605.8
670
50
3.3
6.5
13
26
开关频率
ADP1878ACPZ-0.3-R7/
ADP1879ACPZ-0.3-R7
准时
最小导通时间
最小关断时间
300
V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2 V ，T
J
= 25°C
V
IN
= 20 V
84 ％的占空比（最大）
版本A |第40 3
千赫
1345
190
400
ns
ns
ns
1120
1200
145
340
ADP1878/ADP1879
参数
ADP1878ACPZ-0.6-R7/
ADP1879ACPZ-0.6-R7
准时
最小导通时间
最小关断时间
ADP1878ACPZ-1.0-R7/
ADP1879ACPZ-1.0-R7
准时
最小导通时间
最小关断时间
输出驱动器特性
高侧驱动器
输出源电阻
输出电阻水槽
上升时间
2
下降时间
2
低侧驱动器
输出源电阻
输出电阻水槽
上升时间
2
下降时间
2
传播延迟
DRVL下降到DRVH崛起
2
DRVH秋季到DRVL崛起
2
SW漏电流
集成整流器
通道阻抗
精密使能阈值
逻辑高电平
启用滞后
比较电压
COMP钳位电压低
COMP钳位电压高
COMP零电流阈值
热关断
热关断阈值
热关断迟滞
电流限制
打嗝限流时间
过电压和供电
GOOD门槛值
FB电源良好阈值
FB电源良好迟滞
FB过电压阈值
FB过电压滞后
PGOOD低电压在水槽
PGOOD泄漏电流
1
数据
片
符号
测试条件/评论
民
典型值
600
540
82
340
1.0
312
52
340
最大
单位
千赫
ns
ns
ns
兆赫
ns
ns
ns
V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2 V ，T
J
= 25°C
V
IN
= 20 V, V
OUT
= 0.8 V
65 ％的占空比（最大）
500
605
110
400
V
IN
= 5 V, V
OUT
= 2 V ，T
J
= 25°C
V
IN
= 20 V
45 ％的占空比（最大）
285
360
85
400
t
R， DRVH
t
楼DRVH
I
来源
= 1.5 A， 100 ns的正脉冲（ 0 V至5 V ）
I
SINK
= 1.5 A， 100 ns的负脉冲（5V至0V）
BST - SW = 4.4 V ，C
IN
= 4.3 nF的（见图59 ）
BST - SW = 4.4 V ，C
IN
= 4.3 nF的（见图60 ）
I
来源
= 1.5 A， 100 ns的正脉冲（ 0 V至5 V ）
I
SINK
= 1.5 A， 100 ns的负脉冲（5V至0V）
V
REG
= 5.0 V ，C
IN
= 4.3 nF的（见图60 ）
V
REG
= 5.0 V ，C
IN
= 4.3 nF的（见图59 ）
BST - SW = 4.4 V（见图59 ）
BST - SW = 4.4 V（见图60 ）
BST = 25 V ， SW = 20 V ，V
REG
= 5 V
I
SINK
= 10毫安
V
IN
= 2.9到20V ，V
REG
= 2.75 V至5.5 V
V
IN
= 2.9到20V ，V
REG
= 2.75 V至5.5 V
605
2.20
0.72
25
11
1.5
0.7
18
16
15.7
16
3
1
Ω
Ω
ns
ns
Ω
Ω
ns
ns
ns
ns
μA
Ω
2.2
1
t
R， DRVL
t
楼DRVL
t
tpdhDRVH
t
tpdhDRVL
I
SWLEAK
110
22.3
634
31
663
mV
mV
V
V
COMP （ LOW ）
V
COMP （ HIGH ）
V
COMP_ZCT
T
TMSD
领带EN引脚为VREG ，使设备
(2.75 V ≤ V
REG
≤ 5.5 V)
(2.75 V ≤ V
REG
≤ 5.5 V)
(2.75 V ≤ V
REG
≤ 5.5 V)
升温
0.47
2.55
1.10
155
15
6
V
V
°C
°C
ms
COMP = 2.4 V
PGOOD
FB
PGD
FB
OV
V
PGOOD
V
FB
系统启动时上升
V
FB
在过压事件不断上升，我
PGOOD
= 1毫安
I
PGOOD
= 1毫安
PGOOD = 5 V
542
34
691
35
143
1
566
55
710
55
200
100
mV
mV
mV
mV
mV
nA
规定的最大数值与在10 ％至90％的时间点测得的闭环（参见图59和图60） ，C
门
= 4.3 nF的，并且高侧和低侧
MOSFET的是英飞凌BSC042N03MS G.
2
不自动测试设备（ATE）测试。
版本A |第40 4
数据
片
绝对最大额定值
表2中。
参数
VREG到PGND ， GND
VIN ， EN ， PGOOD到PGND
FB ， COMP ， RES ， SS到GND
DRVL到PGND
申银万国PGND
BST到SW
BST到PGND
DRVH到SW
PGND到GND
PGOOD输入电流
θ
JA
（ 14引脚LFCSP_WD ）
4层板
工作结温范围
存储温度范围
焊接条件
最大焊接焊接温度
（10秒）的
等级
0.3 V至6 V
0.3 V至+28 V
-0.3 V至（ VREG + 0.3V）
-0.3 V至（ VREG + 0.3V）
-2.0 V至+28 V
-0.6 V至（ VREG + 0.3V）
0.3 V至+28 V
-0.3 V至VREG
±0.3 V
35毫安
30°C/W
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
JEDEC J- STD- 020
300°C
ADP1878/ADP1879
热阻
θ
JA
被指定为最坏的条件下，也就是说，一个设备
焊在电路板的表面贴装封装。
边界条件
在确定在表2中给出的值和表3中，自然
对流用于将热量传递至4层评估板。
表3.热阻
套餐类型
θ
JA
（ 14引脚LFCSP_WD ）
4层板
θ
JA
30
单位
° C / W
ESD警告
讲一个波夫所列绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件下的作战指示
本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值仅适合单独应用，而不是在
组合。除非另有说明，所有其它的电压是
参考PGND 。
版本A |第40个5
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