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BSC030N03LS摹
OptiMOS3
功率MOSFET
特点
快速开关MOSFET的开关电源
优化技术的DC / DC转换器
根据JEDEC合格
1)
为目标的应用
N沟道;逻辑电平
优秀的栅极电荷X
R
DS ( ON)
产品( FOM )
极低的导通电阻
R
DS ( ON)
卓越的热电阻
额定雪崩
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤素根据IEC61249-2-21
TYPE
BSC030N03LS摹
PG-TDSON-8
记号
030N03LS
产品概述
V
DS
R
DS ( ON) ,最大
I
D
30
3
100
PG-TDSON-8
V
m
A
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
V
GS
=10 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=10 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=25 °C
V
GS
=4.5 V,
T
C
=100 °C
V
GS
=10 V,
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
漏电流脉冲
3)
雪崩电流,单脉冲
4)
雪崩能量,单脉冲
反向二极管的dv / dt
门源电压
1)
价值
100
77
98
62
单位
A
23
400
50
75
6
±20
mJ
KV / μs的
V
I
D,脉冲
I
AS
E
AS
的dV / dt
V
GS
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=50 A,
R
GS
=25
I
D
=50 A,
V
DS
=24 V,
的di / dt = 200 A / μs的,
T
, MAX
=150 °C
J- STD20和JESD22
修订版1.27
第1页
2009-10-22
BSC030N03LS摹
最大额定值,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
功耗
符号条件
P
合计
T
C
=25 °C
T
A
=25 °C,
R
thJA
= 50 K / W
2)
工作和存储温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
T
j
,
T
英镑
价值
69
2.5
-55 ... 150
55/150/56
°C
单位
W
参数
符号条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性
热阻,结 - 案
R
thJC
底部
顶部
器件在PCB上
R
thJA
6厘米
2
散热面积
2)
-
-
-
-
-
-
1.8
18
50
K / W
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0 V,
I
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
I
DSS
V
DS
=V
GS
,
I
D
=250 A
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=30 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=125 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS ( ON)
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=4.5 V,
I
D
=30 A
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A
栅极电阻
2)
30
1
-
-
-
0.1
-
2.2
1
V
A
-
-
-
-
0.7
10
10
3.8
2.5
1.5
98
100
100
4.7
3
2.6
-
S
nA
m
R
G
g
fs
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
,
I
D
=30 A
49
设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米(一层70微米厚)的铜区域排水
连接。 PCB是垂直的静止空气中。
参见图3详细信息
3)
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第2页
2009-10-22
BSC030N03LS摹
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
5)
门源费
栅极电荷的门槛
栅漏电荷
交换费
栅极电荷总量
栅极电压平台
栅极电荷总量
Q
gs
Q
G( TH )
Q
gd
Q
sw
Q
g
V
高原
Q
g
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0到10伏
V
DS
=0.1 V,
V
GS
= 0 4.5 V
V
DD
=15 V,
V
GS
=0 V
V
DD
=15 V,
I
D
=30 A,
V
GS
= 0 4.5 V
-
-
-
-
-
-
-
9.5
5.2
4.6
9.0
20
3.0
42
13
6.9
7.6
13
27
-
55
V
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=15 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=30 A,
R
G
=1.6
V
GS
=0 V,
V
DS
=15 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
-
-
-
3200
1200
66
7.3
5.2
29
4.8
4300
1600
-
-
-
-
-
ns
pF
典型值。
马克斯。
单位
栅极电荷总量,同步。 FET
输出充电
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
Q
G(同步)
Q
OSS
-
-
17
31
23
41
nC
I
S
I
S,脉冲
V
SD
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=30 A,
T
j
=25 °C
V
R
=15 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 400 A / μs的
-
-
-
-
-
0.82
63
400
1.1
A
V
反向恢复电荷
4)
5)
Q
rr
-
-
20
nC
参见图13更详细的信息
参见图16栅极电荷参数定义
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第3页
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BSC030N03LS摹
1功耗
P
合计
= F (T
C
)
2漏极电流
I
D
= F (T
C
);
V
GS
≥10
V
80
120
100
60
80
P
合计
[W]
40
I
D
[A]
0
40
80
120
160
60
40
20
20
0
0
0
40
80
120
160
T
C
[°C]
T
C
[°C]
3安全工作区
I
D
= F(V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数:
t
p
10
3
限于由导通状态
阻力
10 s
4最大。瞬态热阻抗
Z
thJC
= F (T
p
)
参数:
D
=t
p
/T
10
1 s
10
2
100 s
1
DC
0.5
Z
thJC
〔 K / W〕
I
D
[A]
10
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1毫秒
10毫秒
0.1
10
0
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.01
0
0
0
0
0
0
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
V
DS
[V]
t
p
[s]
修订版1.27
第4页
2009-10-22
BSC030N03LS摹
5典型。输出特性
I
D
= F(V
DS
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
300
5V
6典型。上电阻漏 - 源
R
DS ( ON)
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
参数:
V
GS
8
3.2 V
250
10 V
4.5 V
6
3.5 V
200
R
DS ( ON)
[m
]
I
D
[A]
4V
150
4V
4
4.5 V
5V
10 V
100
3.5 V
2
50
3.2 V
3V
2.8 V
11.5 V
0
0
1
2
3
0
0
10
20
30
40
50
V
DS
[V]
I
D
[A]
7典型。传输特性
I
D
= F(V
GS
); |V
DS
|>2|I
D
|R
DS ( ON)最大值
参数:
T
j
200
8典型。正向跨导
g
fs
= F(我
D
);
T
j
=25 °C
250
160
200
120
150
80
g
fs
[S]
100
40
150 °C
25 °C
I
D
[A]
50
0
0
1
2
3
4
5
0
0
40
80
120
160
V
GS
[V]
I
D
[A]
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    -
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正规报关原装现货系列订货技术支持
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5000
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原包装原标现货,假一罚十,
0.1
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TDSON-8
一级代理/放心采购
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电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
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INFINEON/英飞凌
22+
23284
SuperSO8
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TDSON8
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-82723916/82731800
联系人:朱小姐
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Infineon
24+
10000
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24+
7800
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原装正品现货,可开增值税专用发票
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电话:18913062888
联系人:陈先生
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INFINEON
24+
5000
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